史常忻
- 作品数：41 被引量：35H指数：3
- 供职机构：上海交通大学微电子学院微电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术自动化与计算机技术理学更多>>
- MSM光电探测器被引量：1
- 1997年
- 1 引言 平面型的金属-半导体-金属(MSM)结构器件最早由美国的S.M.Sze等人于1971年首先提出概念,并研制成硅上的MSM结构器件。测试结果表明其特性不同于单个肖特基结器件。1985年,德国亚琛工业大学半导体电子学研究所的W.Roth等人率先将其应用于光电探测器(PD),研制成第一个GaAs MSM-PD。该结构解决了以前垂直结构的光电器件与平面结构的电子器件集成工艺方面的困难,具有制作工艺简单。
- 史常忻朱红卫
- 关键词：光电探测器肖特基势垒暗电流电压特性
- GaAs MSM光电探测器中电子渡越时间研究
- 1992年
- 根据 GaAs 材料的电子漂移速度与电场的非线性关系,研究了 GaAs MsM光电探测器电极间电子渡越时间与掺杂浓度 N_D、栅宽 L_g 和工作电压 V 的关系,结果表明,MSM-PD 电极间电子渡越时间存在极小值。对于电极间距离为3.0μm的 MSM-PD,掺杂浓度为1×10^(14)cm^(-3)的MSM-PD。工作电压为2倍平带电压时,电子渡越时间处于极小值。研究结果为设计高速响应 GaAs MSM 光电探测器及建立器件光电响应模型提供了依据。
- 王庆康史常忻
- 关键词：MSM光电探测器
- MSM结构GaAs探测器的抗辐照性能被引量：1
- 2000年
- 研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在 1 4MeV中子辐照下的性能 .测量了探测器经过 1 0 12 n/cm2 中子辐照剂量后的反向漏电流、电荷收集效率和最小电离粒子能谱 ,并且与 6 0 Co 1 2 5MeV光子辐照的测量结果相比较 .对中子辐照引起探测器时间性能变化和辐照损伤机制进行了探讨 .并根据实验结果提出了这种双金属接触GaAs探测器灵敏层分布的一种假设 。
- 李澄陈宏芳吴冲张永明许咨宗乐毅邵传芬史常忻
- 关键词：粒子探测器辐照损伤MSM结构
- p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器研究被引量：2
- 1993年
- 本文首次对具有p-InGaAs肖特基势垒增强层的p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器做了较系统研究。实验结果表明:具有20nm厚增强层器件的暗电流为3.5×10(-11)A(5伏,30×40μm^2);而具有40nm厚增强层器件的FWHMM为350ps(6伏)。
- 史常忻A.Mesquida KustersA.KohlR.MullerK.Heime
- 关键词：光电探测器肖特基势垒
- 影响WSi_x与GaAs接触特性的因素
- 1990年
- 自对准工艺可以降低GaAs FET的源漏电阻,提高跨导和截止频率.难熔金属硅化物WSi_x可用于自对准工艺.为得到较好的与GaAs接触的肖特基势垒特性和高温稳定性,本文较详细地实验研究了影响WSi_x与GaAs接触特性的诸因素,指出,除表面态外,主要有三种因素使WSi_x与GaAs之间的肖特基势垒二极管(SBD)性能变差:(1)Si在WSi_x中的含量;(2)界面情况——存在于GaAs表面的天然氧化层、退火后的互扩散和界面上生成的化合物;(3)溅射淀积WSi_x薄膜前,GaAs表面薄层的晶格状态.第三种因素对SBD性能的影响是在最近的实验中得到的.
- 李晓明史常忻忻尚衡
- 关键词：WSIXGAAS接触特性肖特基势垒
- Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试被引量：1
- 1997年
- 提出一种金属半导体金属Ｓｃｈｏｔｋｙ结构的粒子探测器．它用高迁移率、半绝缘的ⅢＶ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积（９ｍｍ２）的粒子探测器．经过能量为１．５ＭｅＶ、剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射和剂量分别为３００ｋＧｙ和５００ｋＧｙ的６０Ｃｏγ射线辐射，探测器能正常工作，是一种新型的经得起强辐射的粒子探测器．
- 邵传芬史常忻张利民
- 关键词：肖特基结构半导体探测器粒子探测器
- 铟镓砷光电探测器
- 铟镓砷光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层InP增强层、薄P型InP增强层、金属电极组成。本发明可获得比仅用InP势垒增强层更为高的势垒高度，仍然保持其晶格匹配，高速、低暗电流，工艺简单...
- 史常忻王庆康
- 文献传递
- 热退火对GaAs半导体晶片均匀性的影响被引量：1
- 1992年
- 主要讨论热退火(850℃退火2小时)对GaAs半导体晶片的位错密度和电阻率的影响,阐述了位错密度的分布与电阻率分布之间的关系。通过特殊的实验方法得到的结果证明:适当的退火处理将改善GaAs晶片中缺陷密度、电阻率的大小及分布,从而得到均匀性较好的GaAs材料。
- 孙良泉金能韫史常忻
- 关键词：砷化镓退火电阻率半导体晶片
- 具有势垒增强层的MSM光电探测器特性的模拟
- 1998年
- 无势垒增强型的金属—半导体—金属光电探测器（ＭＳＭ－ＰＤ）已有过理论分析［１］，而对具有完全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭ－ＰＤ则缺乏理论分析。文章将具有完全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭＰＤ简化为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性。其结果与实验的相符。
- 覃化史常忻王森章
- 关键词：光电器件探测器肖特基势垒
- 平面交叉指状电极间电场分布被引量：3
- 1998年
- 研究了具有金属－半导体－金属结构的探测器内部电场与其几何尺寸的关系，并求出了使探测器内部电场均匀性、稳定性达到最佳的几何条件。
- 史常忻覃化邵传芬曹俊峰
- 关键词：半导体器件MSM-PD光电器件
