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杨辉

作品数：9 被引量：12H指数：2
供职机构：西华师范大学物理与空间科学学院更多>>
发文基金：四川省应用基础研究计划项目博士科研启动基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 3篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇CDSE薄膜
  • 2篇单晶
  • 2篇电流
  • 2篇蒸发
  • 2篇中红外
  • 2篇晶体
  • 2篇红外
  • 2篇CDSE
  • 2篇波片
  • 1篇单晶体
  • 1篇第一性原理
  • 1篇电学性能
  • 1篇电子性质
  • 1篇形貌
  • 1篇性能及应用
  • 1篇熔液
  • 1篇水平梯度
  • 1篇热蒸发
  • 1篇卤素
  • 1篇密度泛函

机构

  • 9篇西华师范大学
  • 3篇中国科学院国...
  • 1篇南京理工大学
  • 1篇四川大学
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇西南应用磁学...

作者

  • 9篇杨辉
  • 7篇曾体贤
  • 3篇张志勇
  • 3篇刘其娅
  • 2篇陈太红
  • 1篇任维义
  • 1篇冯志伟
  • 1篇吴卫东
  • 1篇魏占涛
  • 1篇胡永琴
  • 1篇安辛友
  • 1篇肖飞

传媒

  • 5篇人工晶体学报
  • 2篇硅酸盐通报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇影像科学与光...

年份

  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
ZnO晶体Al杂质与Zn间隙共存的复合缺陷研究被引量：1
2016年
利用第一性原理,研究了ZnO晶体Al杂质与Zn间隙共存的复合缺陷(AlZnZni)电子结构和光学性质。计算结果显示,AlZnZni复合缺陷的形成能为-3.180 e V,较低的形成能表明这种缺陷容易形成;复合缺陷使ZnO晶体的能带整体下移,带隙减小,价带区域展宽;电子能带结构的变化对ZnO的光学性质在低能产生了重要影响,主要表现在:介电函数虚部往低能方向移动且强度显著增强,使得ZnO表现出简并半导体的特性;复合缺陷导致ZnO晶体光学吸收边缘产生了红移,可见光区的吸收系数增大,透过率降低。
曾体贤胡永琴杨辉王茂州张敏樊龙吴卫东
关键词：ZNO第一性原理
基于Si衬底的CdSe薄膜蒸镀工艺研究被引量：4
2017年
采用真空蒸发技术在Si(100)基底上制备了CdSe纳米晶薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、膜厚测试仪、原子力显微镜(AFM)方法对不同蒸发电流下制备的薄膜的结晶情况、表面形貌进行分析表征。结果表明:蒸发电流对CdSe薄膜的结晶性能和表面形貌有显著影响。当蒸发电流为75 A时,CdSe薄膜沿(002)方向的衍射峰相对较强,沿c轴取向择优生长优势明显,薄膜厚度约为160 nm,晶粒尺寸约为40 nm,颗粒均匀;薄膜表面平整光滑,表面粗糙表面粗糙度(5.63 nm)相对较低,薄膜结晶质量较好。
肖飞曾体贤杨辉刘其娅裴传奇张敏
关键词：CDSE薄膜表面形貌
硒化镉单晶体的研究进展被引量：1
2016年
总结了CdSe单晶体的多种生长方法,包括温度梯度熔体法,移动区熔法,助熔剂法和气相提拉法等,其中气相提拉法能有效提高CdSe单晶体的晶体纯度及光学质量。介绍了CdSe晶体用于红外非线性光学器件以及室温核辐射探测器件的研究进展,并对CdSe晶体制作中红外偏振测量用波片进行了展望。
杨辉张志勇张敏王茂州陈太红曾体贤
制备CdSiP_2单晶体的研究进展
2015年
磷硅镉(CdSiP_2)晶体是一种性能优异的新型红外非线性光学晶体材料。自上世纪60年代末期,人们尝试采用卤素辅助气相输运和锡熔液生长法生长CdSiP_2晶体,但得到的晶体尺寸小、质量差,不能满足器件制备的要求。水平梯度冷凝法虽然可以生长较大尺寸晶体,对生长技术和设备条件的要求较高,生长环境不稳定,无法解决化学计量偏离和孪晶缺陷等的问题。近年来,采用布里奇曼法获得了尺寸较大、质量较好的CdSiP_2单晶体,为激光频率转换器件的制备奠定了基础,但晶体性质参数的缺乏、生长工艺的不成熟与难以避免的宏观缺陷严重制约了器件的应用,也是亟待解决的问题。
杨辉王茂州曾体贤
CdSe薄膜的研究进展被引量：3
2015年
本文主要阐述了典型的Ⅱ-Ⅵ族化合物CdSe薄膜的研究现状。利用电化学沉积法、化学水浴沉积法、热蒸发沉积法等不同的薄膜制备工艺制备CdSe薄膜,并对CdSe薄膜在太阳能电池和光电器件等几个方面的优势进行分析,且对CdSe薄膜将来的发展趋势进行了讨论和展望。
毛玺麟曾体贤刘其娅张敏杨辉
关键词：CDSE薄膜性能及应用
成像级CdSe中红外波片的表面处理工艺研究被引量：1
2017年
本文利用改进的垂直无籽晶气相升华法生长出尺寸达Φ30×40 mm的优质硒化镉(CdSe)单晶体。解理晶体,通过X射线衍射仪测试精确的获得(001)晶面。然后定向切割、研磨、抛光,获得了尺寸为20×20×3mm^3的CdSe中红外波片初胚。以弱碱性溶液与刚玉粉的混合液作为抛光液,利用化学机械抛光法对CdSe中红外波片进行表面抛光处理。结果显示,抛光处理有效的减少了波片表面的损伤层、划痕及结构缺陷,晶片表面的粗糙度降低,在2~20μm波段透过率较高(达到70%),满足中红外波片的应用需求。
杨辉张志勇冯志伟熊祝韵曾体贤
关键词：化学机械抛光
密度泛函理论研究MgH_2的电子和光学性质被引量：1
2017年
基于密度泛函理论,采用平面波赝势和BFGS法计算研究了金红石相MgH_2电子结构性质和线性光学性质。基态下,金红石相MgH_2晶体具有良好的弹性力学稳定性,基本结构参数与实验值及其其他理论值符合得较好。Mulliken电荷分布和集居数分析发现:金红石相MgH_2晶体中电荷主要从Mg原子向H原子转移,电荷总数主要来源于Mg2p态电子和H1s态电子,金红石相MgH_2属于共价键和离子键混合型化合物。结合电子性质和频率相关介电函数ε(ω)计算研究了金红石相MgH_2的介电函数、线性吸收系数、复折射率及消光系数、反射率和能量损失谱,结果表明:金红石相MgH_2的主要吸收区间位于紫外光区;24.88~42.35 e V能量区间金红石相MgH_2具有很强的透过性;高频情况下,金红石相MgH_2具有极高的反射率。
安辛友杨辉任维义贺梓淇陈太红曾体贤
关键词：H2密度泛函理论电子性质光学性质
In掺杂Bi2Se3晶体的电学性能与形貌被引量：2
2017年
采用自助熔融法制备了高质量的In掺杂Bi_2Se_3(Bi_(2-x)In_xSe_3)单晶样品。研究了In掺杂对Bi_2Se_3样品的晶体结构、微观形貌及电输运性能的影响。结果表明:在Bi_(2-x)In_xSe_3样品中,In基本以替代Bi位的形式存在。随着In掺杂量的增加,样品晶格常数c减小,层状结构更加明显且堆叠层数增多。样品的电阻率随着In掺杂量的增加而明显增大,这可能跟掺杂样品内电离杂质的散射的贡献增大有关。另外,Bi_(2-x)In_xSe_3样品的磁电阻大小也与In掺杂量呈正相关关系,这是由于在In掺杂的样品中,In掺杂使得样品中声子散射效应增加,导致了体系中的磁电阻值增大。
魏占涛杨辉张敏
关键词：掺杂
蒸发电流对CdSe薄膜的结晶性能影响研究
2016年
采用真空热蒸发技术,选取系列蒸发电流在光学玻璃基底上制备出Cd Se薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜对样品的结构和表面形貌进行了表征。结果显示:蒸发电流为75 A时,Cd Se薄膜沿(002)方向择优生长,衍射峰较强,半峰宽较小,晶粒(约48 nm)分布较均匀,表面粗糙度低(5.58 nm),无裂纹。蒸发电流不改变薄膜的结晶取向,但电流过低时,薄膜的表面颗粒轮廓模糊且有间隙,结晶性差;电流高于75 A时,随电流升高,薄膜结晶性逐步降低,颗粒变小,半峰宽变大,部分样品表面晶粒生长不完整,表面出现裂纹。
裴传奇张敏张志勇杨辉刘其娅曾体贤
关键词：CDSE薄膜热蒸发
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