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双层石墨烯的单个钼原子掺杂的STM研究: 石墨烯是由单层碳原子按蜂窝状排列而成的一种理想的二维晶体,具有很多奇异的物理性质和巨大的应用前景。如何修饰石墨烯以改善其性质,一直是当今学术界关注的热点之一。基于密度泛函的理论研究预言了多种元素(如 N,B, Fe,Mn...; 万闻吕路Wong Swee Liang高永立Andrew T.S.W.黄寒; 关键词：石墨烯钼掺杂

酞菁铜与MoS_2(0001)范德瓦耳斯异质结研究被引量：1: 2014年; 利用光电子能谱、原子力显微镜以及低能电子衍射等表面研究手段系统研究了真空沉积生长的酞菁铜薄膜与衬底MoS2(0001)之间的范德瓦耳斯异质结界面电子结构和几何结构.角分辨光电子能谱清楚地再现了MoS2(0001)衬底在Γ点附近的能带结构.低能电子衍射结果表明,CuPc薄膜在MoS2(0001)表面沿着衬底表面[11ˉ20],[1ˉ210]和[ˉ2110]三个晶向有序生长,反映了衬底对CuPc的影响.原子力显微镜结果表明,CuPc在MoS2衬底上遵循层状-岛状生长模式:在低生长厚度下(单层薄膜厚度约为0.3 nm),CuPc分子平面平行于MoS2表面上形成均匀连续的薄膜;在较高的沉积厚度下,CuPc沿衬底晶向形成棒状晶粒,表现出明显的各向异性.光电子能谱显示界面偶极层为0.07 eV,而且能谱在膜厚1.2 nm饱和,揭示了酞菁铜与MoS2(0001)范德瓦耳斯异质结的能级结构.; 曹宁通张雷吕路谢海鹏黄寒牛冬梅高永立; 关键词：有机半导体光电子能谱异质结

2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩在Cu(100)上的吸附生长以及能级结构演化被引量：1: 2016年; 结合紫外光电子能谱(UPS),X射线光电子能谱(XPS),原子力显微镜(AFM)和掠入射X射线衍射谱(GIXRD)等实验手段,系统研究了2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩在Cu(100)基底上的吸附、生长过程以及界面能级结构.发现第一层的分子平躺吸附于Cu(100)上形成稳定的物理吸附.随膜厚增加,分子取向转为直立于薄膜平面,生长模式转为岛状生长模式.分子取向的变化导致膜厚大于16A的薄膜的能级结构发生变化.直立取向的分子在表面形成由内向外的电偶极层,引起真空能级下降,功函数降低;而轨道电离的各向异性使得分子从平躺到直立时UPS得到的分子最高占据轨道(HOMO)峰型发生变化,且HOMO起始边向深结合能端移动整体上随着膜厚的增加,真空能级向下弯曲,HOMO下移,电离能则先减小后增大下移的能带结构利于电子从界面向表面的迁移以及空穴从表面向界面的迁移.; 张宇河牛冬梅吕路谢海鹏朱孟龙张红刘鹏曹宁通高永立; 关键词：光电子能谱能级结构分子取向薄膜生长

2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)与MoS_2界面的能级匹配与薄膜生长被引量：1: 2015年; 结合紫外光电子能谱(UPS)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等实验手段系统研究了C8-BTBT沉积在层状Mo S2基底上的界面能级匹配、薄膜生长和分子取向。研究发现C8-BTBT分子竖直生长在Mo S2上,生长过程中界面的真空能级(VL)、最高占据态轨道(HOMO)和电离能(IP)都出现了非常规的弯曲现象。这种能级弯曲行为可归因于直立分子从界面相到体相的转变过程中,其分子倾斜角(θ)存在一定的渐变,这种渐变会在沿表面法线方向诱导出一系列的层间电偶极,最终导致能级的弯曲。同时θ的变化也会改变薄膜的表面极化强度,引起IP的逐渐减小。能级的弯曲在界面处形成类P-N结的效应会对C8-BTBT基电子器件的性能有很大的影响。; 吕路牛冬梅谢海鹏曹宁通高永立; 关键词：光电子能谱分子取向薄膜生长

2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩/Ni(100)的界面能级结构随薄膜厚度的演化被引量：2: 2016年; 利用紫外光电子能谱、X射线光电子能谱以及原子力显微镜系统研究了2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)生长在单晶Ni(100)上的能级结构随着薄膜厚度的演化以及薄膜的生长方式.发现第一层C8-BTBT平躺生长且与Ni基底发生了化学吸附反应.从第二层起分子直立生长且呈现岛状生长模式.这种平躺至直立的分子取向转变,导致薄膜的能级结构在第一层与第二层间发生阶梯式的变化,真空能级与最高占据能级同步下降.此后能带结构随着薄膜厚度的增加逐渐向下弯曲,功函数随着膜厚的增加而减小.同时还发现由于直立生长的C8-BTBT其层间电导率较差导致实验中的能级未能收敛.实验结果提示对基于Ni和C8-BTBT的自旋器件需要插入缓冲层并尽可能减少C8-BTBT的层数.; 张红牛冬梅吕路谢海鹏张宇河刘鹏黄寒高永立; 关键词：分子取向电子结构

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吕路