谭淞生
- 作品数：17 被引量：19H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：上海市科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学机械工程更多>>
- 传感器温度特性自动测试系统
- 1993年
- 利用准静态温度测量方法成功地研制了一套传感器温度特性自动测试系统。升、降温速率可在0.1～1℃/min范围内选择,用计算机对特性量进行快速测量,直接给出性能随温度变化的准连续曲线。本系统可同时对16只元件进行测量,测量精度为0.2‰以上。本文介绍了该系统的硬件结构和测试软件框图,并给出了本系统测量精度的实验结果。
- 王善鹤赵新安张熙谭淞生
- 关键词：温度特性开关传感器测试系统
- 硅红外滤光片的热处理工艺
- 一种旨在降低直拉硅单晶氧含量，提高硅红外滤光片透过率的硅片热处理工艺，其特征是将硅片在400-1000℃温度间的四段温区逐步升温并保温适当时间并在硅片冷却至850℃以下时取出，处理后的直拉硅单晶片在9μm处的透过率接近或...
- 谭淞生朱建生李月珍
- 文献传递
- 镍微齿轮的加工工艺初步研究
- 王效东谭淞生
- 关键词：齿轮生产工艺影响因素
- 重掺砷衬底氧本征吸杂能力的探讨
- 1989年
- 虽则集成电路级单晶衬底的氧本征吸杂工艺已作过广泛的探讨,重掺衬底的氧本征吸杂研究还仅是近年来才开始的.与体材料相比,采用P/P^+和n/n^+外延材料加工MOS电路有很多优点.自从得克萨斯仪器公司在81年首先成功地在工业上采用硅外延片加工64k RAM以来,MOS电路的衬底已开始从体单晶向外延片的过渡.同时,也激发了研究重掺衬底氧本征吸杂(IG)工艺的兴趣.本实验室通过对重掺砷衬底氧本征吸杂工艺的摸索,体内缺陷的观察,外延层上MOS C-t寿命以及二极管反向特性曲线的测定,以探讨高掺杂情况下,衬底硅材料的本征吸杂能力.
- 谭淞生朱德光王自筠
- 铝在硅中的固溶度
- 1990年
- 本工作通过对过去测定铝在硅中的固溶度的部分文章和数据较详细的分析,采用液相外延方法在温度区域700℃到1000℃之间,测得固溶度界于4×10^(18)～1.5×10^(19)atoms/cm^3,计算出相应的分凝系数,推得硅熔点1415℃的分凝系数为1.8×10^(-3),微分溶解热0.6eV。
- 王蔚国谭淞生
- 关键词：铝硅固溶度铝硅合金相图
- 含氮CZ-Si中N-N对的退火行为
- 1991年
- 我们发现含氮CZ-Si单晶中N-N对具有独特的等时退火行为,可划分成如下三个阶段:在400—600℃温区,N-N对的等时退火行为是不可逆的,而600—800℃温区是可逆的,大于800℃氮开始产生沉淀.我们还发现450℃预处理可加速在高温时氮的沉淀速率.本文对上述实验结果给予详细的讨论.
- 祁明维谭淞生朱斌蔡培新顾为芳许学敏施天生阙端麟李立本
- 关键词：退火
- 金属镍微型静电马达的初步研制被引量：3
- 1995年
- 设计了一种材料为金属镍的摆动式(WObble)微型静电马达,马达转子直径140μm,厚度8μm,外观总体尺寸1 mm×1 mm.此马达首先是在硅衬底上利用准LIGA技术电镀形成,然后利用RIE释放.文中给出了微型摆动式静电马达的设计思想和制作工艺,并对工艺及马达驱动中出现的一些问题进行讨论.
- 王添平王效东解健芳谭淞生王渭源
- 关键词：静电马达反应离子刻蚀镍
- 微齿轮加工工艺研究被引量：1
- 1993年
- 微机械加工技术是在IC平面工艺结合牺牲层腐蚀工艺基础上发展和形成的.在八十年代中应用了这种准三维加工技术,出现了尺寸在几十到几百微米的微型传感器.从而,传感器的性能和成品率得到提高,而成本下降.同时,为微电子机械集成奠定了一定的基础.尤其是1988年美国加里弗尼亚大学采用这种工艺成功地制成了直径仅为头发丝粗细的硅静电马达,从此得到了世界各国科学家的高度重视和大力发展.
- 赵新安苏毅张熙谭淞生王渭源
- 关键词：微齿轮微机械加工齿轮
- 亚毫米多晶硅微齿轮的初步研制被引量：1
- 1992年
- 自1989年美国加里弗尼亚大学报导采用IC技术首次成功地制作了微型静电电动机(转子直径为60μm和120μm)之后,以硅材料为主的微机械加工技术得到了世界各国科学家的高度重视和大力发展.微齿轮是微电动机的主要构件,通过它的研制。
- 苏毅赵新安谭淞生王渭源
- 关键词：齿轮多晶硅
- 含氮直拉硅中氧沉淀及伴生缺陷的特征
- 1990年
- 氧沉淀吸杂工艺的应用使直拉硅中氧的沉淀及伴生缺陷的形成及其微观结构成为热门的研究课题。氮因有钉扎位错,增加硅片强度的作用而引起重视,并在实际应用中收到了良好的效果,本工作用TEM和HREM研究了氮在直拉硅中沉淀相及其伴生缺陷的特征,并和不含氮的样品进行了对比。所用材料为N型无位错直拉硅单晶,含5.5×10^(17)cn^(-3)的氧和8.4×10^(15)cm^(-3)的氮,经过450℃64小时+750℃223小时+1050℃3小时三步退火处理。IR分析表明此时样品中53％的氧和100％的氮已消失,样品减薄到3μm后,用Ar^+减薄成电镜试样,在JEM-200cx上进行TEM和HREM观察。
- 吴晓初朱健施天生祁明维谭淞生褚一鸣
- 关键词：含氮直拉硅氧沉淀硅
