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宋爱民

作品数：7 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家攀登计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇理学

主题

  • 3篇势垒
  • 3篇双势垒
  • 3篇态密度
  • 2篇导体
  • 2篇电子态
  • 2篇砷化镓
  • 2篇二维电子
  • 2篇半导体
  • 2篇GAAS/A...
  • 1篇低维结构
  • 1篇异质结
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光特性
  • 1篇砷化铝
  • 1篇隧穿
  • 1篇特异
  • 1篇特异性
  • 1篇能级
  • 1篇热电子
  • 1篇铝镓砷

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇宋爱民
  • 5篇郑厚植
  • 4篇李月霞
  • 3篇李承芳
  • 2篇程文超
  • 2篇刘剑
  • 2篇杨富华
  • 1篇王志明
  • 1篇王杏华
  • 1篇李国华

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 3篇1994
  • 1篇1993
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
GaAs－Al_xGa_（1－x）As异质结中二维热电子的负磁阻效应
1994年
在ＧａＡｓ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质结中，我们观察到二维热电子的负磁阻效应，随着电场强度的增加，负磁阻效应增强，对我们的样品而言，Δσ／σ（０）的幅度可达２０％以上．一个简单的理论分析表明：实验结果能够被弱磁场中的电子能量弛豫率的增加导致二维热电子的磁冷却所解释．
程文超朱景兵李月霞宋爱民郑厚植
关键词：异质结负阻效应热电子
利用双势垒结构研究磁场下二维电子的态密度被引量：2
1994年
利用双势垒结构磁电容曲线，测量了垂直磁场下二维电子态密度．采用高斯型朗道态密度模型计算了双势垒结构的电容随磁场的变化曲线，与不同偏压和温度下的实验曲线符合得相当好，由此得到朗道能级模型态密度．根据拟合自洽地给出了二维浓度、费密能级、子带能量和有效Ｌａｎｄｅ因子随磁场振荡变化的规律．
宋爱民郑厚植杨富华李月霞李承芳
关键词：朗道能级态密度二维电子双势垒
利用ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ双势垒结构测量二维电子朗通态密度的新方法
宋爱民郑厚植
关键词：砷化镓势垒
双势垒结构的隧穿模式、磁电容谱和二维朗道态密度研究
宋爱民
关键词：半导体低维结构
GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性
1998年
采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大．
王杏华李国华李承芳李月霞程文超宋爱民刘剑王志明
关键词：荧光特性砷化镓铝镓砷
磁隧穿振荡研究GaAs／AlAs双势垒结构中的Γ-X电子态混合
1996年
报道了非对称ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ双势垒结构（ＤＢＳ）中的Γ－Ｘ－Γ磁隧穿振荡现象，用磁场倒数周期求得ＡｌＡｓ层中Ｘ谷和ＧａＡｓ层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好．
刘剑李月霞郑厚植杨富华宋爱民李承芳
关键词：双势垒砷化铝
非对称双势垒结构中电子态的特异性
1995年
在包络波函数近似下自洽计算了非对称双势垒结构（ＤＢＳ）中的电子态，并正确得到了积累区和中央势阶中准束缚能级Ｅａｃ、Ｅｗｅ随偏压变化的反交叉过程．结果首次揭示了如果适当选取ＤＢＳ的入射垒厚度，随着外加电场不断增加，在过共振区积累层势阱和中央势阱会统一成一个大三角势阱的基态能级Ｅｃｏｍ，Ｅｃｏｍ具有很好的二维性，这表明在过共振区ＤＢＳ在入射端积累区中只存在二维电子．
宋爱民郑厚植
关键词：DBS电子态特异性半导体结构
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