- 光子晶体和织构化薄膜转印提高LED出光效率的方法
- 本发明提出一种织构化薄膜转印提高半导体发光二极管出光效率的方法，具体包括以下步骤：研制出传统的半导体发光二极管；将半导体发光二极管管芯倒装焊；制作微纳米图形转印和织构化薄膜：用设计好的光刻版图制作微纳米图形的模板；选用和...
- 章蓓包魁罗春雄陈志忠季航陈勇
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- 一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
- 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化...
- 李睿胡晓东徐科代涛陈伟华胡成余包魁王彦杰张国义
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- 基于周期性微结构的氮化镓基发光二极管
- 如何提高氮化镓基发光二极管(GaN基LED)的出光效率是半导体照明技术研究的热点，目前还没有十分有效的方法解决这一问题，在这个领域还有广阔的研究空间。表面粗糙化的方法可以提高GaN基LED的出光效率，但存在可控性差的问题...
- 包魁
- 关键词：发光二极管半导体照明激光剥离衍射效应出光效率
- 薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法
- 本发明公开了一种薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法，属于GaN基发光二极管技术领域。该方法包括：在蓝宝石衬底上生长多层GaN基发光二极管材料，包括非掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱、P型GaN层；在Ga...
- 康香宁章蓓包魁代涛张国义
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- 薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法
- 本发明公开了一种薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法，属于GaN基发光二极管技术领域。该方法包括：在蓝宝石衬底上生长多层GaN基发光二极管材料，包括非掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱、P型GaN层；在Ga...
- 康香宁章蓓包魁代涛张国义
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- 用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强被引量：1
- 2007年
- 为了进一步提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构的新构想.根据这一构想,将微结构图形化压印和发光器件的封装有机地结合起来,利用一种简易可行的纳米压印-热硬化性聚合物压印技术,成功地制备出了带有微米级阵列超薄封装结构的LED.结果表明,这种带有微结构阵列LED的输出光强得到了明显增强,1mm×1mm大管芯GaN LED在350mA的直流电注入下的光功率比无微结构的LED提高了60%.这一成功为提高发光二极管的出光强度提供了一个有效的新途径.
- 包魁章蓓代涛康香宁陈志忠王志敏陈勇
- 关键词：GAN基发光二极管出光效率纳米压印技术微结构
- 垂直电极结构GaN基发光二极管的研制被引量：4
- 2007年
- 利用激光剥离技术(LLO)和晶片键合技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰都呈现红移,这都来源于去除蓝宝石后薄膜中应力的释放.采用金属In和Pd的合金化键合过程解决了GaN材料与Si衬底的结合问题,结合逐个芯片剥离和键合的方式实现了GaN大面积均匀转移.成功研制了激光剥离垂直电极结构的GaN基LED,L-I测试特性表明器件的热饱和电流和出光功率都有很大的提高.
- 康香宁包魁陈志忠徐科章蓓于彤军聂瑞娟张国义
- 关键词：GANLED激光剥离垂直电极
- 高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法
- 本发明提供一种高亮度GaN基发光二极管的结构和其制备的技术方案，提出一种具有表面图形化和微结构的高亮度LED结构，具体结构是采用纳米压制技术在LED的发光面上制备具有各种图形的有机材料薄膜，间接的在LED表面形成有利于有...
- 康香宁章蓓陈勇包魁徐科张国义陈志忠胡晓东
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- 基于光子晶格结构的InGaN/GaN系发光器件
- 本文综合报道我们近年来将光子晶格结构运用于InGaN/GaN量子阱发光器件即激光器和发光二极管的研究成果。我们发展了几种独特的在GaN系材料系发光器件上制备光子晶格结构的技术;运用电注入器件的显微电致发光以及扫描近场光学...
- 章蓓康香宁代涛包魁
- 关键词：氮化镓光子晶格激光二极管电致发光
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- 一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
- 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化...
- 李睿胡晓东徐科代涛陈伟华胡成余包魁王彦杰张国义
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