刘其娅
- 作品数：12 被引量：11H指数：3
- 供职机构：西南交通大学更多>>
- 发文基金：四川省应用基础研究计划项目博士科研启动基金四川省教育厅重点项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程更多>>
- 一种制备染料敏化太阳能电池对电极碳薄膜的方法
- 一种制备染料敏化太阳能电池对电极碳薄膜的方法，其步骤主要是:a、将石英棒依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗；b、将石英棒干燥，放在衬底上，安装99.99％的石墨靶材，靶材到石英棒为5‑7cm，将真空室抽真空至2×10<S...
- 羊新胜张洁刘其娅赵婷刘悦赵可赵勇
- 文献传递
- 拓扑绝缘体异质结构薄膜Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>/C的制备方法
- 本发明公开了一种拓扑绝缘体异质结构薄膜Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>/C的制备方法，其步骤主要是：a、碳基膜的制备：在基片上磁控溅射形成无定形膜；b、碳膜退火成相：将a步得到的基片封入气压小于1...
- 羊新胜张洁刘其娅赵婷刘悦赵可赵勇
- 文献传递
- 一种ZnO粉末的提纯方法
- 本发明涉及一种适用于ZnO粉末提纯的工艺。在石英安瓿中采用抽空加热并结合石墨辅助化学气相法对ZnO粉末进行提纯。测试结果显示，提纯后得到的ZnO多晶杂质离子(如Ag、Cu、Pb等对器件影响较大的深能级、多能级重金属离子)...
- 曾体贤蒋屿潞黄超刘其娅杨尚云
- 文献传递
- CdSe薄膜的研究进展被引量：3
- 2015年
- 本文主要阐述了典型的Ⅱ-Ⅵ族化合物CdSe薄膜的研究现状。利用电化学沉积法、化学水浴沉积法、热蒸发沉积法等不同的薄膜制备工艺制备CdSe薄膜,并对CdSe薄膜在太阳能电池和光电器件等几个方面的优势进行分析,且对CdSe薄膜将来的发展趋势进行了讨论和展望。
- 毛玺麟曾体贤刘其娅张敏杨辉
- 关键词：CDSE薄膜性能及应用
- CdSe纳米晶薄膜的制备与特性研究被引量：3
- 2013年
- 采用真空热蒸发技术,在光学玻璃基片上生长出排列整齐、高质量的CdSe纳米晶薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(IR)等进行表征。结果表明,薄膜结晶性能较好,纳米晶颗粒约为40～70 nm,呈半月状,排列整齐;化学元素配比为49.4∶50.6,稍微富Se;红外透过率高,禁带宽度为1.89 eV,高于块状的CdSe晶体(1.70 eV)。
- 曾体贤刘其娅陈太红谌家军
- 关键词：CDSE薄膜热蒸发透过率禁带宽度
- 一种异质结薄膜的制备方法
- 一种异质结薄膜的制备方法，1)将硝酸镧，硝酸锶和硝酸锰按7:3:10的配比溶解在N，N‑二甲基甲酰胺中；2)加入聚乙烯吡咯烷酮并超声形成胶体；3)将胶体在匀胶机设备中均匀涂覆在Si基底上；4)将基底片置于管式炉中，先在7...
- 张敏刘立刚曾体贤陈太红杨辉刘其娅
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- 拓扑绝缘体异质结构薄膜Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>/C的制备方法
- 本发明公开了一种拓扑绝缘体异质结构薄膜Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>/C的制备方法，其步骤主要是：a、碳基膜的制备：在基片上磁控溅射形成无定形膜；b、碳膜退火成相：将a步得到的基片封入气压小于1...
- 羊新胜张洁刘其娅赵婷刘悦赵可赵勇
- 一种封闭式多功能的单摆实验仪器
- 本实用新型公开了一种封闭式多功能的单摆实验仪器，包括：底座(1)、支架(3)、摆线(10)、铁质金属摆球(12)；还包括红外线传感器(2)，固定在支架(3)底端与铁质金属摆球(12)通过的最低点对齐。本实用新型增加了真空...
- 曾体贤蒋屿潞黄超刘其娅杨尚云
- 文献传递
- 基于Si衬底的CdSe薄膜蒸镀工艺研究被引量：4
- 2017年
- 采用真空蒸发技术在Si(100)基底上制备了CdSe纳米晶薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、膜厚测试仪、原子力显微镜(AFM)方法对不同蒸发电流下制备的薄膜的结晶情况、表面形貌进行分析表征。结果表明:蒸发电流对CdSe薄膜的结晶性能和表面形貌有显著影响。当蒸发电流为75 A时,CdSe薄膜沿(002)方向的衍射峰相对较强,沿c轴取向择优生长优势明显,薄膜厚度约为160 nm,晶粒尺寸约为40 nm,颗粒均匀;薄膜表面平整光滑,表面粗糙表面粗糙度(5.63 nm)相对较低,薄膜结晶质量较好。
- 肖飞曾体贤杨辉刘其娅裴传奇张敏
- 关键词：CDSE薄膜表面形貌
- 蒸发电流对CdSe薄膜的结晶性能影响研究
- 2016年
- 采用真空热蒸发技术,选取系列蒸发电流在光学玻璃基底上制备出Cd Se薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜对样品的结构和表面形貌进行了表征。结果显示:蒸发电流为75 A时,Cd Se薄膜沿(002)方向择优生长,衍射峰较强,半峰宽较小,晶粒(约48 nm)分布较均匀,表面粗糙度低(5.58 nm),无裂纹。蒸发电流不改变薄膜的结晶取向,但电流过低时,薄膜的表面颗粒轮廓模糊且有间隙,结晶性差;电流高于75 A时,随电流升高,薄膜结晶性逐步降低,颗粒变小,半峰宽变大,部分样品表面晶粒生长不完整,表面出现裂纹。
- 裴传奇张敏张志勇杨辉刘其娅曾体贤
- 关键词：CDSE薄膜热蒸发
