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梁萌

作品数：46 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：广州市科技计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 40篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇氮化镓
  • 12篇发光
  • 11篇二极管
  • 9篇氮化
  • 9篇发光二极管
  • 7篇氮化物
  • 7篇化物
  • 6篇多量子阱
  • 6篇石墨
  • 6篇石墨烯
  • 6篇激光
  • 5篇外延片
  • 5篇芯片
  • 5篇金属
  • 5篇成核
  • 4篇电流扩展
  • 4篇晶格
  • 4篇激光剥离
  • 4篇LED
  • 4篇衬底

机构

  • 46篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 2篇鹤壁市大华实...
  • 1篇京东方科技集...

作者

  • 46篇梁萌
  • 33篇李晋闽
  • 33篇王军喜
  • 32篇伊晓燕
  • 27篇刘志强
  • 16篇王国宏
  • 8篇李志聪
  • 8篇李璟
  • 7篇王兵
  • 7篇李鸿渐
  • 7篇李盼盼
  • 6篇姚然
  • 6篇张逸韵
  • 5篇王莉
  • 5篇魏同波
  • 5篇杨华
  • 5篇范曼宁
  • 4篇刘娜
  • 4篇孔庆峰
  • 4篇孙雪娇

传媒

  • 2篇照明工程学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 7篇2022
  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2014
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 46 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法
一种倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上依次外延生长低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和氮化镓帽层，形成外延片；浸泡、清洗；在台面和氮化镓帽层上制作金属...
纪攀峰谢海忠梁萌马平张韵王军喜李晋闽
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发光二极管的外延结构及其制备方法
本发明公开了一种发光二极管的外延结构及其制备方法，其中，发光二极管的外延结构包括：衬底；上述衬底上设置氮化物成核层；上述氮化物成核层上设置氮化物层；上述氮化物层上设置N型氮化物层；上述N型氮化物层上设置多量子阱层；上述多...
刘志强任芳梁萌伊晓燕王军喜李晋闽
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LED平面光源研究
化合物半导体材料和工艺的发展，使半导体发光器件的发光波长从可见光向红外和紫外拓展，其发光效率也超过了传统的白炽灯和荧光灯，应用领域从信号指示、信息显示、景观照明、生物、医疗等特殊照明进入通用照明。发光二极管在小尺寸液晶显...
梁萌
在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法
一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上...
梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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AlGaInP/Si的键合研究
键合技术是大失配异质材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一.本文以金锡(AuSn)合金作为粘合介质,实现了AlGaInP/Si的异质键合.在室温下键合样品的I-V特性表明AuSn合金对载流子通过界面没...
郭德博梁萌范曼宁刘志强王良臣王国宏
关键词：ALGAINPI-V特性键合技术
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基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法，该芯片包括：绝缘衬底；石墨烯层，生长于绝缘衬底上；纳米柱LED，间隔生长在所述石墨烯层上，所述纳米柱LED自衬底至上包括：n‑GaN层、多量子阱发光层和p‑Ga...
刘志强任芳张硕尹越王蕴玉梁萌伊晓燕袁国栋王军喜李晋闽
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抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法
一种抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上沉积SiO<Sub>2</Sub>层并制作图形；在图形上制作一单层微纳米球，形成基片；将基片加热，使得微纳米球坍...
刘娜孙雪娇孔庆峰梁萌王莉魏同波刘志强伊晓燕王军喜李晋闽
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氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法
一种氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法，其中氮化镓基发光器件，包括：一透明衬底；一第一半导体层，一有源层和一第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反；一P型接触层，位于空穴为多数载流子的第一半导体层...
郭金霞王良臣梁萌王莉黄亚军伊晓燕刘志强
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抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法
一种抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上沉积SiO<Sub>2</Sub>层并制作图形；在图形上制作一单层微纳米球，形成基片；将基片加热，使得微纳米球坍...
刘娜孙雪娇孔庆峰梁萌王莉魏同波刘志强伊晓燕王军喜李晋闽
一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法
一种非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法，该氮化物薄膜结构包括：一非晶衬底；一石墨烯缓冲层；一纳米结构支撑层；一氮化物薄膜。该非晶衬底的氮化物薄膜结构的制备方法包括：提供一非晶衬底；将石墨烯转移到非晶衬底上；利用化学气相...
伊晓燕王蕴玉刘志强梁萌王兵任芳尹越王军喜李晋闽
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