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肖田

作品数：6 被引量：12H指数：2
供职机构：华东理工大学材料科学与工程学院更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 4篇电致发光
  • 4篇发光
  • 2篇无机EL
  • 2篇无机电致发光
  • 2篇显示器
  • 2篇显示器件
  • 1篇电性能
  • 1篇电压
  • 1篇电致发光薄膜
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇电致发光特性
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇平板显示
  • 1篇无机
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能

机构

  • 6篇华东理工大学

作者

  • 6篇肖田
  • 5篇陈国荣
  • 4篇杨云霞
  • 4篇林明通
  • 1篇陈晨曦
  • 1篇范云华

传媒

  • 3篇光电子技术
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇材料导报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2008
  • 5篇2006
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
无机EL显示器件用高性能介电层的研究被引量：2
2006年
用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3／Ta2O5复合介电层，获得在500Hz下介电常数为48～73，反映介电损耗的参数△Vy在0．06～0．15V之间，击穿场强为106～139MV／m，在0．05V／nm的电场下正、反向漏电流在10^-9～10^-7A／cm^2之间，品质因子（εrεoEb）大于5μc／cm^2。同时比较了SrTiO3／Ta2O5复合介电层和SrTiJO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能。把复合膜应用于以ZnS：Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4：Mn为发光材料的器件中，获得了适当的阈值电压和较高的亮度。
肖田林明通徐毅陈晨曦陈国荣杨云霞
关键词：无机ELSRTIO3薄膜
无机电致发光平板显示技术研究进展被引量：7
2006年
无机电致发光(EL)平板显示是一项有着广泛应用前景的自发光型平板显示技术。本文简单介绍了无机EL平板显示器的结构、原理和实现全彩色显示的方法,阐述了所使用的电极、介质和发光材料的作用、要求及研究现状,分析了存在的问题,并展望了其产业化的前景。
肖田林明通陈国荣杨云霞
关键词：无机电致发光介质材料发光材料
蓝色无机电致发光薄膜最新研究进展被引量：2
2006年
蓝光问题几十年来一直制约着无机EL显示器的全彩色化进程。制备高亮度、高效率、高色纯性和长寿命的蓝光薄膜是无机EL领域的重大研究课题之一。自1999年以来,以BaA l2S4∶Eu为代表的蓝光薄膜材料的研究获得突破性进展,使无机EL不能实现全彩色显示成为历史。回顾了近几年国内外在BaA l2S4∶Eu蓝光薄膜的成分优化、沉积方法、后续退火、防潮处理、氧含量控制、钝化层设计等方面的研究进展,分析了存在的问题及其在无机EL器件中的应用前景。
肖田林明通黄浩陈国荣
关键词：无机电致发光
非对称绝缘层无机EL显示器件的研究被引量：1
2006年
非对称绝缘层无机EL显示器件是一种新颖的器件结构。成功制备了一批ZnS：Mn器件，其下介质层为厚100-200nm的SrTiO3（ST）或Ba0．5Sr0．5TiO3（BST）或Ta2O5薄膜，上介质层为厚600～1100nm的Ta2O5或ST／Ta2O5或HfO2／Ta2O5／Al2O3薄膜。发现以ST／Ta2O5为上介质层的器件具有适当的阈值电压、较高的L50和较陡的L—V曲线，以HfO2／Ta2O5／Al2O3为上介质层的器件具有较高的可靠性。
肖田林明通陈国荣杨云霞徐毅陈晨曦楼均辉
关键词：薄膜电致发光器件
溅射工艺参数对BaAl2S4薄膜沉积速率、化学组成及电致发光特性的影响
2008年
BaAl2S4：Eu发光薄膜是最有希望实现彩色无机电致发光显示器的蓝色电致发光材料。用射频磁控溅射法制备了厚度在150~375nm之间的BaAl2S4：Eu薄膜,研究了溅射功率、Ar/H2S流量比和气压对其沉积速率和化学组成的影响,考察了不同退火条件下BaAl2S4：Eu薄膜的电致发光特性。并根据这些结果分析了较优的工艺条件。
范云华肖田林明通陈国荣杨云霞
关键词：射频磁控溅射沉积速率化学计量
沉积温度和退火处理对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3介电性能的影响
2006年
采用射频磁控溅射法在ITO／Coming1737玻璃基片上制备了用于无机EL绝缘层厚约700hm的Ba0.5-Sr0．5TiO3介电薄膜，研究了沉积温度和退火处理对薄膜介电性能的影响。实验表明，随着沉积温度的升高，薄膜的介电常数、介电损耗、正反向漏电流密度增加，击穿场强下降。对于在500℃下沉积的薄膜在550～700℃、1．8×10^-2Pa氧气氛中进行30min退火处理，结果发现在550℃和600℃下热处理介电损耗有所改善，其它参数都劣化；在650℃-700℃下热处理介电常数显著增加，其它性能都变差。
楼均辉林明通陈国荣杨云霞肖田陈晨曦
关键词：介电性能沉积温度退火处理
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