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巩纪军

作品数:5 被引量:15H指数:3
供职机构:兰州理工大学理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金甘肃省科技攻关计划博士科研启动基金更多>>
相关领域:电子电信冶金工程一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇第一性原理
  • 3篇第一性原理研...
  • 2篇导体
  • 2篇稀磁半导体
  • 2篇半导体
  • 2篇ZNO
  • 1篇单轴
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体制备
  • 1篇电子结构
  • 1篇动力学
  • 1篇多孔
  • 1篇性能表征
  • 1篇氧化锌
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇子结构
  • 1篇粒度
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米粉

机构

  • 4篇兰州理工大学
  • 3篇华南师范大学
  • 2篇兰州大学
  • 1篇南京大学

作者

  • 5篇巩纪军
  • 1篇康龙
  • 1篇张材荣
  • 1篇乔宏霞
  • 1篇元丽华
  • 1篇张梅玲
  • 1篇王道斌
  • 1篇秦明辉
  • 1篇马军
  • 1篇候尚林
  • 1篇高兴森
  • 1篇魏智强
  • 1篇曾敏
  • 1篇闫鹏勋
  • 1篇刘俊明
  • 1篇熊予莹
  • 1篇苏俊燕
  • 1篇赵红波

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇兰州交通大学...

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2012
  • 1篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
碱金属修饰的多孔石墨烯的储氢性能被引量:3
2020年
基于第一性原理深入研究了碱金属原子(Li,Na,K)修饰的多孔石墨烯(PG)体系的储氢性能,并且通过从头算分子动力学模拟了温度对Li-PG吸附的H2分子稳定性的影响.研究结果表明,PG结构的碳环中心是碱金属原子最稳定的吸附位置,PG单胞最多可以吸附4个碱金属原子,Li原子被束缚最强,金属原子间无团聚的倾向;H2分子通过极化机制吸附在碱金属修饰的PG结构上,每个金属原子周围最多可以稳定地吸附3个H2分子;Li-PG对H2分子的吸附最强(平均吸附能为-0.246 eV/H2),Na-PG对H2分子的吸附较弱(平均吸附能为-0.129 eV/H2),K-PG对H2分子的吸附最弱(平均吸附能为-0.056 eV/H2),不适合用做储氢材料;在不考虑外界压强且温度为300 K的情况下,Li-PG结构可稳定地吸附9个H2分子,储氢量为9.25 wt.%;在400 K时,有7个吸附H2分子脱离Li-PG的束缚,在600-700 K的范围内,吸附H2分子全部脱离了Li-PG体系的束缚.
元丽华巩纪军王道斌张材荣张梅玲苏俊燕康龙
关键词:储氢第一性原理分子动力学
C轴压力下ZnO晶体结构及电子性质的第一性原理研究被引量:5
2012年
本文采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法对ZnO晶体在c轴取向压力作用下的晶体结构、电子结构的变化进行了研究.结果表明,当压力在0~6 GPa区间时,晶格参数呈线性变化,带隙随压力增大而增大,显示弹性应变特征;当压力从6 GPa增大到10 GPa的过程中,晶体结构有了较大变化,出现了介于常压下纤锌矿结构和等静压高压下NaCl结构之间的类石墨结构(Graphitelike structure).伴随着这一结构相变,ZnO的晶格参数,能隙和态密度等电子结构出现了较大跃变.
巩纪军曾敏秦明辉赵红波高兴森熊予莹刘俊明
关键词:氧化锌电子结构第一性原理
单轴压力下ZnO及Cu掺杂ZnO稀磁半导体的第一性原理研究
纤锌矿结构的氧化锌是一种宽禁带直接带隙半导体材料,因其优异的电学和光学性能,有着非常广泛的应用前景。Cu掺杂ZnO稀磁体系因其所具有的显著的室温铁磁性(RTFM)引起了人们极大的兴趣。目前,这种室温铁磁性已被众多实验证实...
巩纪军
关键词:ZNO稀磁半导体CU掺杂第一性原理
等离子体制备铁纳米粉末的性能表征被引量:7
2004年
采用阳极弧放电等离子体制备了高纯铁纳米粉末.并利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(ED)测试手段对样品的物相、晶体结构、形貌、粒度及其分布进行性能表征;利用BET吸附法测定比表面积;利用X射线能谱仪(EDS)测定试样所含的元素;采用元素分析仪测定C、H、N、O含量.实验结果表明:本法所制备的铁纳米粉末的纯度高,晶体结构与相应的块体材料基本相同,为bcc结构的晶态,平均粒径为43nm,粒径范围分布在20~70nm,呈规则的球形链状分布,比表面积为17.54m2/g.
魏智强巩纪军乔宏霞候尚林马军闫鹏勋
关键词:等离子体粒度
单轴压力诱导Cu掺杂ZnO稀磁半导体结构及磁性相变的第一性原理研究
掺杂ZnO因其表现出优异的室温稀磁半导体特性[1-3],具备一定多铁特性[4],并有可能在电控磁性的磁电器件中获得应用而受到关注.而如何通过外场(如电场和应力)对其磁特性进行调控是其在磁电器件中应用的关键.
巩纪军陈继培秦明辉曾敏高兴森刘俊明
关键词:ZNO稀磁半导体
共1页<1>
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