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董俊

作品数:5 被引量:7H指数:2
供职机构:昆明冶研新材料股份有限公司更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇多晶
  • 2篇电阻率
  • 2篇多晶硅
  • 2篇坩埚
  • 2篇
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶制备
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇载流子
  • 1篇直拉硅
  • 1篇生产管理
  • 1篇受主
  • 1篇逆变
  • 1篇逆变电源
  • 1篇污染
  • 1篇挥发
  • 1篇光伏
  • 1篇硅单晶
  • 1篇寒地

机构

  • 5篇昆明冶研新材...
  • 3篇昆明理工大学
  • 1篇云南冶金新能...

作者

  • 5篇董俊
  • 3篇史冰川
  • 2篇黄磊
  • 2篇亢若谷
  • 2篇李昆
  • 2篇邱建备
  • 1篇李文光
  • 1篇何永国
  • 1篇李光明
  • 1篇许江斌

传媒

  • 1篇低压电器
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇云南冶金
  • 1篇企业改革与管...
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
硅多晶质量检测分析中的磷检电阻率曲线研究
2015年
本文对几种典型的实测电阻率曲线进行分析,利用普凡公式和补偿后净载流子导电模型对曲线的异常进行了合理解释并用低温红外检测结果进行了对比验证。采用硼磷杂质浓度补偿净值方法计算出的数据接近实测情况,电阻率特性曲线符合普凡公式描述的规律,可作为理论特性曲线使用。
董俊史冰川何永国栾石林
关键词:电阻率
直拉硅单晶制备中来自于石英坩埚的受主杂质污染定量分析被引量:2
2016年
半导体硅单晶制备中一般要求掺入一定量的杂质以控制其电阻率。但是,由于坩埚受熔体侵蚀引入杂质污染,影响硅棒的实际电阻率,降低产品合格率。特别对于连续拉晶过程中,长时间的熔体侵蚀造成硅棒尾部杂质含量急剧升高。讨论了由于石英坩埚中受主杂质污染对硅单晶棒电学性能的影响,并对杂质渗入量进行了定量分析。结果表明,随着晶体生长时间的延长,石英坩埚的Ba涂层被破坏,杂质的渗入速率快速增加。试验中杂质总渗入量超过700μg。
李昆史冰川董俊黄磊亢若谷邱建备
关键词:硅单晶电阻率
质量管理原则在多晶硅生产管理中的运用
2015年
将质量管理的原则运用到生产管理之中,其内涵是以质量管理原则为指导,以生产数据为决策依据,查找分析生产管理中存在的问题,通过持续改进提升生产管控能力。文章对某多晶硅生产企业以质量管理原则在"还原炉产能提升"中的运用进行阐述。
许江斌董俊
基于SH79F082单片机的光伏控制-逆变电源设计研究被引量:1
2014年
针对高寒地区分布式用户光伏供电系统对逆变电源的特殊需求,阐述了光伏控制-逆变电源的结构及工作原理,以微处理器SH79F082单片机为核心,采用工频逆变技术,设计了一套光伏逆变电源。测试结果表明,逆变效率可达到80%以上,具有较高的安全性、可靠性、高负载能力及低输出波形畸变等,为满足高寒地区分布式光伏系统用户的实际需求提供了保障。
栾石林李光明李文光董俊褚衍成
关键词:高寒地区逆变电源
硅芯制备技术及对沉积多晶硅棒杂质的影响被引量:4
2016年
本文介绍了改良西门子法多晶硅生产中的硅芯制备技术,包括区熔法硅芯制备技术和切割法硅芯制备技术。简要介绍了两种硅芯制备技术的工艺流程,并对两种不同技术路线制备硅芯过程中的杂质分凝、挥发及坩埚污染进行了比较。根据分析结果,采用区熔硅芯能在一定程度上降低硅芯对硅棒的杂质贡献。
史冰川董俊李昆黄磊亢若谷邱建备
共1页<1>
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