石强
- 作品数：9 被引量：4H指数：2
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- 相关领域：化学工程一般工业技术更多>>
- 碳纤维基底上SiC纳米线的制备及生长机理
- 以聚丙烯腈碳纤维为碳源和基底,在1550℃下,采用热蒸发硅粉的方法制备了直径约200nm、长度为几十微米、纯度较高的β-SiC纳米线。研究表明,小直径碳纤维作为碳源可为SiC纳米线生长提供较充足的生长空间,有利于提高Si...
- 石强陈建军
- 关键词：碳化硅纳米线碳纤维
- 文献传递
- 一种以四氯化硅为硅源制备超长SiC纳米线的方法
- 本发明公开了以四氯化硅为硅源制备超长SiC纳米线的方法。本发明以四氯化硅、碳质材料粉体、水或碱性溶液为原料，在碳质材料粉体的表面生成原硅酸，高温下原硅酸分解获得二氧化硅与碳质材料粉体的均匀混合物。将混合物放入石墨坩埚中，...
- 陈建军石强高林辉
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- 一种制备高产量SiC纳米线的方法
- 本发明公开了一种制备高产量SiC纳米线的方法，本发明步骤为：以质量百分比为36.8％～95.2％的工业硅粉或二氧化硅粉和质量百分比为4.8％～63.2％的工业可膨胀石墨为原材料进行机械混合，装入石墨坩埚并置于高温气氛炉内...
- 陈建军石强辛利鹏朱小燕刘仁娟
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- 一种以四氯化硅为硅源制备超长SiC纳米线的方法
- 本发明公开了以四氯化硅为硅源制备超长SiC纳米线的方法。本发明以四氯化硅、碳质材料粉体、水或碱性溶液为原料，在碳质材料粉体的表面生成原硅酸，高温下原硅酸分解获得二氧化硅与碳质材料粉体的均匀混合物。将混合物放入石墨坩埚中，...
- 陈建军石强高林辉
- 一种制备高产量SiC纳米线的方法
- 本发明公开了一种制备高产量SiC纳米线的方法，本发明步骤为：以质量百分比为36.8％～95.2％的工业硅粉或二氧化硅粉和质量百分比为4.8％～63.2％的工业可膨胀石墨为原材料进行机械混合，装入石墨坩埚并置于高温气氛炉内...
- 陈建军石强辛利鹏朱小燕刘仁娟
- 碳化硅纳米晶须的制备及热稳定性研究被引量：2
- 2011年
- 以石墨粉和硅粉为原料,在1 550℃下,采用碳热还原法制得碳化硅纳米晶须。X射线衍射（XRD）和场发射扫描电镜（FE-SEM）表明,产物主要由3C-SiC纳米晶须和颗粒组成,晶须直径为100~150 nm,长度为5~15μm。在空气气氛中的热重分析（TGA）实验显示,温度高于400℃时,产物质量逐渐增加,温度至800℃时质量增加了约1%,增重现象为SiC纳米晶须的氧化所致。产物经1 100℃氧化后的XRD表明,SiC被部分氧化生成了无定形二氧化硅。空气气氛中,产物在700、9001、100℃的热稳定性实验表明,在1 100℃时,SiC纳米晶须形貌发生了较大变化,其表面出现熔融并粘连在一起。高温下的氧化反应是导致晶须形貌变化的主要原因。
- 石强陈建军刘羿君
- 关键词：碳化硅纳米晶须形貌热稳定性
- 一维碳化硅纳米材料的制备、表征及性能研究
- 碳化硅(SiC)半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热稳定性好、热导率和饱和电子漂移速度大等特点,使其在高温、高频、强辐射、大功率等条件下具有良好的性能。而一维SiC纳米材料由于独特的形貌和结构特征,使其具有一些奇特的...
- 石强
- 关键词：一维纳米材料碳化硅碳热还原光致发光热稳定性
- 碳纤维基底上SiC纳米线的制备及生长机理
- 以聚丙烯腈碳纤维为碳源和基底,在1550℃下,采用热蒸发硅粉的方法制备了直径约200nm、长度为几十微米、纯度较高的β-SiC纳米线.研究表明,小直径碳纤维作为碳源可为SiC纳米线生长提供较充足的生长空间,有利于提高Si...
- 石强陈建军
- 关键词：碳化硅纳米线聚丙烯腈碳纤维
- 文献传递
- 一种分级结构SiC纳米线的制备方法
- 本发明公开了一种分级结构SiC纳米线的制备方法。包括以下步骤：SiC前驱体混合凝胶的配制；将混合凝胶干燥并研磨成粉状；将干凝胶粉放入石墨坩埚中，置于高温气氛炉内，抽真空并充氩气作为保护气；高温气氛炉升温，然后保温烧结；随...
- 陈建军石强刘仁娟朱小燕辛利鹏
- 文献传递
