您的位置： 专家智库 > >

王文静

作品数：7 被引量：7H指数：2
供职机构：天津理工学院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇发光
  • 5篇电致发光
  • 2篇薄膜电致发光
  • 2篇TFEL器件
  • 1篇电子输运
  • 1篇电子输运特性
  • 1篇氧化硅
  • 1篇输运
  • 1篇输运特性
  • 1篇频率特性
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化锌
  • 1篇矩阵
  • 1篇光现象
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇发光现象
  • 1篇SIO
  • 1篇ZNS:MN
  • 1篇锰
  • 1篇L系统

机构

  • 7篇天津理工学院
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 7篇王文静
  • 5篇侯延冰
  • 4篇徐叙瑢
  • 4篇华玉林
  • 3篇卫常红
  • 2篇冯秀岚
  • 2篇邓振波
  • 1篇徐征
  • 1篇蔡军

传媒

  • 3篇天津理工学院...
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇1995
  • 3篇1994
  • 2篇1992
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
ZnS：Mn^（2＋）电致发光激发过程
1994年
本文利用光激发光谱、电致发光波形和分时光谱相结合，并配合数学计算仔细地研究和比较了ＺｎＳ：Ｍｄ（２＋）薄膜和ＺｎＳ：ｐｒ（３＋）薄膜的电致激发发光过程，解释了Ｍｎ作为最有效发光中心的原因．
侯延冰王文静卫常红华玉林
关键词：电致发光硫化锌锰
薄膜电致发光双色矩阵屏的研制被引量：1
1994年
薄膜电致发光双色矩阵屏的研制卫常红，冯秀岚，侯延冰，王文静，华玉林（天津理工学院材料物理所３００１９１）１引言近些年来，作为主要的信息显示器件之一的薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件，由于其具有发光效率高、平板固体化、视角大、使用温度范围广和制备工艺简单等...
卫常红冯秀岚侯延冰王文静华玉林
关键词：电致发光
场致发光的频率特性和传导电荷的关系
本文研究了电致发光屏的传导电荷和亮度的频率特性。发现低频的传导电荷值明显大于高频传导电荷值。亮度随频率的变化关系是对数型的。
王文静邓振波华玉林徐叙瑢
文献传递
电致发光中SiO_2加速层中电子的输运特性被引量：5
1995年
研究作为电致发光的加速层的SiO_2中电子的输运行为.给出SiO_2层中陷阶辅助电荷输运的理论模型,并用实验对这一模型进行了验证.认为电致发光条件下SiO_1层中的电子在低场下是以陷阱跳跃的形式输运的,而在高场下陷阱中的电子离化进入导带.
王文静徐叙瑢蔡军
关键词：二氧化硅电致发光电子输运特性
TFEL系统中一种新的发光现象
1994年
在我们的实验中发现ＴＦＥＬ器件中有一种新的发光现象。在一定工艺条件下制成ＺｎＳ：ＥｒＦ３的样品中有两次亮度跃升。在第二次亮度跃升中器件的光谱发生明显的变化．Ｅｒ３＋的５２８５的绿光在第二次跃升中变化两个数量级，而兰光和红光却没有发生这种突变，我们认为这种第二次突变可能与在高场下ＥＬ中有较多电子达到较大能量有关。
王文静侯延冰卫常红华玉林
关键词：电致发光TFEL器件
TFEL器件亮度波形的快速过程被引量：2
1995年
研究了ＴＦＥＬ亮度波形的上升与衰减过程，发现除一般的直接碰撞激发外，在发光中心的离导带较近的能级跃迁的发光中还存在另一种非常快的发光过程．通过分析ＺｎＳ：Ｅｒ３＋、Ｔｉｎ３＋、Ｃｅ３＋＋Ｎｄ３＋等不同样品，我们认为这种快过程属于导带中的慢电子与离化了的发光中心的复合．
王文静侯延冰徐叙瑢
关键词：TFEL器件
薄膜电致发光中预热层的研究
在我们制备的新结构薄膜电致发光(TFEL)屏中,相邻层SiO/SiO不仅充当绝缘层而且起到了预热和加速电子的作用。与传统的夹心结构屏相比我们得到了高能量的加速电子和比较大的离化系数。主要贡献是SiO层,但SiO预热层的作...
邓振波王文静侯延冰徐征冯秀岚徐叙瑢
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0