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汪炼成

作品数：26 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 19篇发光
  • 16篇氮化镓
  • 16篇二极管
  • 16篇发光二极管
  • 10篇蓝宝
  • 10篇蓝宝石
  • 7篇电极
  • 7篇金属
  • 6篇金属电极
  • 5篇多量子阱
  • 5篇衬底
  • 4篇对准标记
  • 4篇有源
  • 4篇栅极调制
  • 4篇正装
  • 4篇外延片
  • 4篇光刻
  • 4篇光刻胶
  • 4篇GAN基发光...
  • 3篇空穴

机构

  • 26篇中国科学院

作者

  • 26篇王国宏
  • 26篇伊晓燕
  • 26篇汪炼成
  • 20篇刘志强
  • 18篇郭恩卿
  • 5篇李晋闽
  • 4篇孙波
  • 4篇马骏
  • 4篇张逸韵
  • 2篇王莉
  • 2篇詹腾
  • 2篇谢海忠
  • 1篇李璟
  • 1篇杨华

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 11篇2012
  • 10篇2011
  • 1篇2010
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法
一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层；步骤2：在氮化镓LED层上采用电镀或键合的方法制作一转移衬底；步骤3：减薄转移衬底，然后抛光；步骤...
汪炼成郭恩卿刘志强伊晓燕王国宏
应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管
一种应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管，包括：一衬底；一下金属电极，其制作于衬底上；一载流子注入层，其形成于金属电极上；一发光层，其制作在载流子注入层上；一石墨烯薄膜，其制作在发光层上；一上金属电极，其制...
马骏汪炼成张逸韵伊晓燕王国宏
文献传递
氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法
一种氮化镓基垂直结构发光二极管芯片桥联电极制备方法，包括：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀，形成第一台面；在第一台面上的外延层的四周制作侧壁绝缘薄膜，该侧...
郭恩卿刘志强汪炼成伊晓燕王莉王国宏
文献传递
栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法
一种栅极调制正装结构GaN基发光二极管结构，包括：一蓝宝石衬底；一n型GaN层，该n型GaN层制作在蓝宝石衬底上，该n型GaN层上面的一侧形成有一台面，该台面的深度小于n型GaN层的厚度；一多量子阱有源层，该多量子阱有源...
刘志强郭恩卿伊晓燕汪炼成王国宏李晋闽
自支撑氮化镓衬底的制作方法
本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长一层薄膜层；步骤3：在薄膜层上生长一层纳米薄膜，得到一基片；步骤4：对基片进行退火，退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒，...
孙波伊晓燕刘志强汪炼成郭恩卿王国宏
应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管
一种应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管，包括：一衬底；一载流子注入层，其制作在衬底上；一发光层，其制作在载流子注入层上面的一侧，宽度小于载流子注入层的宽度，使载流子注入层形成一台面；一石墨烯薄膜，其制作在发光层上...
马骏汪炼成张逸韵伊晓燕王国宏
文献传递
制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法
一种制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层上依次生长的n型氮化镓层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上沉积PS球层；沉积SiO<Sub>2</Sub>层...
程滟汪炼成刘志强伊晓燕王国宏
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晶圆级LED管芯整体集成封装装置
本发明提供一种晶圆级LED管芯整体集成封装装置，包括：一模具，包括下模具和上模具，该下模具的表面开有模穴，该上模具内为一真空腔室，其下面开有多个吸气孔；一真空泵，其通过管路与上模具内的真空腔室连接。本发明具有批量化、产业...
谢海忠汪炼成张逸韵杨华李璟伊晓燕王国宏李晋闽
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栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法
一种栅极调制正装结构GaN基发光二极管结构，包括：一蓝宝石衬底；一n型GaN层，该n型GaN层制作在蓝宝石衬底上，该n型GaN层上面的一侧形成有一台面，该台面的深度小于n型GaN层的厚度；一多量子阱有源层，该多量子阱有源...
刘志强郭恩卿伊晓燕汪炼成王国宏李晋闽
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自支撑氮化镓衬底的制作方法
本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长一层薄膜层；步骤3：在薄膜层上生长一层纳米薄膜，得到一基片；步骤4：对基片进行退火，退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒，...
孙波伊晓燕刘志强汪炼成郭恩卿王国宏
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