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肖绍泽

作品数：10 被引量：29H指数：4
供职机构：昆明物理研究所更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇探测器
  • 5篇碲镉汞
  • 4篇红外
  • 4篇红外探测
  • 4篇红外探测器
  • 3篇载流子
  • 3篇质谱
  • 3篇质谱仪
  • 3篇碲镉汞材料
  • 3篇晶体
  • 3篇晶体生长
  • 3篇辉光放电质谱
  • 3篇辉光放电质谱...
  • 2篇载流子寿命
  • 2篇辉光
  • 2篇辉光放电
  • 2篇痕量
  • 2篇痕量杂质
  • 2篇痕量杂质元素
  • 2篇N型

机构

  • 10篇昆明物理研究...

作者

  • 10篇肖绍泽
  • 5篇邵式平
  • 3篇普朝光
  • 2篇刘朝旺
  • 1篇任万兴
  • 1篇王跃
  • 1篇薛南屏
  • 1篇尹敏
  • 1篇郭云成
  • 1篇庄维莎

传媒

  • 5篇红外技术
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇云南冶金
  • 1篇电子器件
  • 1篇激光与红外
  • 1篇质谱学报

年份

  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 4篇1997
  • 1篇1995
  • 1篇1992
  • 1篇1991
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
长波红外材料n型Hg_(1-x)Cd_xTe载流子寿命被引量：1
1999年
测量了３种不同生长方法（加速坩埚旋转布里奇曼法、固态再结晶法和改进的布里奇曼生长大直径晶体法）制备的长波红外蹄镉汞晶体（块晶）载流子寿命的温度变化关系，与窄禁带半导体载流子复合机构的理论计算结果比较表明，优质晶体中是以带间碰撞复合为主。
邵式平薛南屏肖绍泽郭云成庄维莎邵康
关键词：载流子寿命碲镉汞材料SPRITE探测器
GDMS法测定钢铁中的锰、铅等14种杂质元素被引量：4
1997年
研究并报导了一种应用辉光放电质谱仪（ＧｌｏｗＤｉｓｃｈａｒｇｅＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）直接测定钢铁中锰、铅等１４种杂质元素的分析方法，并进行了讨论。实验结果表明，该方法分辨率高，且具有多元素同时快速分析的功能。按此方法测得的ＢＣＳ／ＳＳ－ＣＲＭ标准钢样中锰、铅等１４杂质元素的所得结果与标准值相吻合，ＲＳＤ＜８％，可直接进行钢铁样品中锰、铅等１４种元素的定量分析。
普朝光张震肖绍泽陈云超
关键词：辉光放电质谱仪钢铁材料
国外长波红外焦平面列阵现状被引量：6
1998年
文中介绍了长波红外焦平面列阵的国外进展，这些列阵包括碲镉汞光电二极管、肖特基势垒器件、砷化镓／砷铝镓多量子阱光导体、高温超导体以及室温工作的焦平面列阵。
邵式平肖绍泽邵康
关键词：红外探测器光伏测辐射热计热释电焦平面列阵
辉光放电质谱仪直接测定超高纯镉中的痕量杂质元素被引量：5
1997年
首次在国内报道了一种在无标准样品存在时，用辉光放电质谱仪VG9000（英国VG公司）直接且快捷地定量测定超高纯金属镉中痕量杂质元素的方法。该方法可获得用其它仪器分析无法达到的技术参数，也可应用于冶金或半导体工业中超高纯金属和半导体材料中痕量杂质元素的定量分析。
普朝光张震肖绍泽
关键词：辉光放电质谱仪镉痕量元素
辉光放电质谱仪测定超纯锗中23种痕量杂质元素被引量：14
1997年
本文报导了一种用辉光放电质谱仪VG9000在无标准样品的情况下对超纯半导体材料锗中23种痕量杂质元素的直接而快速的定量测定方法。该方法具有10ppt量级的检测极限，是鉴定起统金属或半导体材料纯度（8N）的理想手段。
普朝光肖绍泽张震
关键词：辉光放电质谱仪痕量杂质
布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的性能被引量：3
1992年
本文简要地介绍了布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的组分分布、电学性质、微观结构和红外透射比曲线。这些晶体具有较好的横向组分均匀性、较低的载流子浓度和较长的少数载流子寿命。本文还报道了用此晶体制作的光电导器件的性能。
肖绍泽任万兴颜瑞菊刘朝旺
关键词：碲镉汞晶体生长
n型HgCdTe载流子双极迁移率测量
1995年
介绍了两种测量半导体材料载流子双极迁移率的原理和方法。用载流子漂移实验方法测量了ｎ型Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２）材料在８０Ｋ时的双极迁移率，讨论了测量条件对双极迁移率的影响。
邵式平肖绍泽尹敏
关键词：碲镉汞材料
生长MCT晶体的改进型Bridgman方法:ACRT-B被引量：2
1991年
本文介绍一种经改进的采用加速坩埚旋转技术的Bridgman方法(ACRT-B)及ACRT-B用于生长MCT晶体得到的重要结果。与传统Bridgman方法生长的晶体相比,ACRT-B生长的晶体的径向组份均匀性得到很大改善;有用组份的晶片较多;晶体的结晶度好;主晶粒数目减少。ACRT-B工艺中,影响晶体质量最重要的旋转参数是最大旋转速率,而保持在最大旋转速率的时间和停止时间及反向旋转对结果的影响都很小。
刘朝旺肖绍泽
关键词：红外探测器晶体生长
长波红外n-HgCdTe材料的电阻比值与载流子寿命关系
1999年
少数载流子寿命是长波红外HgCdTe材料的重要性能参数。从大量实验数据统计中发现长波红外n型HgCdTe材料的液氮温度电阻和室温电阻的比值与材料载流子寿命有一定关系，电阻比值在2～6之间有较大的载流子寿命值，而电阻比值大于10的寿命值较小。
邵式平肖绍泽王跃
关键词：载流子寿命碲镉汞材料红外探测器
加速坩埚旋转布里奇曼法碲镉汞晶体生长被引量：1
1997年
叙述了采用加速坩埚旋转技术（ACRT）Bridgman方法生长碲镉汞晶体的原理和方法。用这种技术生长的碲镉汞晶体的纵向和横向组分均匀性比常规Bridgman生长方法有很大的改善，提高了用于制作平均探测率为8．0×1010cmHz1／2W－1的8元Sprite探测器的晶片可用率。
肖绍泽邵式平
关键词：红外探测器碲镉汞晶体生长
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