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辛利鹏

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 3篇石墨坩埚
  • 3篇坩埚
  • 3篇SIC纳米线
  • 2篇压强
  • 2篇氩气
  • 2篇可膨胀
  • 1篇一维纳米
  • 1篇一维纳米结构
  • 1篇有害气体
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶凝胶
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳热还原
  • 1篇热还原
  • 1篇胶凝
  • 1篇光催化
  • 1篇光催化性
  • 1篇光催化性质

机构

  • 4篇浙江理工大学

作者

  • 4篇辛利鹏
  • 3篇朱小燕
  • 3篇陈建军
  • 3篇石强
  • 3篇刘仁娟

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种制备高产量SiC纳米线的方法
本发明公开了一种制备高产量SiC纳米线的方法，本发明步骤为：以质量百分比为36.8％～95.2％的工业硅粉或二氧化硅粉和质量百分比为4.8％～63.2％的工业可膨胀石墨为原材料进行机械混合，装入石墨坩埚并置于高温气氛炉内...
陈建军石强辛利鹏朱小燕刘仁娟
一种制备高产量SiC纳米线的方法
本发明公开了一种制备高产量SiC纳米线的方法，本发明步骤为：以质量百分比为36.8％～95.2％的工业硅粉或二氧化硅粉和质量百分比为4.8％～63.2％的工业可膨胀石墨为原材料进行机械混合，装入石墨坩埚并置于高温气氛炉内...
陈建军石强辛利鹏朱小燕刘仁娟
文献传递
碳化硅一维纳米结构的制备与性能研究
一维碳化硅(1D-SiC)纳米材料,作为第三代宽禁带半导体材料,以其宽带隙、高热导率、高击穿电场、高电子迁移速率、高硬度、强的抗氧化及化学稳定性等特性在电子、纳米光电器件、纳米复合材料、超疏水器件等领域有着广泛的应用前景...
辛利鹏
关键词：纳米线光催化性质
一种分级结构SiC纳米线的制备方法
本发明公开了一种分级结构SiC纳米线的制备方法。包括以下步骤：SiC前驱体混合凝胶的配制；将混合凝胶干燥并研磨成粉状；将干凝胶粉放入石墨坩埚中，置于高温气氛炉内，抽真空并充氩气作为保护气；高温气氛炉升温，然后保温烧结；随...
陈建军石强刘仁娟朱小燕辛利鹏
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