徐传骧
- 作品数：176 被引量：735H指数：13
- 供职机构：西安交通大学电气工程学院绝缘研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术化学工程更多>>
- 非球形导电粒子与绝缘体复合材料的介电增强研究被引量：12
- 1997年
- 导电粒子掺入到绝缘体中会显著提高其介电常数，理论上这种增强超出了Ｃ－Ｍ方程和其它偶极近似的结果。近来有人［１］引入一种有效集结模型来描述这种增长规律，其中对于非球形导电粒子的影响引入一个形状因子ｕ０来描述，但他们都是把绝缘体作为基体来处理。本文的目的在于采用对等来处理这种介质，像文献［２］一样来修正Ｄ－Ｊ方程，同时与铜、铝微粒掺入聚乙烯中的实验规律进行了比较，微观分析了微粒的形貌和分布。
- 江平开王宗光王寿泰徐传骧刘辅宜
- 关键词：复合材料介电常数集结绝缘体
- 自控温加热电缆稳定性的研究被引量：3
- 2001年
- 本文从自控温加热电缆的结构出发 ,分析了影响其稳定性的诸因素 ,探讨了提高电缆稳定性的措施及其机制。旨在为设计和制备高稳定性的自控温加热电缆提供科学依据。
- 王士年储九荣徐传骧
- 关键词：自控温加热电缆稳定性电阻PTC材料
- JUS有机硅凝胶相容性的研究
- 1999年
- 研究了ＪＵＳ有机硅凝胶与各种材料的相容性问题。已固化聚苯硫醚（ＰＰＳ） 外壳材料与硅凝胶有很好的相容性，而未固化ＰＰＳ却使铂催化剂中毒，表明含有毒素的物质是否会使铂催化剂中毒，与毒素的存在形式和活性有关。一般常用的ＤＣＢ板和ＧＤ４０６ 硅胶粘剂与ＪＵＳ硅凝胶都有较好的相容性，但含有硫元素的７０３ 硅胶粘剂却使硅凝胶中毒。最后研究了预防硅凝胶不固化的方法，认为使用ＳＰ漆作屏蔽层是有效的办法。
- 徐传骧储九荣崔秀芳邓泽全
- 关键词：相容性有机硅凝胶电力电子器件
- 脉冲电流电磁场对生物膜的非热效应分析被引量：20
- 2003年
- 通过简单的生物体细胞模型,研究脉冲电磁场对生物体所产生的生物效应的机制问题。证明了高电压脉冲电流放电环境中,低强度的脉冲电磁场可引起膜内外离子的输运过程,而当脉冲电磁场足够强时,则引起细胞膜的击穿。因此高电压脉冲电流放电环境中脉冲电流电磁场分量以及电磁防护的研究是非常有必要的。
- 姚学玲陈景亮徐传骧
- 关键词：生物膜
- AlN陶瓷在空气中高温下的氧化行为被引量：7
- 1996年
- 在空气中９００～１２００℃的高温下，研究了添加Ｙ２Ｏ３常压烧结ＡｌＮ陶瓷的氧化行为。用电光天平测量了氧化后ＡｌＮ陶瓷的相对质量变化△ｍ随氧化温度及时间的变化规律。运用扫描电镜（ＳＥＭ）。
- 谢进徐传骧
- 关键词：氮化铝陶瓷陶瓷高温
- 梯度型聚合物光纤中折射率分布的洛仑兹函数模型应用被引量：1
- 2003年
- 利用洛仑兹函数对梯度型聚合物光纤 (棒 )中折射率分布曲线进行模拟 ,建立折射率分布的洛仑兹函数模型 .该模型只需掺杂物的初始浓度、分子体积和聚合温度 3个基本参数 .利用该模型对各种高折射率的掺杂物掺杂聚甲基丙烯酸甲酯 ( PMMA)制备的梯度型聚合物光纤中的折射率分布进行了预测 ,发现掺杂物的折射率比分子体积对折射率梯度的影响更大 ;惰性掺杂物中二苯硫 ( DPS)掺杂效率最高 ;共聚掺杂物中苯甲酸乙烯酯 ( VB)
- 储九荣温序铭丁文徐传骧
- 关键词：折射率分布聚甲基丙烯酸甲酯掺杂物
- 金属核心/高聚物膜复合悬浮相电流变流体材料被引量：7
- 2001年
- 针对电流变流体悬浮相材料的开发与研究，根据介质极化原理，设计开发了金属核心 /高聚物膜复合悬浮相电流变流体材料，在乳液聚合与微胶囊包覆技术的基础上，制备出了金属核心 /高聚物膜复合颗粒 .并对这种金属核心 /高聚物膜复合颗粒的电流变流体性能进行了测试与研究 .从理论和实验上都说明了金属核心 /高聚物膜复合悬浮相材料在改善电流变流体力学性能及稳定性方面具有潜力，是可以进一步提高与改进的电流变流体材料 .
- 丁文范志康徐传骧卢凤纪
- 关键词：电流变流体抗剪切强度包覆金属乳液聚合
- 生物体的介电性质及外电磁场对其影响作用探讨被引量：12
- 1993年
- 随着电气化事业和高压输配电系统的发展,电磁场对生物体的影响已成为国内外研究者所关注的问题。目前研究较多的是通过流行病学统计法,对处于高压电磁环境下工作和生活的人群与通常电磁环境的人群进行对照分析,以得到高压放电电磁环境对人体影响的关系。由于这种统计方法是把高压电磁环境当做一笼统影响来考虑。
- 徐传骧钟力生崔秀芳
- 关键词：生物体介电性质电磁场
- 斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测
- 2004年
- 采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系.实验和计算结果表明,He Ne激光束由于具有较大的吸收系数(>3200cm-1)和适当的透射深度(≈3 1μm),对曲线上下沿变化影响很小,测量结果可以直接反映硅表面本身的响应.小正斜角造型大功率硅整流管在反向偏置下,表面耗尽区在稳态光电导下的扩展几乎都是在低掺杂的n区进行,p区的扩展被"钉扎".表面保护不良时,OBIC曲线可直接反映出局部的电场倍增状态.对不同腐蚀时间处理的磨角造型硅表面,OBIC测量结果表明,当腐蚀时间短时,表面少子寿命较低;反之,则寿命会有所提高.
- 董小兵张少云徐传骧
- 关键词：硅器件
- 肖特基二极管伏安特性与导通压降相关性研究
- 1999年
- 根据金属与半导体之间肖特基势垒接触的电流电压关系设计出了一套简易的实验装置，研究了４０ＣＰＱ０４５ 型肖特基势垒二极管芯片小电流下（＜ ２Ａ）的正向电流电压特性。通过外推４０Ａ大电流下芯片结压降的数值，验证了通过小电流正向电流电压特性曲线来外推预测大电流下芯片结压降值的可行性。
- 董小兵张少云马小芹徐传骧王西英
- 关键词：肖特基二极管伏安特性导通压降
