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张亲亲

作品数：9 被引量：1H指数：1
供职机构：华中科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇导体
  • 3篇电阻率
  • 3篇虚拟仪器
  • 3篇虚拟仪器软件
  • 3篇塞贝克系数
  • 3篇热电堆
  • 3篇合金
  • 3篇恒流
  • 3篇恒流源
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体薄膜
  • 3篇半导体薄膜材...
  • 2篇烧结温度
  • 2篇升温速率
  • 2篇球磨
  • 2篇热电材料
  • 2篇合金粉
  • 2篇合金粉末
  • 2篇高能球磨
  • 2篇保温时间

机构

  • 9篇华中科技大学

作者

  • 9篇张亲亲
  • 8篇段兴凯
  • 8篇肖承京
  • 8篇朱文
  • 8篇杨君友
  • 6篇鲍思前
  • 6篇樊希安
  • 5篇李良彪
  • 3篇谢振
  • 3篇张同俊
  • 3篇李凯
  • 2篇李凯

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇2006年全...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2006
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
电化学原子层外延制备Bi-Se系薄膜
采用电化学原子层外延(electrochemical atomic layer epitaxy,ECALE)方法尝试在 Pt 电极上沉积 BiSe纳米热电薄膜．利用循环伏安扫描研究了 Bi、 Se在 Pt 电极上的欠电势...
肖承京杨君友朱文段兴凯张亲亲李凯李良彪
关键词：UPD
文献传递
一种Bi－Sb－Te系热电材料的制备方法
本发明提供了一种Bi-Sb-Te系热电材料的制备方法，其步骤为：将原料粉末按原子比Bi∶Sb∶Te＝2x∶2-2x∶3配比，0.1≤x≤0.3，混合后进行高能球磨处理，得到合金粉末，球料重量比10∶1～20∶1，球磨转速...
杨君友樊希安朱文鲍思前段兴凯肖承京张亲亲谢振
文献传递
电化学原子层外延制备Bi—Se系薄膜被引量：1
2007年
采用电化学原子层外延（electrochemical atomic layer epitaxy，ECALE）方法尝试在Pt电极上沉积Bi2Se3纳米热电薄膜。利用循环伏安扫描研究了Bi^3＋、Se^4＋在Pt电极上的欠电势沉积参数，在此基础上利用自动电沉积系统交替沉积400个Bi、Se原子层。采用电量分析、XRD、EDX对沉积物进行表征。电量分析表明沉积物中存在硒的富余，XRD结果表明沉积物中除了Bi2Se3化合物外还有单质Se的富余。EDX分析沉积物的硒铋原子比为4：1，与XRD分析结果一致。
肖承京杨君友朱文段兴凯张亲亲李凯李良彪
关键词：UPD
一种测量半导体薄膜材料塞贝克系数和电阻率的装置
本实用新型公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点...
杨君友肖承京朱文鲍思前樊希安段兴凯张亲亲李良彪李凯张同俊
文献传递
一种Bi－Sb－Te系热电材料的制备方法
本发明提供了一种Bi－Sb－Te系热电材料的制备方法，其步骤为：将原料粉末按原子比Bi∶Sb∶Te＝2x∶2－2x∶3配比，0.1≤x≤0.3，混合后进行高能球磨处理，得到合金粉末，球料重量比10∶1～20∶1，球磨转速...
杨君友樊希安朱文鲍思前段兴凯肖承京张亲亲谢振
文献传递
半导体制冷及温差发电器件专家系统设计
张亲亲
文献传递
工艺参数和化学成分对p型(Bi,Sb)2Te3热电性能的影响
研究了机械合金化和等离子体活化烧结过程中工艺参数和化学成分对p型(Bi,Sb)2Te3热电性能的影响,得到了具有高密度,细品粒和择优取向的微观结构。相比其它制备方法,本工艺所得材料的热电和机械性能都得到了大幅提高,室温下...
樊希安杨君友朱文鲍思前段兴凯谢振肖承京张亲亲
关键词：机械合金化活化烧结
一种测量半导体薄膜材料塞贝克系数和电阻率的装置
本发明公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热...
杨君友肖承京朱文鲍思前樊希安段兴凯张亲亲李良彪李凯张同俊
文献传递
一种测量半导体薄膜材料塞贝克系数和电阻率的装置
本发明公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热...
杨君友肖承京朱文鲍思前樊希安段兴凯张亲亲李良彪李凯张同俊
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