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卫常红

作品数：7 被引量：4H指数：1
供职机构：天津理工学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 6篇发光
  • 4篇电致发光
  • 3篇显示器
  • 3篇场发射显示
  • 3篇场发射显示器
  • 2篇薄膜电致发光
  • 2篇TFEL器件
  • 2篇FED
  • 2篇GD
  • 2篇M
  • 1篇低压
  • 1篇电压
  • 1篇电压特性
  • 1篇荧光粉
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化锌
  • 1篇矩阵
  • 1篇光强
  • 1篇光强度
  • 1篇光现象

机构

  • 7篇天津理工学院
  • 1篇南开大学

作者

  • 7篇卫常红
  • 4篇华玉林
  • 3篇侯延冰
  • 3篇熊光楠
  • 3篇王文静
  • 3篇李岚
  • 2篇俞守良
  • 1篇梁翠果
  • 1篇徐叙
  • 1篇冯秀岚
  • 1篇许秀来
  • 1篇徐春祥
  • 1篇王世铭
  • 1篇陶洪武

传媒

  • 4篇天津理工学院...
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇热固性树脂

年份

  • 1篇2001
  • 2篇1999
  • 1篇1995
  • 3篇1994
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
薄膜电致发光双色矩阵屏的研制被引量：1
1994年
薄膜电致发光双色矩阵屏的研制卫常红，冯秀岚，侯延冰，王文静，华玉林（天津理工学院材料物理所３００１９１）１引言近些年来，作为主要的信息显示器件之一的薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件，由于其具有发光效率高、平板固体化、视角大、使用温度范围广和制备工艺简单等...
卫常红冯秀岚侯延冰王文静华玉林
关键词：电致发光
ZnS：Mn^（2＋）电致发光激发过程
1994年
本文利用光激发光谱、电致发光波形和分时光谱相结合，并配合数学计算仔细地研究和比较了ＺｎＳ：Ｍｄ（２＋）薄膜和ＺｎＳ：ｐｒ（３＋）薄膜的电致激发发光过程，解释了Ｍｎ作为最有效发光中心的原因．
侯延冰王文静卫常红华玉林
关键词：电致发光硫化锌锰
FEDs用荧光粉亮度和效率研究被引量：3
2001年
对目前国内外FED荧光粉的研究现状进行了综合的描述,特别对涉及的关键问题给予评论,介绍了两种新的荧光粉的主要指标。
李岚卫常红王世铭熊光楠陶洪武许秀来
关键词：发光亮度发光效率场发射显示器
新型FED粉( Gd_(2～m)Zn_m)O_3:Eu^(3+)发光性能研究
1999年
本文对一种新型红色低压荧光粉（Ｇｄ_２～_ｍＺｎ_ｍ）Ｏ_３：Ｅｕ^（３＋）的光谱特性进行了讨论。研究了不同ＺｎＯ含量、不同烧结气氛对其发光强度的影响。
卫常红李岚熊光楠俞守良
关键词：FED铕发光性能场发射显示器
TFEL系统中一种新的发光现象
1994年
在我们的实验中发现ＴＦＥＬ器件中有一种新的发光现象。在一定工艺条件下制成ＺｎＳ：ＥｒＦ３的样品中有两次亮度跃升。在第二次亮度跃升中器件的光谱发生明显的变化．Ｅｒ３＋的５２８５的绿光在第二次跃升中变化两个数量级，而兰光和红光却没有发生这种突变，我们认为这种第二次突变可能与在高场下ＥＬ中有较多电子达到较大能量有关。
王文静侯延冰卫常红华玉林
关键词：电致发光TFEL器件
ZnS：Ag^＋AC TFEL器件的制备及发光特性研究
1995年
通过对ＺｎＳ：Ａｇ￣＋薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件的光学性质的研究，探讨了能获得稳定兰色发光的ＴＦＥＬ器件的制备及有利于ＺｎＳ：Ａｇ￣＋兰色发光的实验条件，同时讨论了光的干涉对ＺｎＳ：Ａｇ￣＋ＴＦＥＬ光谱的影响。在实验中得到的ＺｎＳ：Ａｇ￣＋ＴＦＥＬ光谱是包含几个隆起的宽带，通过计算证明这些隆起的出现与光的干涉有关。Ａｇ￣＋的浓度对ＺｎＳ：Ａｇ￣＋ＴＦＥＬ器件的发光亮度和稳定性有显著的影响，Ａｇ￣＋浓度约为０．０３ｍｏｌ％时，器件亮度较高，稳定性也较好。浓度再大时，亮度和稳定性较低。较高的电压有利于ＺｎＳ：Ａｇ￣＋兰色发光的提高，激发频率也存在一个最佳值。
徐春祥卫常红华玉林徐叙
关键词：薄膜电致发光发光强度
低压FED粉(Gd_(2-m)Zn_m)O_3:Eu^(3+)阈值电压特性的研究
1999年
低压ＦＥＤ 荧光粉现在存在着一个比较大的问题就是红色荧光粉的阈值电压高， 发光效率低－本文对一种新型红色低压荧光粉（Ｇｄ２ － ｍＺｎ ｍ）Ｏ３ ：Ｅｕ３ ＋
卫常红李岚熊光楠俞守良梁翠果
关键词：FED低压场发射显示器
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