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陈永勤

作品数:14 被引量:32H指数:3
供职机构:中南大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:粉末冶金国家重点实验室开放基金湖南省研究生创新基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域:化学工程金属学及工艺一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇化学工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇金刚石薄膜
  • 5篇金刚石膜
  • 4篇氧化铍
  • 4篇热丝
  • 4篇热丝化学气相...
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇反应气体
  • 4篇刚石
  • 4篇CVD金刚石...
  • 3篇热导率
  • 2篇星轮
  • 2篇行星轮
  • 2篇行星轮系
  • 2篇氧化铍陶瓷
  • 2篇整流罩
  • 2篇生长速率
  • 2篇陶瓷
  • 2篇梯度结构
  • 2篇涂层

机构

  • 13篇中南大学
  • 1篇教育部

作者

  • 13篇陈永勤
  • 11篇余志明
  • 8篇魏秋平
  • 4篇娄俊岭
  • 4篇杨永青
  • 4篇尹登峰
  • 3篇陈爽
  • 3篇方梅
  • 2篇孟泽
  • 2篇黄登高
  • 2篇肖柱
  • 1篇张益豪
  • 1篇马莉
  • 1篇彭小敏
  • 1篇刘楚明
  • 1篇龙航宇
  • 1篇夏长清
  • 1篇王志强
  • 1篇刘娜
  • 1篇王金惠

传媒

  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇金属热处理
  • 1篇中国表面工程
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇湖南有色金属
  • 1篇粉末冶金材料...

年份

  • 1篇2011
  • 5篇2010
  • 6篇2009
  • 1篇2007
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
时效工艺对低铍铜力学性能与电导率的影响被引量:5
2007年
通过力学性能、电导率测定和显微组织观察,研究了常规时效和分级时效对铍青铜性能的影响;结果表明0.5 mm厚的C17460铍青铜板经900℃/5 min固溶处理后分级时效的适宜工艺条件为:低温320℃/150 min、高温465℃/120 min,此工艺条件下合金的抗拉强度可达724 MPa,电导率可达41.9IACS%;常规时效的适宜工艺条件为:450℃/150 min,此工艺条件下合金的抗拉强度可达721 MPa,电导率可达41.4IACS%。两种时效制度下均未出现明显的晶界反应。
王志强刘楚明曾祥亮刘娜陈永勤
关键词:时效制度力学性能电导率
一种金刚石/W-C梯度结构复合涂层及其制备方法
本发明公开了一种金刚石/W-C梯度结构复合涂层及其制备方法。该复合涂层的特征在于WC-Co硬质合金上,形成以W-C梯度结构的过渡层和以金刚石涂层为耐磨涂层的复合涂层。其制备方法是,以硬质合金为试样,在Murakami试剂...
魏秋平余志明陈永勤尹登峰
文献传递
一种用于线形试样制备CVD金刚石膜的装置
本发明公开了一种用于线形试样制备CVD金刚石膜的装置,包括真空反应室和位于该真空反应室内部的气体裂解热丝、气体排出装置以及用于放置线性基体的基体支撑架,其特征在于,所述的气体排出装置为一个具有窄缝通气腔的气体收集器。所述...
余志明魏秋平杨永青娄俊岭陈永勤黄登高孟泽
文献传递
多用途批量制备CVD金刚石膜的工业设备
本发明公开了一种多用途批量制备CVD金刚石膜的工业设备,包括真空环形反应室和气体裂解热丝、气体进排放锥面窄缝通气腔、行星轮系、用于放置基体的基体安装架装置、上下整流罩、冷却腔以及腔外滤油循环通道,所述的气体进排放锥面窄缝...
魏秋平余志明娄俊岭陈永勤杨永青尹登峰
文献传递
氧化铍金刚石膜及其导热性能被引量:2
2009年
提高氧化铍的热导率,既能助其开拓新的发展空间,又能满足电子器件的散热需求,因而利用热丝化学气相沉积法在氧化铍上沉积得到与基体串、并联方式不同的、利于提高导热率的各种金刚石薄膜。通过扫描电镜和原子力显微镜观察薄膜表面的晶体形貌;采用X射线衍射仪分析薄膜成分;借助热物性激光测试仪测量金刚石膜/氧化铍基复合体的热扩散系数,并计算其热导率。结果表明:镀膜后可使氧化铍的热导率提高12.1%~34.4%;基体预处理方法、金刚石膜和氧化铍基体的串、并联方式对复合体的热导率均有较大影响。
方梅余志明肖柱陈爽陈永勤
关键词:热丝化学气相沉积金刚石薄膜氧化铍热导率
进气方式对热丝CVD制备金刚石薄膜的影响被引量:6
2009年
采用超高真空热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,以甲烷和氢气为反应气体,在YG13(WC-13%Co)硬质合金基体上沉积金刚石薄膜。采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射仪(XRD)对金刚石薄膜进行检测分析,研究了反应气体的不同进气方式对金刚石薄膜的影响。结果表明,随着进气方式的改变,基体周围气氛的组成、密度和分布受到影响,金刚石薄膜的形核密度、表面形貌、生长织构均有明显的变化,所得金刚石晶粒的生长参数多为1.5<α<3,3^(1/2)/2<г<3^(1/2)。
魏秋平王玲余志明陈永勤马莉龙航宇
关键词:金刚石薄膜进气方式硬质合金晶体形貌织构
一种用于线形试样制备CVD金刚石膜的装置
本发明公开了一种用于线形试样制备CVD金刚石膜的装置,包括真空反应室和位于该真空反应室内部的气体裂解热丝、气体排出装置以及用于放置线性基体的基体支撑架,其特征在于,所述的气体排出装置为一个具有窄缝通气腔的气体收集器。所述...
余志明魏秋平杨永青娄俊岭陈永勤黄登高孟泽
文献传递
多用途批量制备CVD金刚石膜的工业设备
本发明公开了一种多用途批量制备CVD金刚石膜的工业设备,包括真空环形反应室和气体裂解热丝、气体进排放锥面窄缝通气腔、行星轮系、用于放置基体的基体安装架装置、上下整流罩、冷却腔以及腔外滤油循环通道,所述的气体进排放锥面窄缝...
魏秋平余志明娄俊岭陈永勤杨永青尹登峰
文献传递
一种金刚石/W-C梯度结构复合涂层及其制备方法
本发明公开了一种金刚石/W-C梯度结构复合涂层及其制备方法。该复合涂层的特征在于WC-Co硬质合金上,形成以W-C梯度结构的过渡层和以金刚石涂层为耐磨涂层的复合涂层。其制备方法是,以硬质合金为试样,在Murakami试剂...
魏秋平余志明陈永勤尹登峰
文献传递
多晶氧化铍陶瓷上金刚石薄膜的生长
2009年
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,以CH4和H2为反应气体,在多晶氧化铍陶瓷基体上沉积了金刚石薄膜。采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和激光热物性测试仪进行检测分析,研究工艺参数对金刚石薄膜生长及膜/基复合体热学性能的影响。结果表明:随着CH4浓度的增加(或CH4浓度一定,反应气体总流量增加),金刚石晶粒尺寸逐渐减小,膜/基复合体的热导率逐渐降低;当CH4浓度为2%(体积分数),流量为30cm3/min,压强为1.33kPa时,沉积的膜/基复合体的热导率最高,可达2.663W/(cm·K)。
陈永勤余志明方梅魏秋平陈爽
关键词:金刚石薄膜氧化铍热丝化学气相沉积热导率
共2页<12>
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