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武晓杰

作品数：7 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金：中国科学院“百人计划”国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇掺杂
  • 3篇导体
  • 3篇稀磁半导体
  • 3篇半导体
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇铁掺杂
  • 2篇羰基
  • 2篇羰基铁
  • 2篇硫化
  • 2篇硫化镉
  • 2篇金属有机化学...
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇溅射
  • 2篇光学
  • 2篇沉积温度
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电阻
  • 1篇氧化物陶瓷

机构

  • 7篇中国科学院长...

作者

  • 7篇武晓杰
  • 6篇申德振
  • 4篇范希武
  • 4篇张吉英
  • 4篇张振中
  • 4篇李炳辉
  • 3篇刘可为
  • 3篇李炳生
  • 2篇吕有明
  • 2篇姚斌
  • 2篇姜明明
  • 2篇王双鹏
  • 2篇赵东旭

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 3篇2008
  • 2篇2007
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法
本发明公开了一种采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，属于磁控溅射法制备薄膜技术领域。解决了现有技术中采用金属靶制备金属氧化物薄膜的制备成本高、溅射不均匀，采用氧化物陶瓷靶制备氧化物薄膜时，沉积速率低的技术问题。本发明...
张振中申德振武晓杰王双鹏姜明明李炳辉
文献传递
Fe掺杂对CdS光学特性的影响被引量：4
2008年
采用低压金属有机化学气相沉积技术，在固定源流量的条件下，通过调节衬底温度（270～360℃）生长了不同Fe掺杂浓度的CdS薄膜。光谱测量表明低铁掺杂对CdS晶格振动的影响较小，但对光致发光性质影响较为明显。样品的光致发光谱包括两部分：2．5eV附近带-带跃迁的发光以及2．0～2．4eV之间与缺陷相关的发光。随着铁含量的增加，带-带跃迁逐渐被抑制，发光光谱被缺陷相关的发光主导，同时薄膜的电导也由n型转为p型，说明Fe离子掺入在薄膜引入了受主杂质。通过不同激发密度下的光致发光光谱测量，我们将2．0～2．4eV的发光归结为铁受主相关的D—A对发射，并根据掺杂浓度和发光峰位置估算了Fe受主的能级位置。
武晓杰张吉英张振中申德振刘可为李炳辉吕有明李炳生赵东旭姚斌范希武
Fe基自旋材料CdFeS和FeSe的生长及特性研究
半导体自旋电子学是当前信息科学领域的重要分支，自旋材料及器件在磁存储及量子计算等领域已经展现出广阔的应用前景。自旋器件以电子的自旋作为信息载体，与传统的磁器件和微电子器件相比，具有更强的功能，更高的速度，更少的功耗和更高...
武晓杰
关键词：半导体自旋电子学稀磁半导体MOCVDFESE隧穿磁电阻
磷扩散掺杂的ZnO微米柱的光学性质
宽禁带半导体 ZnO 已成为光电子领域新的研究热点。其高达60 meV 的激子结合能保证了 ZnO 基材料在室温下的高效率激子发光,也为其室温低阈值受激发射提供了可能。因此,越来越多的人们投入到 ZnO 基发光和激光器件...
张振中姚斌吕有明武晓杰李炳辉张吉英赵东旭申德振范希武
文献传递
采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法
本发明公开了一种采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，属于磁控溅射法制备薄膜技术领域。解决了现有技术中采用金属靶制备金属氧化物薄膜的制备成本高、溅射不均匀，采用氧化物陶瓷靶制备氧化物薄膜时，沉积速率低的技术问题。本发明...
张振中申德振武晓杰王双鹏姜明明李炳辉
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一种铁掺杂硫化镉稀磁半导体外延薄膜的制备方法
本发明涉及采用低压-金属有机化学气相沉积设备外延生长稀磁半导体合金薄膜的方法。首先选择晶格匹配较好的半导体衬底并进行清洗和600-650℃热处理。采用的反应源为：二甲基镉(DMCd)，五羰基铁Fe(CO)<Sub>5</...
武晓杰张吉英刘可为申德振范希武李炳生
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一种铁掺杂硫化镉稀磁半导体外延薄膜的制备方法
本发明涉及采用低压－金属有机化学气相沉积设备外延生长稀磁半导体合金薄膜的方法。首先选择晶格匹配较好的半导体衬底并进行清洗和600－650℃热处理。采用的反应源为：二甲基镉(DMCd)，五羰基铁Fe(CO)<Sub> 5<...
武晓杰张吉英刘可为申德振范希武李炳生
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