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刘鹏

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:中南大学更多>>
发文基金:教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇噻吩
  • 2篇分子
  • 2篇分子取向
  • 2篇苯并噻吩
  • 1篇电子结构
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇能级
  • 1篇能级结构
  • 1篇子结构
  • 1篇膜厚
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇薄膜厚度
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇NI(100...
  • 1篇CU(100...
  • 1篇-B

机构

  • 2篇中南大学

作者

  • 2篇吕路
  • 2篇谢海鹏
  • 2篇高永立
  • 2篇张宇河
  • 2篇张红
  • 2篇刘鹏
  • 2篇牛冬梅
  • 1篇黄寒

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 2篇2016
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩在Cu(100)上的吸附生长以及能级结构演化被引量:1
2016年
结合紫外光电子能谱(UPS),X射线光电子能谱(XPS),原子力显微镜(AFM)和掠入射X射线衍射谱(GIXRD)等实验手段,系统研究了2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩在Cu(100)基底上的吸附、生长过程以及界面能级结构.发现第一层的分子平躺吸附于Cu(100)上形成稳定的物理吸附.随膜厚增加,分子取向转为直立于薄膜平面,生长模式转为岛状生长模式.分子取向的变化导致膜厚大于16A的薄膜的能级结构发生变化.直立取向的分子在表面形成由内向外的电偶极层,引起真空能级下降,功函数降低;而轨道电离的各向异性使得分子从平躺到直立时UPS得到的分子最高占据轨道(HOMO)峰型发生变化,且HOMO起始边向深结合能端移动整体上随着膜厚的增加,真空能级向下弯曲,HOMO下移,电离能则先减小后增大下移的能带结构利于电子从界面向表面的迁移以及空穴从表面向界面的迁移.
张宇河牛冬梅吕路谢海鹏朱孟龙张红刘鹏曹宁通高永立
关键词:光电子能谱能级结构分子取向薄膜生长
2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩/Ni(100)的界面能级结构随薄膜厚度的演化被引量:2
2016年
利用紫外光电子能谱、X射线光电子能谱以及原子力显微镜系统研究了2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)生长在单晶Ni(100)上的能级结构随着薄膜厚度的演化以及薄膜的生长方式.发现第一层C8-BTBT平躺生长且与Ni基底发生了化学吸附反应.从第二层起分子直立生长且呈现岛状生长模式.这种平躺至直立的分子取向转变,导致薄膜的能级结构在第一层与第二层间发生阶梯式的变化,真空能级与最高占据能级同步下降.此后能带结构随着薄膜厚度的增加逐渐向下弯曲,功函数随着膜厚的增加而减小.同时还发现由于直立生长的C8-BTBT其层间电导率较差导致实验中的能级未能收敛.实验结果提示对基于Ni和C8-BTBT的自旋器件需要插入缓冲层并尽可能减少C8-BTBT的层数.
张红牛冬梅吕路谢海鹏张宇河刘鹏黄寒高永立
关键词:分子取向电子结构
共1页<1>
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