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郭恩卿

作品数：33 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 20篇发光
  • 18篇氮化镓
  • 17篇二极管
  • 16篇发光二极管
  • 11篇蓝宝
  • 11篇蓝宝石
  • 6篇电极
  • 6篇衬底
  • 5篇电镀
  • 5篇多量子阱
  • 5篇有源
  • 5篇光刻
  • 5篇光刻胶
  • 4篇对准标记
  • 4篇栅极调制
  • 4篇阻挡层
  • 4篇外延片
  • 4篇半导体
  • 4篇GAN基发光...
  • 3篇电镀方法

机构

  • 33篇中国科学院

作者

  • 33篇郭恩卿
  • 29篇伊晓燕
  • 25篇刘志强
  • 24篇王国宏
  • 18篇汪炼成
  • 17篇李晋闽
  • 11篇王军喜
  • 4篇孙波
  • 3篇王莉
  • 3篇王良臣
  • 3篇詹腾
  • 3篇马平
  • 3篇谢海忠
  • 2篇刘硕
  • 2篇甄爱功
  • 2篇田迎冬
  • 2篇张勇辉
  • 1篇樊晶美
  • 1篇纪攀峰
  • 1篇陈宇

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 7篇2014
  • 1篇2013
  • 7篇2012
  • 10篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法
一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层；步骤2：在氮化镓LED层上采用电镀或键合的方法制作一转移衬底；步骤3：减薄转移衬底，然后抛光；步骤...
汪炼成郭恩卿刘志强伊晓燕王国宏
一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法
本发明公开了一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法，该方法包括：取在蓝宝石衬底上生长了氮化镓薄膜的外延片；在氮化镓薄膜的表面沉积过渡层；在过渡层表面制作转移衬底；以及采用步进扫描方式的长条形激光光斑扫描照射整个抛光过...
郭恩卿伊晓燕刘志强王国宏王军喜李晋闽
文献传递
半导体发光器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件，包括：第二电极；第一掺杂类型的第一半导体层，与第二电极电性连接；有源层，形成于第一半导体层上；第二掺杂类型的第二半导体层，形成于有源层上；第一掺杂类型的第一简...
郭恩卿伊晓燕王国宏刘志强
文献传递
栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法
一种栅极调制正装结构GaN基发光二极管结构，包括：一蓝宝石衬底；一n型GaN层，该n型GaN层制作在蓝宝石衬底上，该n型GaN层上面的一侧形成有一台面，该台面的深度小于n型GaN层的厚度；一多量子阱有源层，该多量子阱有源...
刘志强郭恩卿伊晓燕汪炼成王国宏李晋闽
自支撑氮化镓衬底的制作方法
本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长一层薄膜层；步骤3：在薄膜层上生长一层纳米薄膜，得到一基片；步骤4：对基片进行退火，退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒，...
孙波伊晓燕刘志强汪炼成郭恩卿王国宏
一种微LED器件阵列单元的制作方法
本发明公开了一种微LED器件阵列单元的制作方法以及利用微LED器件阵列单元制造显示屏的方法。该微LED器件阵列单元的制作方法，包括：制作微LED台面阵列；在每个微LED台面上分别制作p、n电极，并在p、n电极上覆盖阻挡层...
郭恩卿伊晓燕刘志强王良臣王军喜李晋闽
文献传递
GaN基薄膜芯片的制造方法
一种GaN基薄膜芯片的制造方法，包括：1)在一蓝宝石衬底上生长外延层，该外延层包括N型层、活性层和P型层；2)在外延层上制作反射层；3)在反射层上涂覆第一树脂层；4)在第一树脂层上粘合第一临时基板，并固化；5)对蓝宝石衬...
刘硕郭恩卿伊晓燕王军喜李晋闽
栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法
一种栅极调制正装结构GaN基发光二极管结构，包括：一蓝宝石衬底；一n型GaN层，该n型GaN层制作在蓝宝石衬底上，该n型GaN层上面的一侧形成有一台面，该台面的深度小于n型GaN层的厚度；一多量子阱有源层，该多量子阱有源...
刘志强郭恩卿伊晓燕汪炼成王国宏李晋闽
文献传递
自支撑氮化镓衬底的制作方法
本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长一层薄膜层；步骤3：在薄膜层上生长一层纳米薄膜，得到一基片；步骤4：对基片进行退火，退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒，...
孙波伊晓燕刘志强汪炼成郭恩卿王国宏
文献传递
晶圆级垂直结构发光二极管封装的方法
一种晶圆级垂直结构发光二极管封装的方法，包括：步骤1：在绝缘的衬底上通过光刻，电子束蒸发方法制作图形金属电极；步骤2：在绝缘衬底上的金属电极的位置植金球，该金球为间隔设置，将已划裂分选的芯片焊接在植金球的金属电极的位置；...
汪炼成郭恩卿谢海忠伊晓燕王国宏
文献传递
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