尹儒
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：哈尔滨工程大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金黑龙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 栅增强功率ACCUFET的模拟研究
- 2011年
- 为了进一步降低器件的导通电阻,提出了一种新型的ACCUFET结构——栅增强功率ACCUFET(GE-ACCUFET)。这种器件同时具有普通ACCUFET和GE-UMOS的优点,而且导通电阻比这两种器件都要低。设计了一个击穿电压约106 V,导通电阻为2.18×10-4Ω.cm2的栅增强型功率ACCUFET器件(GE-ACCUFET)。将这种新型器件与GE-UMOS、普通ACCUFET进行对比,并进一步研究器件的结构参数对器件性能的影响。通过ATLAS仿真软件的建模仿真得到的数据显示,新型器件的导通电阻与GE-UMOS、普通ACCUFET相比,均有大幅度的降低。仿真还得到了器件导通电阻和击穿电压与结构参数H,D,α的函数关系,这对器件的生产制造有一定的指导作用。
- 尹儒王颖胡海帆
- 关键词：击穿电压结构参数特征导通电阻
- 碳化硅功率UMOSFET器件结构设计及特性研究
- 由于碳化硅材料具有高击穿电场、高热导率、高电流密度、大禁带宽度、强抗辐射性等优良的性能,使碳化硅功率器件适用于大功率、高温度、高辐射等极端环境,因此碳化硅功率半导体器件成为功率半导体器件研究领域的重要研究方向。本文采用迁...
- 尹儒
- 关键词：碳化硅导通电阻击穿电压
- 文献传递
