刘成海
- 作品数：13 被引量：29H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院科研项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料被引量：4
- 2000年
- 介绍了用NH3 MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN AlN GaN极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气”。GaN单层膜的室温电子迁移率为 30 0cm2 Vs。二维电子气材料的迁移率为 6 80cm2 Vs(RT)和 1 70 0cm2 Vs(77K) ,相应的二维电子气的面密度为 3.2× 1 0 13cm- 2 (RT)和 2 .6x1 0 13cm- 2 (77K ) .
- 孙殿照刘宏新王军喜王晓亮刘成海曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：氮化镓分子束外延二维电子气极化
- 高温微电子器件用GSMBE氮化物材料
- 孙殿照王晓亮王军喜胡国新刘宏新朱世荣张剑平李晓兵刘成海黄运衡曾一平李晋闽孔梅影林兰英
- 该项目为GSMBE技术，是MBE技术的一种，根据所使用的气体不同可 分为使用氨气的NH_3-MBE和使用氮气等离子体的RF-MBE。前者依靠热分解把氨分子分解成氮原子，而后者则利用射频电磁场将氮分子裂解成氮原子。该课题使...
- 关键词：
- 关键词：微电子GSMBE氮化物
- RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料被引量：3
- 2001年
- 用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF -MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 .所外延的GaN膜室温背景电子浓度为 2× 10 17cm-3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /Vs;GaN (0 0 0 2 )X射线衍射摇摆曲线半高宽 (FWHM)为 6arcmin .;AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为 730cm2 /Vs ,相应的电子气面密度为 7.6× 10 12 cm-2 ;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管 (HFET)室温跨导达 5 0mS/mm (栅长 1微米 ) ,截止频率达 13 .2 5GHz(栅长 0 .5微米 ) ,可在 30
- 胡国新孙殿照王晓亮刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：RF-MBEALGAN/GAN半导体材料氮化镓
- 分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料被引量：2
- 2002年
- 用自组装的氨源分子束外延 (NH3-MBE)系统和射频等离子体辅助分子束外延 (PA-MBE)系统在 C面蓝宝石衬底上外延了优质 Ga N以及 Al Ga N/Ga N二维电子气材料。Ga N膜 (1 .2 μm厚 )室温电子迁移率达3 0 0 cm2 /V· s,背景电子浓度低至 2× 1 0 1 7cm- 3。双晶 X射线衍射 (0 0 0 2 )摇摆曲线半高宽为 6arcmin。 Al Ga N/Ga N二维电子气材料最高的室温和 77K二维电子气电子迁移率分别为 73 0 cm2 /V·s和 1 2 0 0 cm2 /V· s,相应的电子面密度分别是 7.6× 1 0 1 2 cm- 2和 7.1× 1 0 1 2 cm- 2 ;用所外延的 Al Ga N/Ga N二维电子气材料制备出了性能良好的 Al Ga N/Ga N HFET(异质结场效应晶体管 ) ,室温跨导为 5 0 m S/mm(栅长 1 μm) ,截止频率达 1 3 GHz(栅长 0 .5μm)。该器件在 3 0 0°C出现明显的并联电导 。
- 孙殿照王晓亮胡国新王军喜刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：分子束外延ALGAN/GAN二维电子气异质结场效应晶体管氮化铝
- 极化诱导AlxGa1-xN/GaN HEMT结构材料及器件性能研究
- Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT结构材料可产生的二维电子气浓度可大于10<...
- 王晓亮孙殿照王军喜胡国新刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：自发极化压电极化二维电子气HEMT器件
- 文献传递
- 分子束外延Ⅲ族氮化物场效应晶体管材料
- 本文报道了使用NH<,3>-MBE技术和PA-MBE在C面蓝宝石上外延高质量GaN以及AlGaN/GaN二准电子气材料的结果.
- 孙殿照王晓亮胡国新王军喜刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：分子束外延GANALGAN/GAN半导体材料
- 文献传递
- 高质量氮化镓材料的光致发光研究被引量：3
- 2001年
- 利用氨气源分子束外延 ( GSMBE)技术 ,在改型 型分子束外延设备上生长高质量 Ga N单晶外延材料 ,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱 ,系统地研究 Ga N的发光峰及其起源 ,并对常见的黄色发光带现象及其微结构起因进行探讨。
- 王军喜孙殿照王晓亮刘宏新刘成海曾一平李晋闽侯洵林兰英
- 关键词：氮化镓光致发光分子束外延GSMBE光电器件
- 一种自动检测露点仪
- 本实用新型公开了一种不依赖肉眼判断镜面结露，能够自动检测气体露点的镜面露点仪。它的检测部分设有光敏的结露监测电路以及由此监测电路控制的镜面温度测量电路。它具有使用方便、检测效率高以及数据准确、可靠等诸多优点。
- 雷沛云彭永清闻瑞梅刘成海
- 文献传递
- RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料被引量：7
- 2001年
- 用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF- MBE)在 C面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料 .所外延的 Ga N膜室温背景电子浓度为 2× 10 1 7cm- 3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /(V· s) ;Ga N (0 0 0 2 ) X射线衍射摇摆曲线半高宽 (FWHM)为 6′;Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为 730 cm2 /(V· s) ,相应的电子气面密度为 7.6× 10 1 2 cm- 2 ;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管 (HFET)室温跨导达 5 0 m S/mm (栅长 1μm) ,截止频率达 13GHz(栅长 0 .5 μm)
- 孙殿照胡国新王晓亮刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：RF-MBE生长二维电子气ALGAN/GAN分子束外延生长氮化镓
- GSMBE生长的高质量氮化镓材料被引量：9
- 2000年
- 使用 NH3作氮源 ,采用 GSMBE方法在 ( 0 0 0 1 ) Al2 O3衬底上生长出了高质量的 Ga N单晶外延膜 .1 .2 μm厚的 Ga N外延膜的 ( 0 0 0 2 ) X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为 6′,室温电子迁移率为 30 0 cm2 /( V· s) ,背景电子浓度约为 3× 1 0 17cm- 3.
- 孙殿照王晓亮王军喜刘宏新刘成海曾一平李晋闽侯洵林兰英
- 关键词：氮化镓分子束外延GSMBE
