林明通
- 作品数：18 被引量：24H指数：3
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术理学更多>>
- 非对称绝缘层无机EL显示器件的研究被引量：1
- 2006年
- 非对称绝缘层无机EL显示器件是一种新颖的器件结构。成功制备了一批ZnS：Mn器件，其下介质层为厚100-200nm的SrTiO3（ST）或Ba0．5Sr0．5TiO3（BST）或Ta2O5薄膜，上介质层为厚600～1100nm的Ta2O5或ST／Ta2O5或HfO2／Ta2O5／Al2O3薄膜。发现以ST／Ta2O5为上介质层的器件具有适当的阈值电压、较高的L50和较陡的L—V曲线，以HfO2／Ta2O5／Al2O3为上介质层的器件具有较高的可靠性。
- 肖田林明通陈国荣杨云霞徐毅陈晨曦楼均辉
- 关键词：薄膜电致发光器件
- 无机EL显示技术研究和开发进展
- 2009年
- 无机电致发光平板显示是重要的平板显示技术之一。总结了最近几年国际上无机EL领域理论研究和产品开发方面的研究进展,分析了当前无机EL产业状况、国内外存在巨大技术差距以及国内一些单位在产业化方面的努力相继失败的原因,指出了无机EL领域一些重要的科学与技术问题,并提出自己的看法。
- 林明通
- 氧气含量对射频磁控溅射Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜介电性能的影响被引量：1
- 2006年
- 采用射频磁控溅射法在镀氧化铟锡的Corning1737玻璃基片上制备了用于无机电致发光显示器绝缘层的Ba0.5Sr0.5TiO3介电薄膜,该薄膜厚约400nm。研究了O2和Ar+O2的体积比V(O2)/V(Ar+O2)对薄膜沉积速率、结晶性和介电性能的影响。当V(O2)/V(Ar+O2)由0增加至0.5时,薄膜的结晶取向、介电常数、介电损耗、击穿场强和漏电流密度并没有明显的规律性可循。V(O2)/V(Ar+O2)为0.1时,薄膜的品质因子最好,其值为5μC/cm2。
- 林明通陈国荣杨云霞肖田陈晨曦
- 关键词：钛酸锶钡薄膜氧化铟锡介电性能射频磁控溅射氧气含量
- 无机EL显示器件用高性能介电层的研究被引量：2
- 2006年
- 用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3／Ta2O5复合介电层，获得在500Hz下介电常数为48～73，反映介电损耗的参数△Vy在0．06～0．15V之间，击穿场强为106～139MV／m，在0．05V／nm的电场下正、反向漏电流在10^-9～10^-7A／cm^2之间，品质因子（εrεoEb）大于5μc／cm^2。同时比较了SrTiO3／Ta2O5复合介电层和SrTiJO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能。把复合膜应用于以ZnS：Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4：Mn为发光材料的器件中，获得了适当的阈值电压和较高的亮度。
- 肖田林明通徐毅陈晨曦陈国荣杨云霞
- 关键词：无机ELSRTIO3薄膜
- 一种β-sialon的显微结构和蠕变行为被引量：1
- 2001年
- 研究了一种以Sm黄长石相固溶体 (M′)为晶界相的热压 β-sialon陶瓷在 12 5 0～ 135 0℃和大气下的四点弯曲蠕变行为 .蠕变速率对应力作图获得 12 5 0 ,130 0 ,135 0℃下的应力指数分别为 1.45 ,1.5 1,1.72 ,蠕变速率和温度之间的Arrhenius图给出了蠕变激活能为 5 76kJ·mol- 1 .显微结构观察表明仅在三晶界处发现了空洞 .
- 林明通蒋丹宇汪霖朱国强施剑林
- 关键词：Β-SIALON蠕变显微结构陶瓷力学性
- 空洞蠕变的理论模型被引量：2
- 2001年
- 综述了最近 30年文献上报道的适用于陶瓷材料的蠕变空洞成核、生长的理论模型 ,剖析了这些模型的成功和不足之处 。
- 林明通蒋丹宇朱国强施剑林
- 关键词：陶瓷材料成核
- 无机电致发光平板显示技术研究进展被引量：7
- 2006年
- 无机电致发光(EL)平板显示是一项有着广泛应用前景的自发光型平板显示技术。本文简单介绍了无机EL平板显示器的结构、原理和实现全彩色显示的方法,阐述了所使用的电极、介质和发光材料的作用、要求及研究现状,分析了存在的问题,并展望了其产业化的前景。
- 肖田林明通陈国荣杨云霞
- 关键词：无机电致发光介质材料发光材料
- Y-α-β Sialon复相陶瓷的显微结构和蠕变行为
- 2001年
- 研究了一种以ＹＡＧ为晶界相和理论初始α／β比率为６５／３５的Ｙ－α－β复相ｓｉａｌｏｎ在温度１２５０～１３５０℃和应力１１０～２９０ＭＰａ的四点弯曲蠕变行为，得出在１２５０、１３００、１３５０℃下的应力指数分别为１．３１、１．４９、１．６２，蠕变激活能为６７７ｋＪ.ｍｏｌ-1，显微结构观察表明几乎所有的空洞都位于多晶界，从而推断伴随着多晶界空洞形成的扩散－滑移耦联机制是蠕变的速率控制机制．Ｍｏｎｋｍａｎ－Ｇｒａｎｔ关系式得出的蠕变速率指数p值为１.６，蠕变断裂是由多三晶界空洞的成核、生长、聚结和连接引起的．
- 林明通蒋丹宇汪霖阮美玲施剑林
- 关键词：蠕变显微结构蠕变断裂蠕变变形
- 氧化锌基薄膜晶体管最新研究进展被引量：1
- 2008年
- ZnO基TFT被认为是最有可能取代当前大规模产业化的a-Si:H TFT的下一代MOSFET,在最近几年受到广泛的关注。简单介绍了ZnO基TFT的结构、原理、各层材料的作用、要求和制造方法以及可靠性研究,包括时间、温度和可见光或紫外光辐照以及偏压作用对器件特性的影响方面的最新进展,分析了实现产业化尚需克服的问题。
- 林明通余峰张志林
- 陶瓷高温蠕变寿命的估计被引量：3
- 1999年
- 简要介绍了现有文献中报道的适用于估计陶瓷材料高温蠕变寿命的几种主要模型，针对它们的缺点，提出了估计陶瓷高温蠕变寿命的新思路，从数学上推算了１ 期、２ 期、３ 期蠕变发生的时间，提出了完整的蠕变寿命计算方法，对改进陶瓷高温蠕变寿命的估计方法作了理论上的探讨．
- 林明通王连洲施剑林
- 关键词：陶瓷材料高温蠕变蠕变结构陶瓷
