李玉东
- 作品数：21 被引量：2H指数：1
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaAs/InP材料的外延技术研究
- 1993年
- 李玉东王本忠王如峰刘式墉苏士昌
- 关键词：砷化镓衬底
- 低阈值的三段复合腔GaAlAs/GaAs单模激光器
- 1991年
- 本文介绍的低阈值三段复合腔GaAlAs/GaAs激光器,其最低CW阈值电流为18mA,具有稳定的单模性,外微分量子效率为50～80％,线性功率可达30mW以上。在5℃温度范围内保持单纵模工作不变,最高CW激射温度为117℃。
- 李玉东朱东海刘式墉苏士昌张淑芝
- 关键词：半导体激光器复合腔激光器
- InGaAsP及其量子阱结构的LP－MOCVD
- 1994年
- 报道了用低压金属有机化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓＰ体材料及ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ）／ＩｎＧａＡｓＰ（１．６μｍ）量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了５５０℃和５８０℃两个生长温度下Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ体材料及相应量子阱结构的特性，表明在５８０℃生长条件下，晶体具有更好的质量和特性。
- 胡朝晖胡礼中李玉东
- 关键词：多量子阱光致发光INGAASP
- 半绝缘InP（Fe）的低温氯化物VPE生长
- 1995年
- 介绍了一种半绝缘ＩｎＰ（Ｆｅ）的低温氯化物气相外延（ＶＰＥ）生长方法，生长温度为５５０℃，可为金属有机气相淀积的量子阱结构二次外延半绝缘ＩｎＰ（Ｆｅ）盖层。４０μｍ层厚时电阻率超过５×１０８Ωｃｍ，临界击穿电压达到１０Ｖ以上。用这种方法制备的激光器阈值电流达８０ｍＡ，较平板式的降低３倍，远场图样平行和垂直结平面方向光功率曲线对称性良好，远场发散角，器件测试得到较好光谱。目前尚未见到其它类似报道。
- 孙洪波李玉东陈松岩胡礼中刘式墉
- 关键词：氯化物磷化铟量子阱结构
- 超高频38.5GHz半导体碰撞锁模皮秒光脉冲的产生
- 1996年
- 半导体超短光脉冲在长波长时分复用光纤通讯,超快数据处理,电光采样系统具有广泛应.常用的半导体短光脉冲产生方式有:增益开关技术、Q开关技术、锁模技术等.无论从理论上还是实践上,重复频率最高,宽度最窄的脉冲都是由锁模技术得到的.通过使用集成技术可以克服扩展腔结构中常见的机械稳定性不好,光路不易调整.而且存在复腔效应等缺点.在碰撞锁模激光器中,由于碰撞锁模效应和可饱和吸收体的吸收作用,脉冲前沿被吸收,后沿被光腔中的瞬间光栅散射,脉冲宽度得到大幅度削减.我们利用集成技术制备了1.5μm波长InGaAsP 碰撞脉冲锁模量子阱(CPM-QW)激光器(LD),测量得到脉宽5.1ps.
- 孙洪波胡礼中李玉东刘式墉
- 关键词：半导体超短光脉冲锁模
- GaAs/InP异质外延材料的光致发光研究
- 1993年
- 首次对MOCVD-LPE混合外延生长的GaAs/InP材料进行了光致发光测量及分析。结果显示出混合生长的GaAs发光强度明显高于MOCVD一次外延生长的GaAs的发光强度,并确认在16K温度下GaAs和InP有跃迁激子产生。观测到GaAs/InP样品近带边光致发光谱的半峰宽为8.4meV,显示了这种材料的高质量。
- 李玉东王本忠王如峰刘式墉苏士昌
- 关键词：光致发光砷化镓磷化铟
- 低阈值大功率半导体激光器的研制
- 1990年
- 近几年来,针对光盘的信息处理、激光印刷和长距离通信等实际应用的需要,稳定的单模大功率半导体激光器的研究取得了很大进展.对于GaAlAs/GaAs激光器,限制输出功率增加的主要原因之一是腔面的光学灾变损伤,利用扩大近场束斑尺寸来减少腔面的光子流密度或使腔面变成对光不吸收的透明区都是提高功率输出的重要途径。
- 李玉东朱东海刘式墉苏士昌张淑芝
- 关键词：激光器半导体阈值
- 1．55μm InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长
- 1994年
- 本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。
- 祝进田李玉东胡礼中陈松岩胡朝辉刘式墉
- 关键词：激光器化学汽相沉积
- 多量子阱结构的MOVPE生长
- 1997年
- 利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质量分析，Ｘ射线双晶衍射表明界面起伏为一个原子层厚度。
- 陈松岩陈龙海黄美纯刘宝林洪火国李玉东王本忠刘式墉
- 关键词：多量子阱气相沉积MOVPE光电器件
- 1．52μmInGaAsP／InP分别限制量子阱激光器
- 1995年
- 报导了在６００℃生长温度下以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机气相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术生长出的高质量１．６０μｍ和１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ材料，以及在其分别限制量子讲结构生长的情况下，用质子轰击方法制得的条形结构量子阱激光器。该激光器在室温下直流阈值电流为１００ｍＡ。
- 陈松岩李玉东刘式墉张玉贤
- 关键词：阈值电流激光器
