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袁先漳

作品数:19 被引量:39H指数:4
供职机构:温州大学物理与电子信息学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇机械工程

主题

  • 7篇红外
  • 7篇GAAS/A...
  • 5篇砷化镓
  • 5篇探测器
  • 5篇红外探测
  • 5篇红外探测器
  • 5篇GAAS/A...
  • 5篇GAAS量子...
  • 3篇量子阱红外探...
  • 3篇光谱
  • 3篇半导体
  • 3篇GAAS/A...
  • 3篇GAAS
  • 2篇端面抽运
  • 2篇荧光谱
  • 2篇能级
  • 2篇激光
  • 2篇光荧光
  • 2篇光荧光谱
  • 2篇YAG

机构

  • 16篇中国科学院
  • 4篇温州师范学院
  • 3篇温州大学
  • 2篇青岛海泰光电...
  • 1篇复旦大学
  • 1篇华东师范大学

作者

  • 19篇袁先漳
  • 14篇陆卫
  • 11篇沈学础
  • 10篇李宁
  • 4篇缪中林
  • 4篇李志锋
  • 3篇黄绮
  • 3篇周均铭
  • 3篇史国良
  • 3篇徐文兰
  • 3篇朱德彰
  • 3篇窦红飞
  • 3篇陈平平
  • 3篇刘平
  • 3篇蔡炜颖
  • 3篇李娜
  • 3篇李娜
  • 3篇陈昌明
  • 3篇李明乾
  • 2篇李志峰

传媒

  • 6篇物理学报
  • 4篇红外与毫米波...
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇光子学报
  • 1篇激光与红外
  • 1篇温州师范学院...
  • 1篇压电与声光
  • 1篇第五届全国分...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2007
  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 6篇2001
  • 4篇2000
  • 2篇1999
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究
2001年
用分子束外延系统生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元 ,没有经过快速热退火过程 ,在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱 ,发现子带间跃迁能量最大变化范围接近 10 0 me V。
缪中林陆卫陈平平李志锋刘平袁先漳蔡炜颖徐文兰沈学础陈昌明朱德彰胡均李明乾
关键词:光荧光谱GAASALGAAS
光电导光谱在半导体及其微结构研究中的若干应用
2003年
在简要介绍半导体光电导现象的基本分类和实验测量方法的基础上,结合作者的工作领 域,具体介绍了光电导光谱在半导体及其微结构研究中的若干应用.
袁先漳
关键词:半导体微结构
GaAs中Be受主的光热电离光谱研究被引量:1
2000年
应用光热电离光谱方法研究了 MBE生长 Ga As薄膜中 Be受主的杂质能级 .通过与理论计算的比较 ,将观测到的 3个跃迁峰归属于 G线、C线和 D线跃迁 ,同时在实验上也观察到 Be受主 1s3/ 2 (Γ+ 8)态到 2 p1 / 2 (Γ- 6 )态跃迁 ,由实验结果算得 Be受主的电离能为 2 8.6 me V.
袁先漳陆卫史国良陈益栋陈张海李宁沈学础
关键词:受主光热电离光谱砷化镓
GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面阵列探测器及相关问题的研究
李娜陆卫李宁袁先漳刘兴权
关键词:GAAS/ALGAAS
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的γ辐照研究被引量:2
2000年
本文报道了γ射线辐照对量子阱红外探测器性能的影响.γ射线的辐射剂量分别为1mrad、6mrad、16mrad.测量了器件在不同γ辐照剂量下的光谱响应、暗电流、黑体响应率.通过对实验结果的分析,暗电流和黑体响应率随γ辐照剂量增加而递减,表明探测器的性能随γ射线辐照剂量的增加而逐步衰减.
李宁李娜胡新文袁先漳陆卫沈学础黄绮周均铭
关键词:多量子阱红外探测器Γ射线辐照砷化镓
掺杂Al对DC反应溅射ZnO薄膜的影响被引量:3
2007年
采用金属单质靶和直流反应溅射制备了不同Al含量(摩尔分数)掺杂的ZnO薄膜,得到的薄膜均为c-轴择优取向的纤锌矿结构,在可见波段具有很高的透过率。薄膜的晶面间距、光学折射率和带隙在掺Al的起始阶段变化很大,待Al掺杂量达到一定值后,光学折射率和带隙的变化不大,薄膜的晶面间距趋于一稳定值0.266 nm。分析表明掺杂的Al均作为施主对载流子浓度作出了贡献,影响薄膜导电性能的主要原因被推断为晶格中的缺陷等因素导致了载流子的局域束缚。
赵强孙艳郑丁葳倪晟王基庆袁先漳
关键词:ZNO薄膜电阻率反应溅射
质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的影响被引量:4
2000年
利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5×1015cm-2、快速退火条件为950℃、30s时,峰值探测波长移动2μm.
李娜陆卫李宁刘兴权袁先漳窦红飞沈学础FU LanTan H HC JagadishM B JohnstonM Gal
关键词:质子注入快速退火量子阱红外探测器
FEL诱导半导体材料非线性光吸收被引量:2
2003年
应用北京自由电子激光 (BFEL)对典型的红外光电子材料Hg1 -xCdxTe,InSb和InAs进行了非线性光吸收研究 .利用FEL的高光子密度和皮秒量级的短脉冲宽度特性 ,研究了双光子吸收 (TPA)以及光生载流子吸收 (FCA)共同作用机理 ,从实验上直接证实了在强入射能量下 ,FCA是不可忽略的光吸收过程 。
江俊李宁陈贵宾陆卫王明凯杨学平吴刚范耀辉李永贵袁先漳
关键词:FEL半导体材料HG1-XCDXTEINSB砷化铟锑化铟
Zn_(0.04)Cd_(0.96)Te中深能级的红外光电导谱研究被引量:2
2001年
应用红外光电导谱研究半绝缘 p型Zn0 .0 4 Cd0 .96Te中的深能级 ,在温度从 4.2到 16 5K范围内 ,观察到了位于0 .2 4,0 .34 ,0 .38,0 .47,0 .5 5和 0 .80eV处 6个光电导响应峰 .结合 4.2K下光致发光谱的测量结果以及对ZnxCd1-xTe中深能级发光光谱、深能级瞬态谱等已有的研究结果 。
袁先漳裴慧元陆卫李宁史国良方家熊沈学础
关键词:深能级碲锌镉
GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面及量子阱界面混合效应
李娜李宁陆卫袁先漳李志峰沈学础
关键词:红外焦平面
共2页<12>
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