贾玉萍
- 作品数：30 被引量：14H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 在碳化硅衬底上外延大面积、均匀石墨烯
- 石墨烯,一种完美二维晶体,由于其优异的电学性质,被认为是非常有前途的纳米电子材料,并且有希望代替硅成为下一代大规模集成电路的材料。目前,制备石墨烯的方法主要有:剥离法,化学分离法以及碳化硅外延法等。其中前两种方法制备的石...
- 贾玉萍林菁菁李康黄青松郭丽伟陈小龙
- 文献传递
- SiC(0001)上外延石墨烯的拉曼G峰劈裂
- 通过碳化硅外延法制备的石墨烯与现代微电子工艺具有良好的兼容性,这使得其成为微电子器件领域有希望部分替代硅的一种新型材料。当单层石墨烯由于其晶胞中的a、b两个碳原子是完全等价的,因此导致其价带和导带在K点重叠,所以其带隙为...
- 贾玉萍郭丽伟林菁菁陈莲莲芦伟陈小龙
- 关键词：半导体材料无损检测
- 文献传递
- 宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展被引量：14
- 2012年
- 本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半高宽小于20″;生长的导电型SiC晶体电阻率小于0.02Ω.cm,半绝缘型SiC晶体电阻率大于108Ω.cm,电阻率分布均匀性良好。研究出即开即用SiC晶片批量加工技术,晶片表面粗糙度低于0.2 nm,翘曲度和总厚度变化满足工业化批量生产要求。与此同时,在基础物性研究方面也取得了系列研究成果。首次在实验上给出了直接证据证明SiC晶体中的双空位能够诱导出磁性,并从理论上予以证明。利用多种方法在SiC衬底上成功制备出大面积、高质量、性能优异的石墨烯。
- 彭同华刘春俊王波王锡铭郭钰赵宁李龙远刘宇黄青松贾玉萍王刚郭丽伟陈小龙
- 关键词：SIC晶体单晶生长晶片加工磁性
- 6H-SiC(11-20)外延多层石墨烯性能研究
- 石墨烯是一种二维零带隙半导体材料:一方面其具有丰富的物理内涵,如费米能级附近载流子呈现为无质量狄拉克费米子,奇异的量子霍尔效应,弹道输运,手性隧穿等[1];另一方面其拥有巨大的潜在应用价值,如超高的载流子迁移率[2]使其...
- 黄郊郭丽伟林菁菁贾玉萍芦苇陈莲莲陈小龙
- 关键词：半导体材料性能分析原子力显微镜
- 文献传递
- 紫外探测器
- 本发明提供了一种紫外探测器，包括SiC板；位于所述SiC板上的石墨烯层；以及位于所述石墨烯层上的第一电极和第二电极。本发明的紫外探测器能够实现对紫外光的超快探测，对紫外光探测的精度和灵敏度高，制造成本低。
- 陈小龙郭丽伟黄郊贾玉萍芦伟
- 文献传递
- 偏压原子力显微技术:通过局部反型掺杂检测缺陷的通用方法
- 高质量二维材料在基础科学研究和器件应用领域中具有重要的地位[1]。因此针对二维材料的检测，特别是对其缺陷的检测成为了至关重要的内容。一个精准、快捷的缺陷检测手段可以在二维材料的制备过程中提供及时有效的反馈。
- 贾玉萍郭丽伟芦伟黄郊李治林陈洪祥陈小龙
- 关键词：石墨烯
- 在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及石墨烯和石墨烯器件
- 本发明提供一种在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及由该方法制得的石墨烯和制备石墨烯器件的方法，该方法包括以下步骤：采用对SiC衬底图形化的制备技术，在SiC衬底表面形成图形阵列；对图形化的SiC衬底进行热分解，在SiC...
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- 文献传递
- 一种基于石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器
- 本发明公开了一种石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器，该探测器包括SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底(4)，所述SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底(4)上的SiC纳米线(1)，包覆所述SiC纳米线(1)的石墨烯...
- 郭丽伟陈小龙贾玉萍
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- 一种硼掺杂石墨烯的制备方法
- 本发明提供一种硼掺杂石墨烯的制备方法，利用碳化硅高温热分解法制备石墨烯，其中所述碳化硅中掺杂有硼。本发明提供的制备方法简单、安全、可控，所制备的石墨烯结构完整性高，硼掺杂均匀性好。
- 陈小龙郭丽伟李治林芦伟贾玉萍陈莲莲郭钰王刚王文军
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- 一种在半绝缘硅面碳化硅上原位外延生长石墨烯PN结的方法
- 本发明提供了一种在半绝缘硅面碳化硅(SiC(0001))晶片上生长石墨烯PN结的方法，包括步骤：1)提供半绝缘硅面碳化硅晶片，清洗干净并干燥；2)对经步骤1)得到的半绝缘硅面碳化硅晶片进行选区硼离子注入掺杂；3)将步骤2...
- 郭丽伟王逸非陈小龙贾玉萍
- 文献传递
