吴瑜光
- 作品数：61 被引量：134H指数：7
- 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院材料科学与工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- Mo离子注入钢退火过程中的相变研究被引量：2
- 2002年
- 着重研究了金属离子注入合成表面优化复合层的机理和纳米相镶嵌结构形成 ,探索了注入和退火过程中纳米结构和相变过程 ,讨论相变机制 .实验中发现用较低束流密度的Mo离子注入钢明显地改变了钢表面的结构 ,可使钢表面晶粒细化 ,使阻止位错移动的晶界数量增多 ;可在钢表面形成Mo原子超饱和固溶体 ;随所用的束流密度的增加 ,注入时表面温度升高 ,注入的Mo原子将与钢中的铁原子和碳原子化合而形成纳米尺寸的析出相 .这些弥散的析出相在钢表面形成了弥散强化 .用低束流密度注入后经过退火 ,在钢表面也形成了纳米尺寸的析出相 ,从而增加了表面弥散强化的效果 .随退火温度的增高 ,纳米析出相将会聚成大一些的纳米颗粒 ,颗粒之间互相连接而形成网状结构 。
- 张通和吴瑜光刘安东张旭崔平
- 关键词：退火过程相变过程相变机制
- MeV高能离子注入Si的研究被引量：2
- 1997年
- 综述了近年来低能核物理所开展ＭｅＶ高能离子注入Ｓｉ的研究概况．研究工作包括深注入掩埋层物理特性分析，新型增强退火研究，二次缺陷的抑制与消除，离子束缺陷工程新原理、新方法的建立和应用，注入杂质的叠加分布与计算等．
- 卢武星吴瑜光
- 关键词：硅离子注入
- 钒离子注入硅合成硅化钒薄层
- 2000年
- 用大束流密度的钒金属离子注入硅 ,能够直接合成性能良好的薄层硅化物 随束流密度的增加 ,硅化钒相生长 ,薄层硅化物的方块电阻RS 明显下降 ,当束流密度为 2 5 μA/cm2 时 ,Rs 达到最小值 2 2Ω/□ ,说明连续的硅化物已经形成。X衍射分析表明 ,注入层中形成了V3 Si、V5 Si3 、V3 Si5 和VSi2 四种硅化钒。经过退火后 ,Rs 明显地下降 ,Rs 最小可降到 9Ω/□ ,电阻率可小到 72 μΩm ,说明硅化钒薄层质量得到了进一步的改善 ,大束流密度注入和退火后 ,硅化钒相进一步生长。大束流密度注入和高温退火 ( 1 2 0 0℃ )仍然具有很低的薄层电阻率 ,这充分说明硅化钒具很好的热稳定性。透射电子微镜观察表明 ,连续硅化钒薄层厚度为 80nm。
- 张通和吴瑜光
- 关键词：离子注入硅化物集成电路
- 瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理被引量：1
- 1990年
- 5×10^(16)cm^(-2)的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.As浓度分布在高密度缺陷区与单晶区交界处出现拐点.拐点深度随退火时间加长而变深.高密度缺陷扩展结果导致PN结漏电流增加.讨论了缺陷运动对PN结漏电流影响的机理.
- 张通和周生辉吴瑜光罗晏
- 关键词：离子注入退火PN结漏电
- 双重离子注入钢表面钝化层的形成和抗腐蚀特性
- 2001年
- 利用金属离子与碳离子双注入可在金属表面形成陶瓷化的复合层 ,取得了抗腐蚀和抗磨损优良特性。研究了注入剂量和束流密度对这种复合层结构的影响 ,X射线分析结果表明 ,双注入可形成金属合金相和碳化物的钝化复合层。电化学测量和扫描电子显微镜观察表明 ,金属离子注入可明显地改善H1 3钢表面抗腐蚀特性 ,Mo+C和Ti+C双注入则比Mo和Ti单注入抗腐蚀和抗磨损效果好得多。碳和金属离子双注入顺序对腐蚀特性也有明显的影响 ,研究表明 ,先注入碳后注入金属效果更好。随束流密度的增大 ,改性效果增强。注入后退火可形成陶瓷化的复合层 ,抗腐蚀效果进一步得到提高。
- 张通和吴瑜光
- 关键词：抗腐蚀
- C和Mo多重离子注入H13钢的腐蚀性能被引量：11
- 2001年
- 研究了C +Mo +C注入结构和相变 ,用多重扫描电位法研究了其抗腐蚀特性 ,得出了抗腐蚀相生成的条件 ,以及这些相对抗腐蚀特性的作用 ,并对其改性机理进行了讨论 .实验结果表明 ,在C +Mo +C双注入H13钢中 ,可有效地提高H13钢的抗腐蚀性 ,并能提高点蚀电位 ,使之更耐点蚀 .三重注入生成了含Fe2 Mo ,FeMo合金相和MoC ,Fe5C3,Fe7C3,Mo和MoO等的表面钝化膜 .这种钝化膜的存在可提高H13钢的耐腐蚀性和抗点蚀特性 .其抗腐蚀和抗点蚀特性优于单注入和双注入 .这种多重注入最可贵之处在于既可提高钢表面的抗点蚀特性 。
- 张通和吴瑜光王晓妍
- 关键词：抗腐蚀特性抗点蚀电化学测量H13钢改性机理
- 钛离子注入硅薄层硅化物结构和特性被引量：1
- 1999年
- 用大束流密度的钛金属离子注入硅，能够直接合成性能良好的薄层硅化物，随束流密度的增加，硅化钛生长，薄层硅化物的薄层电阻（Ｒｓ） 明显下降，当束流密度（Ｊ）为０－７５Ａ／ｍ２ 时，Ｒｓ 达到最小值１６Ω／□，电阻率达到０－６４μΩ·ｍ 。经过１０５０ ℃快速退火２０ｓ 后，Ｒｓ 可下降到２－２Ω／ □，说明退火可进一步改善硅化钛的质量。扫描电子显微镜观察表明，枝状连续的硅化物已经形成。Ｘ衍射分析表明，注入层中形成了ＴｉＳｉ和ＴｉＳｉ２ 。背散射分析表明，其薄层厚度为８０ｎｍ 。利用ＭＥＶＶＡ金属离子注入，可获得直径达到Φ５００ｍ ｍ 注入斑点。
- 张通和吴瑜光
- 关键词：离子注入硅化物硅化钛钛硅
- C和W双注入H13钢的抗腐蚀机制研究
- 2003年
- 用多次扫描电位法研究了C和W双注入H13钢的抗腐蚀特性,用扫描电子显微镜(SEM)对改性机理进行了分析,还讨论了抗腐蚀增强机理。实验结果表明,经过30周期腐蚀后,H13钢表面出现了严重的腐蚀现象,表面上的腐蚀坑形状和排列具有晶态特征。C和W双注入H13钢经过50周期腐蚀后,发现表面仅出现了很轻微的腐蚀现象。当注量较低时,表面出现了小而浅的腐蚀坑,腐蚀坑的形状和排列没有出现晶态特征,说明抗腐蚀钝化层为非晶态结构,这种结构具有良好的抗腐蚀特性;当注量较大时,经过长达88周期腐蚀后,表面仍未出现腐蚀坑,说明抗腐蚀特性得到了进一步的提高。
- 张通和吴瑜光刘安东张旭王晓妍
- 关键词：H13钢
- 离子束材料改性应用中的新进展被引量：4
- 1998年
- 着重分析了离子注入提高离子束加工效益的途径，离子束工业生产发展现状和未来离子束技术在国民经济中的重要作用。
- 张通和吴瑜光
- 关键词：金属材料
- 掠角沟道和背散射分析钇离子注入硅合成硅化钇的结构被引量：2
- 1995年
- Ｙ离子注入硅得到特性优良的硅化钇薄层。采用高深度分辨率的掠角背散射和掠角沟道技术分析了注入层结构．结果发现注入层是具有不同晶格畸变密度的三层结构：表面层为１００－１２０ｎｍ厚的连续多晶硅化钇，对于注入束流密度为２５、５０μＡ／ｃｍ２的晶格畸变密度分别为２５％和５２％；中间层是高密度的缺陷区；底层是１２０ｎｍ厚的低密度晶格畸变区，其晶格畸变率从１８％下降至５％。用掠角沟道和掠角背散射都能得到Ｙ与硅原子比深度分布，这对于Ｙ离子注入硅合成钇的硅化物种类提供了重要信息．
- 张通和吴瑜光
