林菁菁
- 作品数：22 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及石墨烯和石墨烯器件
- 本发明提供一种在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及由该方法制得的石墨烯和制备石墨烯器件的方法，该方法包括以下步骤：采用对SiC衬底图形化的制备技术，在SiC衬底表面形成图形阵列；对图形化的SiC衬底进行热分解，在SiC...
- 陈小龙郭丽伟林菁菁李康贾玉萍王文军王刚
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- 一种有蜡加工晶片用粘结剂及其制备方法
- 本发明公开了一种有蜡加工晶片用粘结剂及其制备方法。该粘结剂主要由石蜡、松香和虫胶组成，其中石蜡、松香、虫胶按20～50∶40～75∶5～20的质量比配比。该粘结剂可通过改变原料的投放比例来调节熔点，一般可以控制在70℃～...
- 张贺胡伯清林菁菁黄青松刘金义王锡铭彭同华陈小龙
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- 高长宽比的石墨烯条带的制备
- 石墨烯,零带隙的二维半导体材料,由于其特殊的电子结构,从而使它具有高迁移率(大于15000cmV)、弹道输运以及反常量子霍尔效应等新奇的电学性质,有望成为替代硅的下一代集成电路材料。石墨烯条带,由于量子限域效应以及边缘效...
- 林菁菁贾玉萍李康黄青松郭丽伟陈小龙
- 在碳化硅衬底上外延大面积、均匀石墨烯
- ＜正＞石墨烯,一种完美二维晶体,由于其优异的电学性质,被认为是非常有前途的纳米电子材料,并且有希望代替硅成为下一代大规模集成电路的材料。目前,制备石墨烯的方法主要有:剥离法,化学分离法以及碳化硅外延法等。其中前两种方法制...
- 贾玉萍林菁菁李康黄青松郭丽伟陈小龙
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- SiC（0001）上外延石墨烯的拉曼G峰劈裂
- ＜正＞通过碳化硅外延法制备的石墨烯与现代微电子工艺具有良好的兼容性,这使得其成为微电子器件领域有希望部分替代硅的一种新型材料。当单层石墨烯由于其晶胞中的a、b两个碳原子是完全等价的,因此导致其价带和导带在K点重叠,所以其...
- 贾玉萍郭丽伟林菁菁陈莲莲芦伟陈小龙
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- 高长宽比的石墨烯条带的制备
- 石墨烯，零带隙的二维半导体材料，由于其特殊的电子结构，从而使它具有高迁移率(大于15000cm2V-1)、弹道输运以及反常量子霍尔效应等新奇的电学性质，有望成为替代硅的下一代集成电路材料。石墨烯条带，由于量子限域效应以及...
- 林菁菁贾玉萍李康黄青松郭丽伟陈小龙
- 关键词：石墨烯半导体材料电子结构电子束刻蚀
- SiC(000-1)面上外延石墨烯的特征
- 芦伟贾玉萍林菁菁陈莲莲郭丽伟陈小龙
- 6H-SiC(11-20)外延多层石墨烯性能研究
- 本文系统研究了6H-SiC(11-20)外延多层石墨烯的性能。通过热分解6H-SiC(11-20)得到多层石墨烯，并利用原子力显微镜和拉曼图谱表征其形貌、褶皱分布和非谐声子效应。实验发现外延石墨烯(EG)褶皱的平均高度为...
- 黄郊郭丽伟林菁菁贾玉萍芦苇陈莲蓬陈小龙
- 关键词：半导体材料性能分析原子力显微镜
- SiC纳米晶/石墨烯异质结及制备方法和应用
- 一种碳化硅纳米晶/石墨烯异质结，SiC纳米晶颗粒的外表面包覆有至少一层石墨烯，通过下述方法得到：将SiC纳米晶颗粒在真空或氩气气氛中，于1000℃-1600℃进行退火处理，得到SiC纳米晶/石墨烯异质结。本发明根据SiC...
- 陈小龙郭丽伟林菁菁朱开兴贾玉萍
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- 一种在碳化硅基底上外延生长的冷阴极场发射材料及方法
- 本发明公开了一种在碳化硅基底上外延生长的冷阴极场发射材料及方法，这种垂直站立的石墨烯条带通过生长过程中的压力和温度来控制其密度和长宽比，通过延长生长时间来增加条带高度或长度。这种垂直站立的高长宽比的纳米石墨烯条带做为冷阴...
- 陈小龙黄青松王刚王文军王皖燕郭丽伟林菁菁贾玉萍李康彭同华
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