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尹敏

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：昆明物理研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 3篇探测器
  • 3篇芯片
  • 3篇红外
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 2篇电阻率
  • 2篇引线
  • 2篇内引线
  • 2篇碲镉汞
  • 2篇光导
  • 2篇HGCDTE
  • 1篇电阻
  • 1篇载流子
  • 1篇室温
  • 1篇器件芯片
  • 1篇自动焊
  • 1篇自动焊机
  • 1篇自动焊接技术
  • 1篇总电阻
  • 1篇碲镉汞材料

机构

  • 7篇昆明物理研究...

作者

  • 7篇尹敏
  • 1篇王开元
  • 1篇肖绍泽
  • 1篇冯江敏
  • 1篇赵鹏
  • 1篇李鸿勋
  • 1篇邵式平

传媒

  • 3篇红外技术
  • 3篇半导体光电
  • 1篇半导体技术

年份

  • 2篇1998
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
光化学汽相淀积技术在薄膜备制中的应用
1998年
介绍了光化学汽相淀积法的原理以及用ＰＶＤ－１０００设备淀积薄膜的规律、特点等，并且给出了所淀积的ＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜和ＺｎＳ膜的基本特性。
尹敏赵鹏
关键词：半导体材料CVD
HgCdTe光导芯片室温电阻率不稳定问题探讨
1993年
集中讨论 MCT 光导芯片电阻率随时间变化的问题。研究结果表明:MCT芯片中 Hg 原子的逐渐逸出导致了材料组分即 x 值随时间变化,这是芯片室温电阻率变化的主要原因;另外,在某些条件下(如加温),芯片表面可形成高浓度的 n 型载流子薄层,也将引起芯片的室温电阻率的变化。
尹敏
关键词：电阻率稳定性
自动焊接技术在SPRITE探测器内引线联接工艺中的应用
1998年
为使自动金丝球焊接技术应用于碲镉汞红外器件的研制工艺，在大量试验的基础上，摸索出了一套使用自动金丝球焊接技术进行ＳＰＲＩＴＥ红外器件内引线焊接的可靠方法。文中还对自动焊接的精度和最小间距进行了探讨。
尹敏冯江敏李鸿勋
关键词：自动焊机SPRITE探测器红外探测器
n型HgCdTe载流子双极迁移率测量
1995年
介绍了两种测量半导体材料载流子双极迁移率的原理和方法。用载流子漂移实验方法测量了ｎ型Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２）材料在８０Ｋ时的双极迁移率，讨论了测量条件对双极迁移率的影响。
邵式平肖绍泽尹敏
关键词：碲镉汞材料
MCT光导器件芯片室温电阻率不稳定因素探讨
1994年
重点讨论ｘ值在０．２７附近的ＭＣＴ光导器件芯片电阻率随时间变化的问题。认为：ＭＣＴ芯片中Ｈｇ原子的逐渐逸出，导致材料ｘ值随时间而变化是使芯片室温电阻率变化的主要原因；在某些条件下（如加温），芯片表面可以形成高浓度的ｎ型薄层，从而对芯片的室温电阻率产生影响。
尹敏王开元
关键词：红外探测器
HgCdTe薄片中表面电阻的变化对其总电阻的影响
1992年
讨论了 HgCdTe 薄片当其厚度在20μm 左右时,表面与体内导电性质不同所出现的ρ-T 关系曲线,并与正常情况下的ρ-T 关系曲线比较。解释了某些 HgCdTe 薄片电阻率反常的原因。
尹敏
关键词：电阻率
碲镉汞红外探测器芯片内引线的室温金丝球焊接技术被引量：1
1991年
本文讨论了碲镉汞光导探测器芯片在室温下内引线的金丝球焊接问题。实验得出,器件内电极引线的室温金丝球焊是完全可行的。
尹敏
关键词：碲镉汞红外探测器
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