段兴凯
- 作品数：89 被引量：64H指数：4
- 供职机构：九江学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学金属学及工艺更多>>
- Bi_2Te_3纳米粉末的直流电弧等离子体合成被引量：3
- 2010年
- 以单质Bi,Te粉末为原材料,采用直流电弧等离子体蒸发法制备了Bi2Te3纳米粉末。通过XRD,EDS,TEM和SAED分析方法对Bi2Te3粉末的物相结构、成分和形貌进行了表征。Bi2Te3纳米粉末的平均粒径约为35 nm,粉末呈不规则的多面体结构,还有一些薄片状和棒状的结构,这与Bi2Te3半导体化合物的高度各向异性是一致的。研究了电弧电流和氩气压力对合成Bi2Te3纳米粉末的粒径和产率的影响,随着电弧电流或氩气气压的增加,粉末的粒径和产率都逐渐增大,但产率的增加并不明显。
- 段兴凯江跃珍
- 关键词：BI2TE3纳米粉末直流电弧等离子体热电材料
- 稀土掺杂Bi<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>基热电薄膜材料的制备方法
- 本发明涉及一种稀土掺杂的Bi<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>基热电薄膜材料，在真空熔炼时加入稀土元素，得到Bi<Sub>2-x</Sub>Te<Sub>3</Sub>RE<Sub>x</Sub>块体热...
- 段兴凯江跃珍
- 文献传递
- 真空熔炼及热压烧结制备Na掺杂Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)热电材料的微结构研究被引量：4
- 2014年
- 采用真空熔炼/研磨技术制备NaxBi2-xTe2.7Se0.3(x=0,0.02,0.04,0.06)热电材料粉末,利用热压烧结法制备块体样品。通过XRD和SEM对该材料的物相成分和断面形貌进行表征。结果表明:在适当的范围内掺杂Na元素及真空熔炼和热压烧结均不会改变合金的物相,仍为单相Bi2Te2.7Se0.3合金。真空熔炼及热压烧结制备的NaxBi2-xTe2.7Se0.3块体热电材料呈具有一定取向的层状结构、少许的孔隙分布以及结构不均匀性等一系列特征;随Na掺入量的增加,取向程度增大,孔隙数量减少,结构均匀性提高。
- 满达虎王丽芳段兴凯胡孔刚
- 关键词：热电材料真空熔炼热压烧结微结构
- K、Al共掺杂Bi_2 Te_(2.7) Se_(0.3)热电材料的制备及性能研究被引量：3
- 2014年
- 采用真空熔炼和热压烧结技术制备了 K 和Al 共掺杂 Bi2 Te2．7 Se0．3热电材料.利用 X 射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对样品的物相结构和表面形貌进行了表征. XRD 分析结果表明,K0．04 Bi1．96-x Alx Te2．7 Se0．3块体材料的 XRD 图谱与 Bi2 Te2．7 Se0．3的 XRD 图谱对应一致,SEM 形貌表明材料组织致密且有层状结构特征.K0．04 Bi1．92-Al0．04 Te2．7 Se0．3合金提高了材料的 Seebeck 系数,K0．04 Bi1．88 Al0．08 Te2．7 Se0．3和 K0．04 Bi1．84 Al0．12 Te2．7 Se0．3大幅度提高了材料的电导率,通过 K 和 Al 部分替代 Bi,使材料的热导率有不同程度的减小,在300~500 K 温度范围内,K 和 Al共掺杂均较大幅度地提高了 Bi2 Te2．7 Se0．3的热电优值.
- 段兴凯胡孔刚丁时锋满达虎金海霞林伟明
- 关键词：共掺杂热导率热电性能
- 一种测量半导体材料塞贝克系数和电阻率的装置
- 本发明公开了一种测量半导体材料塞贝克系数和电阻率的装置，温度控制器的两端分别与电源及管式炉中的发热元件相连，样品台位于炉膛内；参考电阻与转换开关串接，转换开关与数据采集模块相连，恒流源与转换开关相连。冷端样品夹固定在冷端...
- 杨君友鲍思前朱文陈柔刚樊希安段兴凯彭江英张同俊
- 文献传递
- 退火温度对Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3薄膜的微结构及热电性能的影响
- 2011年
- 采用瞬间蒸发技术沉积了厚度为800 nm的P型Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜,并在373 K-573 K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能量散射谱(EDS)分别对薄膜的物相结构、表面形貌以及化学计量比进行表征。研究了退火温度对Bi0.5Sb1.5Te3薄膜的电阻率和Seebeck系数的影响,退火温度从373K增加到473K,Bi0.5Sb1.5Te3薄膜的电阻率和Seebeck系数都随之增加,退火温度从523K增加到573K,薄膜的电阻率和Seebeck系数缓慢下降。当退火温度为473K时,Bi0.5Sb1.5Te3薄膜的电阻率和Seebeck系数分别为2.1 mΩcm和162μV/K,薄膜的热电功率因子最大值为13μW/cmK2。
- 段兴凯江跃珍
- 关键词：退火处理塞贝克系数
- 一种氧化镥透明陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种氧化镥透明陶瓷的制备方法。该方法包括如下步骤：以水合硝酸镥和硫脲为原料，采用低温燃烧法制备获得纳米硫氧化镥(Lu<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>S)粉体；将所得硫氧化镥纳米粉体研磨、干压...
- 王殿元段兴凯王庆凯王侃民郭艳艳
- 文献传递
- 锂离子电池用CMC／SBR配伍性评测方法
- 一种锂离子电池用CMC/SBR配伍性评测方法，包括以下步骤：步骤S10，选取SBR和CMC作为锂离子电池中的水系粘结剂；步骤S11，制备备用极片；步骤S12，进行接触角测试；步骤S13，制备正交极片；步骤S14，对每种正...
- 华琼新段兴凯彭倩赵意赵敏黄宽飞黄云涛
- In/Na双掺杂对P型Bi0.5Sb1.5Te3热电性能的影响
- 段兴凯况菁胡孔刚江跃珍金海霞郭书超
- 一种Bi－Sb－Te系热电材料的制备方法
- 本发明提供了一种Bi－Sb－Te系热电材料的制备方法，其步骤为：将原料粉末按原子比Bi∶Sb∶Te＝2x∶2－2x∶3配比，0.1≤x≤0.3，混合后进行高能球磨处理，得到合金粉末，球料重量比10∶1～20∶1，球磨转速...
- 杨君友樊希安朱文鲍思前段兴凯肖承京张亲亲谢振
- 文献传递
