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代刚
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38
被引量:2
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
乔明
电子科技大学
张波
电子科技大学
何逸涛
电子科技大学
王裕如
电子科技大学
张晓菲
电子科技大学
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作者
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代刚
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乔明
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张波
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何逸涛
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,曲率结终端结构中N型漂移区2,P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2,P型埋层9和N型掺杂层10的...
乔明
代刚
张晓菲
王裕如
方冬
张波
一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路及仿真方法
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路及其仿真方法。本发明的一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路,包括PMOS管,其特征在于,所述PMOS管的漏极与可变电压源Vnh连接、衬底与固...
乔明
何逸涛
张康
代刚
吴文杰
张波
文献传递
一种硅基薄外延单RESURF电平位移结构
一种硅基薄外延单RESURF电平位移结构,属于半导体功率器件技术领域。包括基于浮动地的高端电路、终端、LDMOS、第一弯道区、第二弯道区;对于第一弯道区,增加漏极曲率半径以达到耐压需求;对于第二弯道区,增大第二弯道区漂移...
乔明
张晓菲
王裕如
代刚
张波
文献传递
一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分,在Y方向,P型埋层超出N型漂移区距离为5微米。在实际工艺中,N型漂移区2通过离子注入形成,在退...
乔明
王裕如
张晓菲
代刚
周锌
何逸涛
张波
文献传递
一种基于SOI的横向恒流二极管及其制造方法
本发明提供了一种基于SOI的横向恒流二极管及其制造方法,属于半导体功率器件技术领域。所述基于SOI的横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成,所述元胞包括衬底,N型轻掺杂硅、P型重掺杂区、N型重掺杂区、氧化介质层、...
乔明
于亮亮
代刚
陈钢
张波
文献传递
一种具有多电极结构的横向高压器件
本发明提供了一种具有多电极结构的横向高压器件,属于半导体功率器件领域。包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏...
乔明
周锌
李阳
代刚
陈钢
张波
文献传递
一种垂直型恒流二极管及其制造方法
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种垂直型恒流二极管及其制造方法。本发明的直型恒流二极管,包括依次层叠设置的氧化层、高掺杂N型外延层、轻掺杂N型外延层、重掺杂N+衬底和金属阳极,其特征在于,添加了电阻作为负反馈结构。...
乔明
张康
代刚
于亮亮
何逸涛
张波
文献传递
一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路及仿真方法
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路及其仿真方法。本发明的一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路,包括PMOS管,其特征在于,所述PMOS管的漏极与可变电压源Vnh连接、衬底与固...
乔明
何逸涛
张康
代刚
吴文杰
张波
文献传递
一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,曲率结终端结构中N型漂移区2,P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2,P型埋层9和N型掺杂层10的...
乔明
代刚
张晓菲
王裕如
方冬
张波
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一种垂直型恒流二极管
本发明提出了一种垂直型恒流二极管及其制造方法,属于半导体技术领域。本发明垂直型恒流二极管包括依次连接的元胞结构和终端结构,所述元胞结构由多个结构相同并依次连接的元胞组成,所述终端结构由截止环和多个依次连接的场限环组成,所...
乔明
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何逸涛
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