刘欣
- 作品数：16 被引量：43H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 相关领域：电子电信建筑科学理学一般工业技术更多>>
- 低温陶瓷共烧技术——MCM-C发展新趋势被引量：18
- 2002年
- 介绍了目前国际上厚膜混合工艺技术的动态 ,指出了低温共烧陶瓷技术 (LTCC)是MCM- C发展的重要趋势。探讨了国内 MCM- C技术的现状 ,认为必须同 IC技术保持紧密的联系 。
- 冉建桥刘欣唐哲刘中其
- 关键词：低温共烧陶瓷MCM-C
- 圆片级封装的无铅焊料凸点制作技术研究被引量：5
- 2005年
- 对圆片级封装(WLP)的结构设计和关键工艺技术进行了研究;描述了凸点下金属(UBM)层的选择,凸点回流技术,以及凸点的质量控制技术;重点阐述了采用电镀制作无铅焊料凸点的方法。
- 罗驰叶冬刘建华刘欣
- 关键词：圆片级封装无铅焊料凸点
- 基于MCM-D工艺的3D-MCM工艺技术研究被引量：2
- 2010年
- 基于MCM-D薄膜工艺,开展了3D-MCM相关的无源元件内埋置、芯片减薄、芯片叠层组装、低弧度金丝键合、芯片凸点,以及板级叠层互连装配等工艺技术研究。通过埋置型基板、叠层芯片组装、板级叠层互连,实现了3D-MCM结构,制作出薄膜3D-MCM样品;探索出主要的工艺流程及关键工序控制方法,实现了薄膜3D-MCM封装。
- 刘欣谢廷明罗驰刘建华唐哲
- 关键词：3D-MCM
- 提高导热和过流能力的基板制作方法
- 一种提高导热和过流能力的基板制作方法，是在BeO材料片正面溅射Ti层和Cu层，光刻BeO基板的导带图形；电镀Cu层和Ni层，带胶溅射Au层；去光刻胶，腐蚀Cu/Ti，在所述BeO基板的背面溅射Ti、Ni和Au层，形成一种...
- 罗驰刘欣唐喆叶冬徐学良
- 文献传递
- 混合电源隔离工艺控制研究被引量：1
- 2010年
- 介绍了混合电源隔离工艺控制方法;重点分析了气体及固体隔离失效的机理、安全间隙距离、常用绝缘介质材料隔离特性;结合隔离失效实例,以500 V直流电压隔离要求为例,从电路结构、版图设计、操作等方面进行改进,从工艺上满足隔离要求,取得了明显效果。
- 肖玲刘欣
- 关键词：DC/DC转换器绝缘介质气体介质
- 电化学制备金锡合金薄膜技术研究被引量：11
- 2010年
- 共晶成分的金锡合金具有诸多优异性能,文章介绍了一种制备金锡合金的方法,采用该方法在陶瓷基体上面制备金锡薄膜焊料。对焊料的成分进行了检测,对焊料的焊接性能和焊接可靠性进行了测试。试验结果满足GJB548相关要求。
- 刘欣胡立雪罗驰
- 关键词：电化学可靠性
- 芯片级封装技术研究被引量：2
- 2005年
- 对刚性基板倒装式和晶圆再分布式两种结构的芯片级封装(CSP)进行了研究,描述了CSP的工艺流程;详细讨论了CSP的几项主要关键技术结构设计技术,凸点制作技术,包封技术和测试技术;阐述了采用电镀和丝网漏印制备焊料凸点的方法。
- 罗驰邢宗锋叶冬刘欣刘建华曾大富
- 关键词：微组装芯片级封装凸点封装技术焊料凸点
- 二十四所混合集成电路技术发展历程与展望
- 2008年
- 回顾了二十四所混合集成电路专业方向的发展历程。按不同历史阶段,介绍了二十四所混合集成电路二十余年的技术进步轨迹和所取得的主要成就;最后,对二十四所混合集成电路未来的发展前景进行了展望。
- 刘中其曾平刘欣冉建桥蒋和全
- 关键词：混合集成电路厚膜工艺
- 高可靠硅基MCM芯片凸点技术研究
- 2008年
- 介绍了采用芯片凸点和倒装焊技术(FCB)的MCM-Si工艺,重点研究了凸点下金属化(UBM)结构设计对电路可靠性的影响;通过再流焊和可靠性试验,以及凸点拉脱力测试,进行了可靠性评价。采用该工艺制作的电路已达到《混合集成电路通用规范》(GJB2438A-2002)可靠性等级的H级。
- 叶冬刘欣刘建华罗驰
- 关键词：多芯片组件倒装焊
- 晶圆级封装中的SnPb焊料凸点制作工艺被引量：2
- 2004年
- 以晶圆级封装工艺技术(WLP)研究为基础,阐述了电化学淀积SnPb焊料凸点的工艺控制过程。采用电化学淀积方法,制备出150μm高(均匀性为±10μm)的SnPb焊料凸点。经扫描电镜分析,SnPb焊料凸点的成份含量(63/37)控制在5%范围之内。
- 杨立功罗驰刘欣刘建华叶冬
- 关键词：晶圆级封装焊料凸点
