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李娜

作品数：4 被引量：16H指数：2
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇探测器
  • 3篇红外
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 2篇砷化镓
  • 2篇量子阱红外探...
  • 2篇GAAS/A...
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  • 2篇GAAS/A...
  • 2篇GAAS量子...
  • 1篇多量子阱
  • 1篇异质结
  • 1篇质子注入
  • 1篇特性分析
  • 1篇退火
  • 1篇能级
  • 1篇能级结构
  • 1篇模特性
  • 1篇快速退火
  • 1篇XGA

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 4篇李宁
  • 4篇陆卫
  • 4篇李娜
  • 4篇沈学础
  • 3篇窦红飞
  • 3篇袁先漳
  • 2篇黄绮
  • 2篇周均铭
  • 1篇李志峰
  • 1篇金莉
  • 1篇金莉
  • 1篇刘兴权
  • 1篇李国正
  • 1篇刘恩科
  • 1篇刘京郊
  • 1篇李宏伟
  • 1篇李宏伟
  • 1篇李志锋

传媒

  • 3篇红外与毫米波...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1998
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
GeSi/Si多量子阱光波导模特性分析和吸收层结构设计被引量：1
1998年
根据普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阱光波导的模场分布函数和模特征方程，分析了在以ＧｅＳｉ／Ｓｉ多量子阱为波导芯、Ｓｉ为覆盖层的光波导结构中．Ｇｅ含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播常数的影响．并结合吸收特点对ＭＱＷ吸收层结构进行优化设计．
李娜李宁陆卫沈学础李国正刘恩科
关键词：GESI/SI多量子阱模特性
质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的影响被引量：4
2000年
利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5×1015cm-2、快速退火条件为950℃、30s时,峰值探测波长移动2μm.
李娜陆卫李宁刘兴权袁先漳窦红飞沈学础FU LanTan H HC JagadishM B JohnstonM Gal
关键词：质子注入快速退火量子阱红外探测器
GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱能级结构设计与光谱分析被引量：10
2000年
通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计 ,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱 (PL)与计算结果进行比较 .说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系 .欲使量子阱红外探测器的响应峰值在 8μm附近 ,则需量子阱结构中阱宽为 4 7nm ,垒中Al含量为 0 2 9.理论计算与测试结果符合得较好 .
李娜袁先漳李宁陆卫李志峰窦红飞沈学础金莉李宏伟周均铭黄绮
关键词：砷化镓能级结构红外探测器
GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器特性非对称性分析被引量：1
2001年
在分子束外延生长量子阱材料过程中 ,分析了在不同的 Ga As/ Al Ga As异质结生长次序中 Ga的解吸附速率不同和量子阱中掺杂的扩散造成量子阱结构的不对称 ,讨论了 Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器的性能参数相对于正负偏压的不对称性 ,并与金属有机化合物汽相沉淀法生长的量子阱材料和相应器件进行了比较 .发现 。
李娜李宁陆卫袁先漳李志锋窦红飞刘京郊沈学础金莉李宏伟周均铭黄绮
关键词：量子阱红外探测器砷化镓铝异质结GAAS/ALGAAS
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