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王庆康

作品数:128 被引量:221H指数:7
供职机构:上海交通大学电子信息与电气工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市科委纳米专项基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 79篇期刊文章
  • 41篇专利
  • 6篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 42篇电子电信
  • 20篇理学
  • 14篇电气工程
  • 12篇机械工程
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  • 4篇动力工程及工...
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇冶金工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 29篇纳米
  • 20篇电池
  • 19篇光电
  • 14篇探测器
  • 14篇刻蚀
  • 14篇光电探测
  • 14篇光电探测器
  • 13篇太阳电池
  • 12篇纳米压印
  • 10篇陷光结构
  • 9篇晶体
  • 9篇薄膜太阳电池
  • 8篇电极
  • 7篇电路
  • 7篇太阳能电池
  • 7篇紫外
  • 7篇光子
  • 7篇光子晶体
  • 7篇硅基
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机构

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  • 1篇中国矿业大学
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  • 1篇上海市纳米科...

作者

  • 128篇王庆康
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  • 14篇史常忻
  • 12篇段智勇
  • 9篇胡克想
  • 8篇王阳培华
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  • 6篇曾令刚
  • 6篇张双喜
  • 6篇李海华
  • 5篇沈向前
  • 5篇万霞
  • 5篇林志新
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  • 5篇刘建华
  • 5篇吴斌
  • 4篇严兴茂
  • 4篇张欣
  • 4篇李志奇
  • 4篇费继承

传媒

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  • 8篇半导体光电
  • 7篇微纳电子技术
  • 5篇上海交通大学...
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  • 4篇电子学报
  • 3篇太阳能学报
  • 3篇光学学报
  • 3篇光电子技术
  • 2篇光学精密工程
  • 2篇量子光学学报
  • 2篇微电子学
  • 2篇航空精密制造...
  • 2篇压电与声光
  • 1篇现代化工
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇电讯技术

年份

  • 2篇2019
  • 2篇2018
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  • 4篇2016
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  • 7篇2004
  • 7篇2003
  • 3篇2002
  • 5篇2001
  • 1篇2000
128 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
共布线微电极阵列芯片及其制备方法
本发明公开了一种共布线微电极阵列芯片及其制备方法;该微电极阵列芯片的微电极阵列结构层包括以光栅阵列结构排布的若干微电极以及叠加在所述光栅阵列上的呈点状阵列结构排布的若干微电极。本发明的芯片利用共布线原理和光刻套刻技术,采...
李海华王庆康
文献传递
一种薄膜太阳能电池陷光结构玻璃的制备及其应用
本发明涉及一种薄膜太阳能电池陷光结构玻璃的制备及其应用,该方法利用湿法刻蚀,在玻璃基片上得到半球凹坑阵列结构,结构具有周期性和对称性,拥有光子晶体的性能。首先通过光刻和显影,将模板上的图形转移到光刻胶中,之后通过去铬溶液...
王庆康沈向前钟建平黄堃严兴茂
文献传递
扫描隧道显微镜针尖自动控制刻蚀仪
一种扫描隧道显微镜针尖自动控制刻蚀仪属于测试技术领域。本发明由电路和电解池装置两个部分组成,电路包括电源输出部分电路、制动部分电路、逻辑判断及鸣警部分电路和电解池变化反馈部分电路,电解池装置由完全相同的左右两部分组成,其...
余昶王晖邹志强梁齐王庆康
文献传递
真空负压纳米压印装置
一种真空负压纳米压印装置。用于纳米加工技术技术领域。本发明主体是一个真空负压工作室,真空负压工作室底部密封,顶部有圆形石英片窗口,而圆形石英片窗口与真空负压工作室通过两个小法兰、一个大法兰、环形橡胶柔性绞链圆片、环形橡胶...
王庆康段智勇
文献传递
GaAs IC逻辑单元与或非DCFL特性计算机示波器方式模拟及电路设计被引量:1
1992年
从精确的包含源、漏电阻的器件 Shockley模型出发用计算机示波器方式模拟了 CaAs IC逻辑单元三输入端DCFL电路.模拟结果给出了三输入端DCFL的设计参数及三输入端信号相位对于DCFL逻辑输出特性的影响.模拟结果对于电路设计很有价值.
王庆康史常忻
关键词:计算机示波器数字电路
一种快速可变剪接模式搜索算法的研究
2006年
提出了一种快速可变剪接模式搜索算法--ASDT.该算法通过计算cDNA与基因序列的联配结构来寻找基因的可变剪接模式.ASDT计算中引入已知剪接信息,并采用增强后缀数组、块联配延伸和K最大参考路径等技术和方法来提高计算速度.与国外的BLAT软件的比较结果显示,在达到相同计算精度的前提下,ASDT的搜索速度是BLAT的2到16倍.根据ASDT算法开发的工具可以在以下网址获得: http://www.scbit.org/ASDT/.
张欣赵静王庆康曹志伟
关键词:可变剪接EST
In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器光电响应速度研究
1993年
本文通过分析In_(0.53)Ga_(0.47)As材料的电子漂移速度与电场的非线性关系,研究了In_(0.53)Ga_(0.47)As金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD)的光电响应与指状电极间距离、光吸收层杂质浓度及工作电压之间的关系。研究结果表明、光电响应速度存在最佳值。用计算机辅助分析得到的In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM-PD的光电响应时间与偏置电压的关系与实验器件实测结果相一致。研究结果为设计高速响应In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM-PD及建立器件光电响应模型提供了依据。
王庆康史常忻
关键词:金属-半导体光电探测器光电响应
激发表面等离子体的纳米光刻方法
一种半导体技术领域的激发表面等离子体的纳米光刻方法,首先利用电子束刻蚀方法将三角形Kretschmann棱镜结构制备成三角形光栅结构的石英模板,然后在石英模板的结构上沉积一层金属膜作为掩模板,最后在基片上甩涂一层光刻胶,...
李海华王庆康朱明轩
文献传递
铟镓砷光电探测器
锢镓砷光电探测器,属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、InP增强层、金属电极组成。具有结构新颖、无需掺Fe、工艺简单、稳定可靠、成品率高,势垒增强效果好,长波长(1.3~1.55微米)响应,高速,...
史常忻王庆康
文献传递
MSM光电探测器特性二维数值模拟被引量:2
1992年
为了解释在InGaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM—PD)内光产生载流子的行为及器件内电场分布,本文用有限元法数值求解了含复合项的二维泊松方程、电流连续方程及电荷俘获速率方程。得到了InGaAs MSM光电探测器的电流—电压特性及器件内电场和载流子分布。模拟结果解释了实验观察到的雪崩击穿现象,并表明电子电流比空穴电流提前饱和。
王庆康史常忻Wolfram Bettermann
关键词:光电探测器
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