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洪炜

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学交通运输工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇SI衬底
  • 2篇GAN
  • 2篇衬底
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇淀积
  • 1篇失配
  • 1篇退火
  • 1篇气相淀积
  • 1篇热退火
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇快速热退火
  • 1篇化学气相淀积
  • 1篇光电
  • 1篇光电集成
  • 1篇硅衬底
  • 1篇P型
  • 1篇P型GAN

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇赵浙
  • 3篇倪贤锋
  • 3篇叶志镇
  • 3篇洪炜
  • 3篇唐海平
  • 3篇朱丽萍
  • 2篇赵炳辉

传媒

  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2005
  • 2篇2004
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Si衬底上MOCVD生长GaN的研究
运用高温AlN缓冲层在Si(111)衬底上得到了高度取向的纤锌矿结构GaN.SEM测试微裂纹密度较低,裂纹间距在100ìm以上.x射线衍射的(0002)面ω摇摆曲线半高宽(FWHM)为560arcsec.用拉曼光谱表征样...
唐海平叶志镇朱丽萍赵炳辉洪炜倪贤锋赵浙
关键词：金属有机物化学气相淀积氮化镓
文献传递
硅衬底GaN基LED研究进展被引量：4
2005年
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si 基器件成为一个研究热点。然而,GaN 与 Si 之间的热失配容易引起薄膜开裂,这是限制 LED 及其它电子器件结构生长的一个关键问题。近年来,随着工艺的发展,GaN 晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在Si 衬底上制造出 LED。介绍了 GaN 薄膜开裂问题及近期硅衬底 GaN 基 LED 的研究进展。
洪炜朱丽萍叶志镇唐海平倪贤锋赵浙
关键词：硅衬底光电集成GAN薄膜SI衬底失配
快速热退火对p型GaN电学性质的影响
利用MOCVD方法Si(111)衬底上成功生长出高质量的p-GaN,经原位退火和快速热退火(RTA)处理后,宽穴浓度达到7.84×10<'18>cm<'-13>,迁移率5.54cm<'2>/Vs,电阻率0.144Ωcm<...
洪炜朱丽萍叶志镇唐海平赵浙倪贤锋赵炳辉
关键词：快速热退火GAN电学性质MOCVD
文献传递
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