韩海建
- 作品数：10 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 300mm直拉单晶硅中的氮元素对氧化诱生层错的影响被引量：5
- 2009年
- 采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶,研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为。从4组晶体的相同位置取样,并对样品进行1100℃湿氧氧化实验。实验结果表明,随着晶体中氮浓度的增加样品中氧化诱生层错环(OSF-ring)宽度变大,且环内OSF缺陷的密度增加。这说明,氮的掺入促进了晶体中满足OSF形核要求的原生氧沉淀的形成,使OSF形核区变大。
- 韩海建周旗钢戴小林
- 关键词：掺氮MM直拉单晶硅
- 掺氮对300mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响
- 2007年
- 采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的voids相关的流动图形缺陷(FPDs)的密度变小,氧化诱生层错环(OSF-ring)向样片中心处移动,同时宽度变大。这说明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸voids的产生,同时可以缩小空位型缺陷区的范围,而且V/I过渡区(OSF-ring)的范围变大。
- 韩海建周旗钢戴小林肖清华
- 关键词：流动图形缺陷掺氮
- 一种用于区熔气相掺杂的高频加热线圈
- 一种用于区熔气相掺杂的高频加热线圈，它包括：由线圈主体和线圈附属导气管组成。线圈主体可为普通的平板线圈，线圈附属结构是一定数目的铜金属导气管。平板线圈中埋放的铜导气管一端开口于线圈外边缘处，一端开在线圈刃口处。此加热线圈...
- 韩海建梁书正陈海滨闫志瑞方峰肖清华沈晓东
- 文献传递
- 一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法
- 一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法，它包括以下步骤：(1)在坩埚中装入多晶硅料和高纯的氮化硅颗粒，加热到1450℃使多晶熔化，然后持熔体在1450℃～1470℃的熔融状态，并保持10～12的埚转；(2)多晶硅...
- 韩海建戴小林吴志强王学峰
- 文献传递
- 一种区熔法生长单晶硅过程中取单晶用的卡具
- 一种区熔法生长单晶硅过程中取单晶用卡具，它包括：上轴连接杆(1)，中间连接装置(2)和带有耐热防滑垫的卡环组件(3)组成，其中：上轴连接杆(1)与中间连接装置(2)连接，中间连接装置(2)与卡环组件(3)连接。本实用新型...
- 韩海建梁书正陈海滨闫志瑞方峰沈晓东叶松芳肖清华
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- 掺氮浓度对300mm直拉单晶硅中氧化诱生层错的影响
- 采用直拉法生长普通和掺氦硅单晶，研究两种晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为。从两种晶体相同位置取样，并对晶体进行1100℃湿氧氧化实验。实验结果表明，随着掺氮浓度的增加晶体中氧化诱生县错环(OSF-ring)向样片中心处...
- 韩海建肖清华周旗钢戴小林
- 关键词：氮元素
- 一种区熔法生长单晶硅用带安全防护装置的机械装料装置
- 一种区熔法生长单晶硅用带安全防护装置的机械装料装置，它包括：基座(5)，基座上设有立柱(2)，机械手臂(3)通过套筒(3-1)与立柱配合，套筒与液压机构(1)的传送带的一端连接，机械手臂端部设有夹持手爪(4)、机械手臂的...
- 韩海建梁书正赵洋谷宇恒闫志瑞
- 文献传递
- 一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法
- 一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法，它包括以下步骤：(1)在坩埚中装入多晶硅料和高纯的氮化硅颗粒，加热到1450℃使多晶熔化，然后持熔体在1450℃～1470℃的熔融状态，并保持10～12的埚转；(2)多晶硅...
- 韩海建戴小林吴志强王学峰
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- 一种区熔法生长单晶硅用硅籽晶夹持器
- 一种区熔法生长单晶硅用硅籽晶夹持器，它包括：籽晶夹持器主体(1)和与籽晶夹持器主体(1)相配合的紧固套(2)，所述的籽晶夹持器主体包括上部圆锥体(1b)，下部基座(1C)为圆柱体，该圆柱体外部开有螺纹，紧固套内部开有与夹...
- 韩海建梁书正赵洋谷宇恒闫志瑞
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- 一种区熔法生长单晶硅用高频加热线圈
- 一种区熔法生长单晶硅用高频加热线圈，它包括：线圈主体及在主体上的金属块，线圈主体为普通的平板线圈，所述的金属块可为铜金属块，铜金属块可通过销钉或螺丝与主体固定。本实用新型的优点是：在单晶生长过程中，平板线圈上的铜金属块对...
- 韩海建梁书正梁开金闫志瑞谷宇恒
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