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李贺
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15
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国电子科技集团公司
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相关领域:
电子电信
机械工程
医药卫生
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合作作者
王英民
中国电子科技集团公司
李艳兰
中国电子科技集团公司第四十七研...
王健
中国电子科技集团公司
张超
中国电子科技集团公司
孙强
中国电子科技集团公司
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一种在GaAs衬底上生长GaInP薄膜的方法
本发明公开了一种在GaAs衬底上生长GaInP薄膜的方法。一、将具有2‑4º偏角的2英寸GaAs衬底清洗腐蚀;二、以金属Ga和金属In作为反应源,将Ga舟、In舟和衬底装炉并抽真空后通入H<Sub>2</Sub>,去除衬...
程文涛
王健
孙强
张嵩
张超
董增印
李贺
文献传递
一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置及使用方法
本发明涉及一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置及使用方法。在基座的侧面中部设置一圈凸台,在基片槽的外围对称设置四个导气孔;下保护套上端的大直径圆环与基座的下部配合设置在凸台的下方,下端小圆环的内孔是进气孔,下保护套与...
王再恩
王双
孙科伟
董增印
李贺
程文涛
张嵩
卤化物气相外延法生长外延厚膜的方法及生长固定装置
一种卤化物气相外延法生长外延厚膜的方法及生长固定装置,预处理过程:将固定装置和基台紧扣在一起,装入生长炉内;抽炉内气压;向炉内充入气相外延生长载气,高温生长氮化物多晶,使氮化物多晶包覆衬在底固定装置上;生长结束后自然降温...
王再恩
王英民
程红娟
王双
孙科伟
张嵩
董增印
李贺
浅谈LED显示屏分类及简单维修方法
简单介绍 LED 电子显示屏的分类、工作原理、维修方法。
李贺
关键词:
发光二级管
文献传递
助熔剂法生长氮化镓过程中抑制活性金属被氧化的方法
本发明涉及一种助熔剂法生长氮化镓过程中抑制活性金属被氧化的方法,包括以下步骤:第一步:将氮化镓籽晶置于坩埚底部;第二步:将装有氮化镓籽晶的坩埚放入充有氮气或者氩气保护气的手套箱中;第三步:在充有保护气的手套箱中将活性金属...
董增印
张嵩
王英民
程红娟
孙科伟
王再恩
李贺
王双
一种采用卤化物气相外延法生长氧化镓外延层的方法
本发明提供了一种采用卤化物气相外延法生长氧化镓外延层的方法,本方法利用蓝宝石、GaN和β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>单晶三种晶片作为衬底,采用卤化物气相外延法外延生长Ga<Sub>2</Sub...
李贺
赖占平
董增印
程文涛
张嵩
文献传递
一种氧气辅助氢气微刻蚀氧化镓衬底的预处理方法
本发明公开了一种氧气辅助氢气微刻蚀氧化镓衬底的预处理方法。该预处理方法包括两种:一种是针对n‑低阻型的氧化镓衬底进行预处理,另一种是针对半绝缘型的氧化镓衬底进行预处理。在高温条件下,向反应腔室内通入氢气,氢气能够将氧化镓...
李贺
张力江
赖占平
王英民
程红娟
张嵩
董增印
李佳起
浅析一般压力表、压力真空表和真空表检定依据的新旧规程对比
被引量:1
2014年
简述检定一般压力表时,依据JJG52-2013《弹性元件式一般压力表、压力真空表和真空表》与JJG52-1999《弹簧管式一般压力表、压力真空表和真空表》检定规程的对比。
李贺
关键词:
检定规程
压力表
一种氧气辅助氢气微刻蚀氧化镓衬底的预处理方法
本发明公开了一种氧气辅助氢气微刻蚀氧化镓衬底的预处理方法。该预处理方法包括两种:一种是针对n‑低阻型的氧化镓衬底进行预处理,另一种是针对半绝缘型的氧化镓衬底进行预处理。在高温条件下,向反应腔室内通入氢气,氢气能够将氧化镓...
李贺
张力江
赖占平
王英民
程红娟
张嵩
董增印
李佳起
一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置及使用方法
本发明涉及一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置及使用方法。在基座的侧面中部设置一圈凸台,在基片槽的外围对称设置四个导气孔;下保护套上端的大直径圆环与基座的下部配合设置在凸台的下方,下端小圆环的内孔是进气孔,下保护套与...
王再恩
王双
孙科伟
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