洪雁
- 作品数：9 被引量：7H指数：2
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程理学金属学及工艺更多>>
- 1～3μm短波红外光导探测器阳极氧化工艺的研究
- 2004年
- 简要介绍了通过阳极氧化工艺条件的改变,确定 1～3 μm 短波红外光导探测器阳极氧化的最佳工艺条件,从而改善了器件性能,大大提高了产品成品率。
- 洪雁赵鹏郑丽娟何丹裘萍
- 关键词：短波阳极氧化工艺光导红外光探测器
- 一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具
- 本发明公开了一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具。该抛光夹具为圆柱形，包括置片块和配重块；置片块和配重块用螺纹连接，置片块上表面中心位置设置有作为片槽的凹陷区域，该区域的四周设置有弧形槽；凹陷区域为正四边形，其四条边中...
- 宋林伟孔金丞王静宇洪雁赵增林马震宇雷晓红木迎春杨洪文姬荣斌
- 文献传递
- 一种低应力的各向同性有机物填充的装置及方法
- 本发明涉及一种新的低应力的各向同性有机物填充的装置及方法，属于探测器微细加工技术领域。该方法在热释电陶瓷网格化后的沟槽内，通过化学气相沉积的工艺，填充聚对二甲苯（Parylene）。通过控制沉积温度、腔体压力、时间等参数...
- 杨春丽胡旭魏虹李玉英王向前洪雁
- 文献传递
- 一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具
- 本发明公开了一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具。该抛光夹具为圆柱形，包括置片块和配重块；置片块和配重块用螺纹连接，置片块上表面中心位置设置有作为片槽的凹陷区域，该区域的四周设置有弧形槽；凹陷区域为正四边形，其四条边中...
- 宋林伟孔金丞王静宇洪雁赵增林马震宇雷晓红木迎春杨洪文姬荣斌
- 体晶ZnO光导探测器制备与测试被引量：3
- 2007年
- 在体单晶ZnO的Zn面和O面通过直流溅射金属薄膜,并采用剥离电极成型方法制备梳妆电极,从而制备出体晶ZnO紫外光导探测器。对Pt/ZnO/Pt的伏安特性测试研究表明,金属Pt和ZnO形成很好的欧姆接触,而Zn面的器件电阻明显低于O面的器件电阻。对制成的紫外探测器的光电性能测试表明,器件制备极性面的选择,测试的调制频率、偏置电压对器件的性能有较大影响,最终器件的电流响应率达到14.6A/W。
- 赵鹏周旭昌洪雁唐利斌彭曼泽
- 关键词：欧姆接触
- HgCdTe晶片研磨和抛光表面的扫描电镜观察被引量：4
- 1999年
- 采用扫描电子显微镜分别观察了用不同研磨机研磨、抛光及其经溴-乙醇腐蚀的ＨｇＣｄＴｅ体单晶片的表面二次电子衬度像．观察表明，研磨造成的晶片表面可见损伤，经机械和溴-乙醇化学抛光后将减少和去除。然而，化学抛光却造成个别表面凹陷和凸出，这些凹凸可能是溴-乙醇对表层夹杂物和基质的腐蚀速度不同所致。
- 康俊勇黄启圣王家库洪雁
- 关键词：扫描电镜研磨抛光
- 一种低应力的各向同性有机物填充的装置及方法
- 本发明涉及一种新的低应力的各向同性有机物填充的装置及方法，属于探测器微细加工技术领域。该方法在热释电陶瓷网格化后的沟槽内，通过化学气相沉积的工艺，填充聚对二甲苯（Parylene）。通过控制沉积温度、腔体压力、时间等参数...
- 杨春丽胡旭魏虹李玉英王向前洪雁
- 文献传递
- 液相外延长波碲镉汞薄膜化学机械抛光工艺研究
- 2018年
- 基于碲镉汞液相外延材料表面固有的宏观缺陷,采用化学机械抛光(CMP)方法对材料表面进行抛光平坦化,利用光学显微镜、白光干涉仪、激光共聚焦显微镜等分析方法对化学机械抛光前、后的材料表面进行分析表征。研究结果表明,化学机械抛光工艺能有效去除外延材料表面固有的竖纹、花纹、斜纹等宏观缺陷,同时可明显改善外延材料表面平整度及粗糙度,0.5 mm×0.5 mm范围内薄膜表面平整度值降低到20 nm以下,粗糙度值降低到4 nm以下,提高了碲镉汞外延材料表面质量。化学机械抛光后的长波材料经标准器件工艺制备出的焦平面器件可达到较好长波器件水平。
- 王静宇宋林伟孔金丞吴军洪雁张阳李东升
- 关键词：液相外延
- 一种化学抛光夹具
- 本发明公开了一种化学抛光夹具，该夹具整体呈圆柱形，在其圆柱的顶部的圆形面上设置有矩形凹槽、预留取片口、环形凹槽和棒形凹槽；矩形凹槽设置在所述顶部的圆形面的中心区域，呈矩形，用于放置待抛光的晶片或薄膜；在矩形凹槽的四个角上...
- 刘燕洪雁彭凝陈洪富赵才健彭振仙邓声玉马震宇岳义开徐浩储德亮
- 文献传递
