张福甲
- 作品数：110 被引量：209H指数：8
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程核科学技术更多>>
- 窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究
- 2006年
- 通过改变温度和磁场方向对调制掺杂的n型Hg0·82Cd0·16Mn0·02Te/Hg0·3Cd0·7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡进行了深入的研究,发现不仅温度的变化能够引起磁阻拍频节点位置的变化.而且改变磁场方向,可以分别调整塞曼分裂和朗道分裂.从对拍频的分析中,可以将依赖于磁场垂直方向的朗道能级分裂和依赖于整个磁场大小的塞曼分裂区分开来.
- 朱博桂永胜周文政商丽燕仇志军郭少令张福甲褚君浩
- 关键词：拍频
- 有机/无机光探测器的研制及性能的测试分析
- 本文报道了有机半导体材料PTCDA在Si表面形成同型异质结制成的光电探测器原理;并将这种器件的光电性能与光电二极管PD和雪崩光电二极管APD的性能进行了全面对比研究,结果表明这种有机/无机光探测器的性能高于PD和APD,...
- 张福甲冯煜东
- 关键词：半导体材料光电探测器光电二极管
- 文献传递
- PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析被引量：6
- 2006年
- 利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能发生化学位移;C O键中O原子的结合能为531.5 eV,C—O—C键中的O原子的结合能为533.4 eV。
- 欧谷平宋珍桂文明张福甲
- GaP(Zn,O)红色LED发光效率退化机理研究
- 1992年
- 本文用深能级瞬态谱(PLTS)方法,研究了GaP(Zn, O)红色LED在电致发光效率退化期间最近邻(Zn_(Ga), O_p)离子对的分离和深能级变化情况,分析讨论了发光效率退化的原因。
- 张福甲王德明
- 关键词：磷化镓发光二极管发光效率
- 有机电致发光材料8-羟基喹啉铝的结构表征被引量：31
- 2003年
- 叙述了制备高纯度有机电致发光材料 8 羟基喹啉铝 (Alq3 )的方法 ;通过X射线衍射谱、核磁共振谱、红外吸收光谱、质谱、X射线光电子发射谱及荧光光谱测试分析 ,对Alq3 的结构和特性进行了表征。标定了Alq3中喹啉环的存在 ;分析了Alq3 中各个H原子的归属、Alq3 分子内部金属离子和配位体之间的相互作用以及该螯合物的分子构型。进一步证实Alq3 分子中Al—O键为共价键而非离子键。通过X射线衍射谱分析了样品的化学成分 ;由X射线光电子发射谱分析了Alq3 分子中的电子状态和晶体特性。得到了Alq3 的荷质比为45 9 1以及由于金属Al本身的特性 ,使得在Alq3 中Alq+ 2 继续裂解为Alq+ 的几率很小。证实了Alq3 的荧光发射光谱位于 5 10nm处 (绿光范围 ) ,光激发位于喹啉环上而不是金属铝离子。与镓、铟螯合物相比 ,Alq3 中铝离子成键共价性弱 ,极化力较强。
- 李海蓉张福甲郑代顺
- 关键词：有机电致发光材料8-羟基喹啉铝ALQ3有机电致发光器件
- 短周期超晶格AlP/GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁
- 1997年
- 介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率。
- 张福甲王德明孟雄晖刘凤敏甘润今
- 关键词：光跃迁半导体超晶格
- 完全禁带二维光子晶体的研究被引量：2
- 2004年
- 利用平面波展开法,对存在完全禁带的正三角排列的气柱型二维光子晶体和蜂窝状排列的介质柱型二维光子晶体进行了研究,分析了柱的半径和介质折射率对完全禁带大小的影响,结果表明,正三角排列气柱型比蜂窝状排列介质柱型具有更大的最大带隙率,而且最大带隙率还可以通过介质折射率的改变来优化;蜂窝状排列介质柱型二维光子晶体最容易加工的结构刚好适合常见材料硅或砷化镓,具有更大的实用价值。
- 张磊张晓玉姚汉民杜春雷张福甲
- 关键词：光子晶体二维光子晶体平面波展开法
- 苝四甲酸二酐的真空升华提纯及其光谱测试与分析被引量：4
- 2015年
- 纯度为9.75%的有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA),在其升华点进行了真空升华提纯,其纯度可达99.9%。利用质谱、红外光谱及X光电子能谱对这种高纯材料进行了测试并详细分析了其分子结构、化学键的形成、原子在晶格平衡位置的振动模式、电子的组态和原子的结合能的变化。由红外光谱分析得出,苝四甲酸二酐的分子结构是中央5个C构所组成的苝核基团及位于苝核两端的两个酸酐组成,它们主要以共价键结合。晶格上的C原子在其平衡位置主要以伸缩振动为主。其分子中有大量可以自由移动的π电子;分子间离域大π键的交叠决定了苝四甲酸二酐的导电性能。由XPS谱分析得出,高纯度的苝四甲酸二酐中有结合能不同的两种C原子,结合能分别为:285.3和288.7eV。它们对应于苝环及酸酐上的C原子。另外,有两种类型的O原子,即CO和C—O—C,其结合能分别为531.3和533.1eV。
- 张旭张杰闫兆文周星宇张福甲
- 关键词：质谱红外光谱X光电子能谱结合能
- p型GaP与Pd/Zn/Pd欧姆接触的冶金性质及界面特性被引量：1
- 1993年
- 用扫描电镜、X射线衍射谱、能量色散谱及Ar^+离子溅射刻蚀的各元素的俄歇剖面分布,对Pd为基底的P型GaP的欧姆接触层的性质进行了研究。从而揭示了这种金属──半导体接触层形成良好欧姆电极的表面形貌、相变反应、界面状态及各冶金成份在界面层中的变化规律。
- 张福甲彭军
- 关键词：化合物半导体GAP欧姆接触
- 32位高速动态CMOS超前进位加法器的研究
- 2005年
- 针对TSPC、NSTSPC、ANT等动态电路所存在的缺点,本文介绍了一种新型的动态电路结构-DPANL,即双通路N逻辑动态电路。本文首先对TSPC、NSTSPC和ANT三种电路存在的缺点进行了分析,然后重点分析了DPANL动态电路的工作原理及其优势。并采用DPANL和ANT两种动态电路实现了32位超前进位结构的加法器,Nanosim的仿真结果表明,采用DPANL电路实现的加法器具有速度快、功耗小的特点。
- 周冬生黄令仪张福甲
- 关键词：超前进位加法器动态电路
