罗晏
- 作品数：22 被引量：12H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 氢氧注入在GaAs器件中的应用被引量：1
- 1995年
- 从３个器件说明氢、氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ＋埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入隔离Ｐ＋－Ｎ－－Ｎ＋层的Ｎ－层，减小ＨＢＴ的ＢＣ结电容，以提高其高频特性；（３）用氢、氧注入制作平面结构的ＨＰＴ，以减小复合电流，提高光电增益。其中尤其强调了选择离子注入的能量、注量及退火温度。
- 韩卫罗晏朱红清司丽荣李国辉
- 关键词：氢氧离子注入砷化镓器件
- Mo离子注入硅和快速退火硅化钼的形成
- 1994年
- 用大束流密度的钼金属离子注入硅，由于原子间激烈碰撞和硅片的温升而得到了性能良好的硅化钼，实验中发现，当注量均为５×１０１７ｃｍ－２时，随束流密度的增加，硅化钼生长，其电阻率明显下降，当束流密度为０．５０Ａ·ｍ－２时，方块电阻Ｒ□最小，其值为９０Ω。Ｘ衍射分析表明，当束流密度为０．２５Ａ·ｍ－２注入时，硅化钼衍射峰很小，难于辨认。当用０．５０Ａ·ｍ－２注入时，３种结构的硅化钼明显出现。对０．２５Ａ·ｍ－２注入的样品退火实验表明，随退火温度的升高Ｒ□逐渐下降，经８００℃退火，Ｒ□突然下降至９．０Ω，最小值可达到４Ω。背散射分析表明，随束流密度的增大，注入到硅中的钼的总量增加，且钼硅原子比深度分布加宽。对于增加退火温度和增大束流密度所注入样品来说，Ｘ射线衍射测量结果有差别，这表明２种注入情况下硅化钼形成规律也存在某些差别．最后讨论形成这种差异的原因。
- 张通和吴瑜光梁宏钱卫东罗晏
- 关键词：钼离子硅离子注入硅化钼
- 扩展电阻分析对砷在硅中本征扩散系数的研究
- 1989年
- 本文扼要叙述了扩展电阻分析用以测量较低浓度砷的剖面的有效性,进而研究了较低浓度砷在硅中的扩散问题.由于通过快速热退火对样品进行预处理,排除了辐照损伤对扩散系数测定的影响,从而测得砷在硅中本来意义下,即替位扩散意义下的本征扩散系数.如所预期,这组数据比国外直至目前所测得的数据要低.浓度剖面的实验数据由非线性扩散方程的数值解进行拟合.结果表明:SUPREM III所采用的模型在较高浓度区扩散系数随浓度递增速率较小,Hu理论仍然和本实验(?)较符合.本文还求得了扣除辐照损伤增强扩散效应后,砷在硅中的激活能为4.
- 卢志恒罗晏王大椿
- 关键词：扩散扩展电阻
- SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为被引量：2
- 2001年
- 利用光致发光谱 (PL)和二次离子质谱 (SIMS)检测了不同退火条件下处理的 SIMOX材料的顶层硅膜 .实验结果显示 ,SIMOX顶层硅膜的 PL 谱有三个峰 :它们是能量为 1.10 e V的 a峰、能量为 0 .77e V的 b峰和能量为0 .75 e V的 c峰 .与 RBS谱相比 ,发现 a峰峰高及 b/ a峰值比是衡量顶层硅膜单晶完整性的标度 .谱峰 b起源于SIMOX材料顶层硅膜中残余氧 ,起施主作用 .SIMS测试结果显示 ,谱峰 c来源于 SIMOX材料顶层硅膜中的碳和氮 .
- 李映雪张兴黄如王阳元罗晏
- 关键词：光致发光谱SIMOX材料
- 瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理被引量：2
- 1990年
- 5×10^(16)cm^(-2)的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.As浓度分布在高密度缺陷区与单晶区交界处出现拐点.拐点深度随退火时间加长而变深.高密度缺陷扩展结果导致PN结漏电流增加.讨论了缺陷运动对PN结漏电流影响的机理.
- 张通和周生辉吴瑜光罗晏
- 关键词：离子注入退火PN结漏电
- 绝缘体上单晶硅(SOI)材料的制造方法
- 本发明公开了一种采用SIMOX技术制造SOI材料的方法。通过在传统的注氧隔离制造工艺中引入离子注入非晶化处理，使得非晶化区域内的各种原子在退火时产生很强的增强扩散效应，从而制造出顶部硅层中的穿通位错等晶体缺陷和二氧化硅埋...
- 卢志恒罗晏周宏余
- 文献传递
- 应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染
- 2003年
- 研究了采用感应耦合等离子体 原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX SOI材料过程中金属杂质污染的有效性 .同时研究了采用强酸清洗、加SiO2 膜覆盖等方法对降低污染程度的效果 .利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样 ,检测结果是一种整体的平均效果 .采用强流氧注入机进行高剂量氧注入 ,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染 ;6 0nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染 .
- 马芙蓉李雪春梁宏吴虎才李晓民陈如意罗晏卢志恒
- 关键词：SOI材料金属污染
- B离子在n（Si）－GaAs层中的化学补偿效应被引量：1
- 1996年
- Ｂ＋注入ｎ（Ｓｉ）－ＧａＡｓ层，经高温退火在ＧａＡｓ晶格恢复过程中，Ｂ将占据ＧａＡｓ晶格中一定位置成为替位Ｂ，当Ｂ取代Ａｓ位，则形成双受主ＢＡｓ．当Ｂ取代Ｇａ位，并形成络合物ＢＧａＶＡｓ，将促使Ｓｉ占Ａｓ位，形成受主ＳｉＡｓ和受主络合物ＢＧａＳｉＡｓ．由于所产生的受主与ｎ型层中施主ＳｉＧａ的补偿，减少了ｎ型层的载流子浓度，即Ｂ的化学补偿效应．本文采用霍耳测量及光致发光测量对Ｂ的补偿行为进行分析．
- 刘伊犁罗晏李国辉姬成周
- 关键词：GAAS
- 离子注入白光退火技术和浅结工艺的研究被引量：1
- 1987年
- 利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1～0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品退火后其载流子浓度分布出现双峰现象,进而提出了分析这种现象的增强扩散模型.还发现B+As双注入的样品经瞬态退火后消除了减速场.
- 张通和李国辉阎凤章罗晏吴瑜光王文勋
- 关键词：快速热退火浅结
- 在超高真空系统中对硅表面进行电子束退火的L_(23)VV Auger能谱精细结构分析
- 1993年
- 本文首先报道了在清洁的Si(100)表面观察到L_(23)VV的7条Auger精细谱线。经过短时间的电子束退火后又观察到能量为62.8eV和68.1eV两条谱线。前者可以用Si-O系统。L_(23)(Si)L_1(O)O_1(O)的交叉跃迁来解释;后者虽已有报道,但在解释上引起争议。本文根据实验认为它与C在Si表面的吸附有关。
- 卢志恒王大椿罗晏苏颖R.Pfandzelter
- 关键词：真空系统电子束能谱结构
