杨洪宝
- 作品数：40 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学交通运输工程更多>>
- 一种出光角度可控的Micro-LED显示器件结构
- 一种出光角度可控的Micro‑LED显示器件结构，它包括像素结构，其特征是所述的像素结构包括LED垂直芯片阵列和LED倒装芯片阵列，单颗LED像素的尺寸为30μm~50μm，通过LED芯片阵列上的组合反射镜设计以及器件封...
- 王璐陈建军杨洪宝李晓剑郑国兵王进樊卫华
- 透射式硅基液晶微显示器研制被引量：1
- 2015年
- 设计并研制了一种单色透射式硅基液晶微显示器,详细论述了透射式硅基液晶微显示器的整个研制工艺流程。为实现透射式结构,驱动背板芯片采用SOI CMOS工艺设计并且流片;使用两次键合的工艺完成了驱动背板芯片硅外延层的剥离和转移,掌握了实现透明背板的关键技术;以此透明背板为驱动基板完成了SXGA单色透射式硅基液晶微显示器的研制。
- 杨洪宝杨洪宝李超陈仁军刘凯丽陈仁军王绪丰杨淼
- 关键词：微显示器
- 新型Al/Mo底电极的顶发射有机发光二极管性能研究
- 2014年
- 提出了一种新型底电极结构,使用铝钼双层薄膜作为顶发射有机发光二极管的底电极。同时分别从底电极结构、顶电极结构、空穴注入以及出射光谱等方面对器件性能进行分析和优化,最终得到的器件电流效率达到6Cd/A以上,比优化前的器件效率提高了5倍以上,加强了对TEOLED器件的性能影响因素的理解。同时也比Mo作为底电极时的器件性能实现了提高,展示了此电极结构在顶发射OLED中的应用潜力,为下一步在硅基OLED显示器件中的应用打下基础。
- 杨建兵杨斌杨洪宝刘忠安曹允樊卫华王绪丰
- 关键词：有机发光二极管
- 带有IC器件的透明硅基基板的制作方法
- 一种带有IC器件的透明硅基基板的制作方法，它通过将硅上集成电路部分制作在绝缘硅片上面，然后用光学胶将绝缘硅片与透明基板粘接起来，通过机械减薄和化学蚀刻的方法将衬底硅去除掉，实现硅基基板的透明化，并在二氧化硅层上面打孔，将...
- 杨洪宝余雷洪乙又樊卫华铁斌王绪丰
- 一种Micro-LED制备方法
- 本发明公开了一种Micro‑LED制备方法，其特征在于：采用局部高温氧化与重离子注入的组合工艺，具体步骤依次为耐高温掩膜的制备、非像素区域局部高温氧化、离子注入硬掩膜的制备和重离子的大剂量注入。本发明采用选区高温氧化的方...
- 王璐陈建军樊卫华宋德宇杨洪宝
- 微缩化LED显示技术的发展及应用被引量：4
- 2022年
- 介绍了微缩化发光二极管(LED)显示技术的特点及典型应用,分析了微缩化LED显示的关键技术及其解决方案,从技术层面汇总了国内外关于微缩化LED显示的研究进展,并对微缩化LED显示技术进行了总结和展望,特别提出了针对军用领域,应以Micro-LED显示器件的实用性及可靠性为目标,加强驱动架构设计和电路控制技术,优化器件散热能力,解决显示器件的夜视兼容、EMC性能等特种技术问题。
- 宋德宇方颖璐王璐王璐李晓剑杨洪宝
- 负显蓝膜STN产品的性能改善被引量：2
- 2010年
- 通过对负显蓝膜超扭曲向列型(STN)产品对比度差、字体不白等不良缺陷进行分析,提出采用高扭曲角、高陡度的液晶材料可以提高产品的对比度,采用单体透过率高的偏光片可以改善字体不白的缺陷,提高这类负显产品的光电性能。
- 杨洪宝昌永龙荆建新潘书山
- 关键词：对比度
- 一种磁辅助激光图案化Micro-LED巨量转移方法
- 本发明公开了一种磁辅助激光图案化Micro‑LED巨量转移方法，步骤：将Micro‑LED芯片阵列与转移基板粘结；将转移基板置于显示基板上方，将显示基板置于磁场上方，并使Micro‑LED芯片阵列的电极与显示基板的电极对...
- 杜正婷王进杨洪宝胡亮李晓剑刘凯丽王璐赵红伟张伟陈建军樊卫华
- 文献传递
- 一种Micro-LED制备方法
- 本发明公开了一种Micro‑LED制备方法，其特征在于：采用局部高温氧化与重离子注入的组合工艺，具体步骤依次为耐高温掩膜的制备、非像素区域局部高温氧化、离子注入硬掩膜的制备和重离子的大剂量注入。本发明采用选区高温氧化的方...
- 王璐陈建军樊卫华宋德宇杨洪宝
- 文献传递
- 有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极及制作方法
- 一种有源矩阵式有机发光显示器中的反射阳极的结构和制作方法，其特征是所述的阳极电极包括两层金属薄膜，第一层金属为铝，厚度为100nm～700nm，第二层金属为氮化钛，厚度为5nm～20nm。两层金属薄膜通过中间隔离层形成相...
- 杨建兵杨淼杨洪宝曹允樊卫华王绪丰
- 文献传递
