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李宝军

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：兰州大学更多>>
发文基金：甘肃省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇欧姆接触
  • 3篇GAP
  • 3篇P-
  • 1篇冶金
  • 1篇质谱
  • 1篇质谱法
  • 1篇基底
  • 1篇俄歇电子谱法
  • 1篇SIMS分析
  • 1篇XPS分析
  • 1篇钯
  • 1篇AES
  • 1篇E层
  • 1篇GA
  • 1篇LP

机构

  • 4篇兰州大学

作者

  • 4篇李宝军
  • 3篇张福甲
  • 1篇王德明

传媒

  • 1篇发光学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇1994
  • 3篇1993
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
GaP-LPE层生长机理的分析
李宝军
p-GaP与Au/Zn/AuSb的欧姆接触被引量：2
1993年
用 SEM,AES 和 XRD 研究了 Au/Zn/AuSb 多层金属结构与 p-GaP 在525℃合金化4min 后,它们所形成的金属一半导体层的基本特性。当 GaP 的 p 型层空穴浓度是5×1.0^(18)cm^(-3)时,测量出它的比接触电阻是4×10^(-4)Ω·cm^(-2)。它比 AuZn 合金所形成的比接触电阻降低了一个数量级,从而形成了良好的金属-半导体欧姆接触。
张福甲王德明李宝军
关键词：欧姆接触
钯为基底的p－GaP低阻欧姆接触层的XPS分析
1994年
对钯为基底的多层金属膜Ｐｄ／ｚｎ／Ｐｄ与ｐ型ＧａＰ形成的低阻欧姆接触层的表面及界面进行了Ｘ光电子能谱（ｘｐｓ）的分析，由此给出该接触体系表面及界面处的各用分元素、电子结合状态、化学位移情况，同时也分析、讨论了接触层的冶金性质。
张福甲李宝军
关键词：钯欧姆接触
全文增补中
GaP低阻欧姆接触层的AES和SIMS分析
1993年
本文用AES和SIMS分析讨论了p-GaP与三层金属膜Pd/Zn/Pd形成良好欧姆接触层的性质.
张福甲李宝军卓肇龙
关键词：欧姆接触俄歇电子谱法质谱法
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