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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单色仪
  • 1篇电位
  • 1篇电压
  • 1篇电压波动
  • 1篇定标
  • 1篇正电子
  • 1篇正电子寿命
  • 1篇正电子寿命谱
  • 1篇谱线
  • 1篇稳压
  • 1篇稳压器
  • 1篇光谱
  • 1篇光学
  • 1篇光学实验
  • 1篇过电位
  • 1篇过电压
  • 1篇报警
  • 1篇报警器

机构

  • 3篇安徽师范大学

作者

  • 3篇征洋
  • 1篇姚关心
  • 1篇金伟
  • 1篇方涛
  • 1篇翟林华
  • 1篇张洪涛
  • 1篇王丽君

传媒

  • 2篇物理实验
  • 1篇实验室研究与...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1992
  • 1篇1991
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
过电压简易报警器
1992年
<正> 1989年由世界银行贷款购入的美国ORTEC公司生产的“正电子寿命谱仪”以其探测效率高、分辨率好等优点被国内十几所高校购用。要测量到一个正电子湮没寿命谱,就必须对足够多的湮没事件(定数一般在10~3个)进行统计,一般需用4~8小时或更长,在仪器工作状态下。
征洋
关键词:过电位报警器稳压器电压波动
单色仪的定标实验中汞光谱两条谱线的补充标定被引量:6
2001年
讨论了普通物理光学实验有关教材中单色仪定标实验中定标所依据的汞光谱谱线标定问题 ,通过实验确定了实验可以明显观察到而未能标定的谱线 。
翟林华征洋姚关心金伟张洪涛方涛
关键词:单色仪定标光学实验
用测量单晶硅正电子寿命谱来确定最佳的FWHM的方法
1991年
本文用高纯单晶硅作为标准样品,利用正电子寿命谱仪测量其寿命谱,用POSITRONFIT-EXTFNDED程序对其进行处理时,用一系列FWHM值作单高斯拟合,得到相应的单晶硅的平均寿命τ及其拟合度Q,取拟合度Q最小且τ也最接近标准寿命所输入的 FWHM作为最佳的数值。此法确定的 FWHM=220ps,以及用 RESOLUTION程序得到 FWHM=219ps,两者十分符合。
王丽君征洋
关键词:正电子寿命谱单晶硅FWHM
共1页<1>
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