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尚青亮

作品数：5 被引量：29H指数：2
供职机构：昆明理工大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电子封装
  • 2篇铜材
  • 2篇热导率
  • 2篇热膨胀
  • 2篇热膨胀系数
  • 2篇孪晶
  • 2篇封装
  • 2篇变形温度
  • 2篇纯铜
  • 1篇电子封装材料
  • 1篇应变速率
  • 1篇再结晶
  • 1篇致密
  • 1篇致密度
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米孪晶
  • 1篇接触角
  • 1篇界面结合强度
  • 1篇金刚石
  • 1篇金刚石复合材...

机构

  • 5篇昆明理工大学

作者

  • 5篇尚青亮
  • 4篇徐孟春
  • 4篇陶静梅
  • 4篇朱心昆
  • 3篇李才巨
  • 1篇杨鹏
  • 1篇邓丽芳

传媒

  • 2篇电子工艺技术

年份

  • 5篇2009
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
电子封装用金刚石/铜复合材料的研究
随着微电子技术及半导体技术的高速发展,金刚石／铜复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视,它与传统的电子封装材料相比,具有更优异的性能,是未来封装最有潜力的发展方向之一。因此对金刚石／铜电子封装材料的研究具有重要...
尚青亮
关键词：致密度热膨胀系数热导率
文献传递
活性元素在铜/金刚石复合材料中的应用被引量：8
2009年
新型电子封装用铜/金刚石复合材料中纯铜基和金刚石之间的界面结合强度十分低。为了获得好的界面结合强度以及好的热物理性能,在铜基中引入活性元素可以降低铜和金刚石的接触角,提高铜和金刚石的界面结合强度。概述了合金元素的选择以及Cr、Ti、B、V合金元素的加入对复合材料的润湿性及界面结合强度的作用。
邓丽芳朱心昆陶静梅尚青亮徐孟春
关键词：活性元素界面结合强度接触角
电子封装材料用金刚石/铜复合材料的研究进展被引量：20
2009年
电子技术的快速发展对封装材料的性能提出了更严格的要求。针对封装材料的发展趋势,金刚石/铜复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视,概述了金刚石/铜复合材料作为封装材料的优良性能及其制备工艺进展,并对其发展方向进行了展望。
尚青亮陶静梅徐孟春李才巨朱心昆
关键词：电子封装热导率热膨胀系数
一种高强度、高导电纯铜材料的制备方法
本发明提供一种高强度、高导电纯铜材料的制备方法，将铜材在300～700℃温度下进行0.5～5小时的再结晶退火；在变形温度低于－100℃，应变速率为10<Sup>－5</Sup>/s～10<Sup>2</Sup>/s条件下...
朱心昆陶静梅李才巨徐孟春尚青亮杨鹏
文献传递
一种利用高变形速率制备高强度纯铜的方法
本发明提供一种利用高变形速率制备高强度纯铜的方法，它将将铜材于300～700℃温度下进行0.5～5小时的再结晶退火后，浸入液氮中冷却，在变形温度低于－100℃，变形速率为10<Sup>2</Sup>～10<Sup>5</...
陶静梅朱心昆徐孟春李才巨尚青亮
文献传递
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共1页<1>
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