张少云
- 作品数：14 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安交通大学电气工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- 高压硅器件表面耐压与表面耗尽区变化机理的研究
- 张少云
- 硅整流管表面保护材料负电晕带电特性的研究
- 1996年
- 研究了负针－板电晕带电对台面型高压硅整流管管芯上保护材料的影响。负电晕的注入，使Ｓｉ－ＳｉＯ２－绝缘材料的界面等效电荷为负电荷，它引起管芯表面耗尽区的展宽。数值计算表明．电晕带电使旱面等效电荷为－１０１１ｃｍ－２范围。
- 张峰张少云徐传骧
- 平面型电力电子器件场环终端的优化设计与试验研究被引量：1
- 1996年
- 对平面型电力电子器件场环终端进行了优化设计与试验研究．提出了用混合因子Ｍｘ（载流子密度与固定电荷密度之比）作为判断理想耗尽区近似是否合理的指标．采用零场强边界判定法，开发出能在３８６型或４８６型微机上进行模拟器件反偏状况的优化设计程序．根据设计结果制作了几种不同结构的场环器件，以测量其实际耐压．单结在１ｋＶ左右，改进后的方案用于高压ＳＩＴＨ器件的研制，耐压在１．２ｋＶ左右，最高可达１．５ｋＶ．
- 张少云何润林徐传骧
- 关键词：优化设计电力电子器件半导体器件
- 现代租赁会计探论
- 张少云
- 电力电子器件绝缘带电性能的研究
- 张少云徐传骧崔秀芳
- 关键词：电子器件绝缘电性
- 平面型电力电子器件场环终端耐压设计与应用的研究
- 张少云
- 关键词：电力电子器件P-N结
- 一种测量平面型硅器件界面电荷密度的新方法
- 1995年
- 提出了利用测量平面型场限环结构硅半导体器件的环电位，并结合计算机数值模拟，定量计算各种保护材料的带电电性和电荷量值的新方法。给出了用此方法求得几种常用保护材料的带电电性和电行量值。
- 张少云范明海徐传骧
- 关键词：电力半导体器件
- 高压硅器件台面造型特性的OBIC法检测
- 本文通过采用光感生电流法(OBIC)分析了大功率硅半导体p-n结表面定态光电导下耗尽区的扩展,分析了OBIC曲线所反映的高压硅器件台面造型的耐压特性,以及曲线本身的变化代表的与器件表面钝化保护效果相关的信息.
- 董小兵张少云徐传骧
- 关键词：硅器件耐压性能
- 文献传递
- 斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测
- 2004年
- 采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系.实验和计算结果表明,He Ne激光束由于具有较大的吸收系数(>3200cm-1)和适当的透射深度(≈3 1μm),对曲线上下沿变化影响很小,测量结果可以直接反映硅表面本身的响应.小正斜角造型大功率硅整流管在反向偏置下,表面耗尽区在稳态光电导下的扩展几乎都是在低掺杂的n区进行,p区的扩展被"钉扎".表面保护不良时,OBIC曲线可直接反映出局部的电场倍增状态.对不同腐蚀时间处理的磨角造型硅表面,OBIC测量结果表明,当腐蚀时间短时,表面少子寿命较低;反之,则寿命会有所提高.
- 董小兵张少云徐传骧
- 关键词：硅器件
- 肖特基二极管伏安特性与导通压降相关性研究
- 1999年
- 根据金属与半导体之间肖特基势垒接触的电流电压关系设计出了一套简易的实验装置，研究了４０ＣＰＱ０４５ 型肖特基势垒二极管芯片小电流下（＜ ２Ａ）的正向电流电压特性。通过外推４０Ａ大电流下芯片结压降的数值，验证了通过小电流正向电流电压特性曲线来外推预测大电流下芯片结压降值的可行性。
- 董小兵张少云马小芹徐传骧王西英
- 关键词：肖特基二极管伏安特性导通压降
