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陈城钊

作品数:28 被引量:62H指数:4
供职机构:韩山师范学院物理与电子工程系更多>>
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相关领域:理学电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 25篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 12篇理学
  • 9篇电子电信
  • 5篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 8篇硅薄膜
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇多晶硅薄膜
  • 5篇光谱
  • 5篇发光
  • 4篇微结构
  • 4篇晶化率
  • 3篇微晶硅
  • 3篇微晶硅薄膜
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇红外
  • 3篇发光性
  • 3篇薄膜微结构
  • 3篇RAMAN谱
  • 3篇RF-PEC...
  • 3篇
  • 3篇掺杂
  • 3篇衬底

机构

  • 23篇韩山师范学院
  • 13篇汕头大学
  • 6篇厦门大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇浙江师范大学

作者

  • 28篇陈城钊
  • 12篇林璇英
  • 10篇邱胜桦
  • 9篇刘翠青
  • 9篇李平
  • 8篇吴燕丹
  • 8篇余楚迎
  • 6篇李成
  • 6篇陈松岩
  • 6篇赖虹凯
  • 6篇黄诗浩
  • 5篇郑元宇
  • 2篇黄翀
  • 1篇方海
  • 1篇林揆训
  • 1篇方健文
  • 1篇曾繁华
  • 1篇余云鹏
  • 1篇陈洪财
  • 1篇陈阳华

传媒

  • 5篇韩山师范学院...
  • 4篇物理学报
  • 4篇功能材料
  • 3篇材料研究与应...
  • 2篇光谱实验室
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇佳木斯大学学...
  • 1篇真空
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  • 1篇现代计算机(...
  • 1篇中山大学学报...
  • 1篇浙江师范大学...
  • 1篇中国第七届光...

年份

  • 7篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2009
  • 7篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2002
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电子衍射实验数据的计算机处理
2003年
介绍了利用计算机处理电子衍射实验数据的过程 。
陈城钊
关键词:数据处理程序设计流程图近代物理实验
利用低温缓冲层和应变超晶格技术制备高质量的锗材料
提出一种结合低温缓冲层和应变超晶格优势的制备方法,利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备,在Si(100)衬底上外延出厚度约为880 nm的高质量纯Ge层。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.45nm,XR...
陈城钊郑元宇黄诗浩李成赖虹凯陈松岩
关键词:应变超晶格
《电磁学》课程学习网站的设计与实现
2011年
对《电磁学》课程学习网站的内容、结构和功能进行分析和设计。利用Dreamweaver MX作为开发工具,Access 2007作为后台数据库,采用ASP来实现动态数据库的交换及网页的生成,构建一个内容充实、界面友好、维护方便的学习网站。
陈城钊
关键词:电磁学学习网站ASP数据库
氢等离子体加热法晶化a-Si∶H薄膜被引量:1
2004年
 利用氢等离子体加热晶化n+ a Si∶H/a Si∶H薄膜,可以在450℃的衬底温度下制备多晶硅薄膜。采用X射线衍射谱、Raman散射谱和扫描电子显微镜等手段进行表征和分析,研究了不同退火条件对薄膜晶化的影响。结果表明,随着射频氢等离子功率的提高、衬底温度升高和退火时间的增加,薄膜的晶化度呈现出增加趋势。
陈城钊林璇英林揆训余云鹏余楚迎
关键词:多晶硅薄膜退火工艺
低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用被引量:1
2008年
以SiH4/H2为气源,用PECVD沉积技术,在低温(200℃)、高压下(230Pa)下制备出优质纳米晶硅薄膜。研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作用。实验表明,氢对纳米晶硅薄膜的高速生长起到非常关键的作用。随着氢稀释率由95%提高至99%,薄膜的晶化率由30%增大到70%,晶粒尺寸由3.0nm增大至6.0nm,而沉积速率却由0.8nm/s降低至0.3nm/s。
邱胜桦陈城钊刘翠青吴燕丹李平林璇英黄翀余楚迎
关键词:晶化率RF-PECVD
衬底温度对低温制备纳米晶硅薄膜的影响被引量:3
2008年
采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下,在>100℃的低温下,以0.14nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜。研究结果表明,薄膜晶化率和沉积速率与衬底温度有密切关系。当衬底温度>100℃,薄膜由非晶相向晶相转化,随着衬底温度的进一步升高,薄膜晶化率增大,当温度为300℃时,薄膜的晶化率达82%,暗电导率为10-4Ω-1.cm-1数量级,激活能为0.31eV。当薄膜晶化后,沉积速率随衬底温度升高而略有增加。
刘翠青陈城钊邱胜桦吴燕丹李平余楚迎
关键词:衬底温度电学性能
硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长被引量:4
2012年
利用超高真空化学气相淀积系统,基于低温缓冲层和插入应变超晶格的方法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为880nm的纯Ge层.采用X射线双晶衍射、高分辨透射电镜、原子力显微镜和光致发光谱分别表征了其结构及光学性质.测试结果显示外延Ge的X射线双晶衍射曲线半高宽为273″,表面均方根粗糙度为0.24 nm,位错密度约为1.5×10~6cm^2.在室温下观测到外延Ge的直接带跃迁光致发光,发光峰值位于1540 nm.表明生长的Si基Ge材料具有良好的结晶质量,可望在Si基光电子器件中得到应用.
陈城钊郑元宇黄诗浩李成赖虹凯陈松岩
关键词:UHV/CVD光致发光谱
基于直接带跃迁的n型掺杂张应变Ge的发光性质
Ge的直接带跃迁发光性质可以通过n型掺杂和张应变得到增强。本文从理论上计算了应变作用下Ge的能带结构以及载流子在导带中的分布,通过分析载流子在直接带和间接带间的辐射复合和非辐射复合的竞争,计算了n型掺杂张应变Ge材料直接...
黄诗浩李成陈城钊郑元宇陈松岩赖虹凯
关键词:量子效率光增益
Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究被引量:1
2012年
基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃迁发光峰位的蓝移,峰位的实验值与理论值符合得很好;当Ge量子阱宽逐渐减小到9nm和7nm时,测试得到样品的PL谱峰位却与理论预期出现了较大的差值。进一步的实验表明,这主要是由于量子阱厚度小到一定程度时,量子阱的直接带发光受到抑制,其发光主要源于Ge虚拟衬底。
陈城钊陈阳华黄诗浩李成赖虹凯陈松岩
双语《大学物理学》教学改革初探被引量:4
2005年
综述《大学物理学》课程进行双语教学的背景和条件 。
陈城钊
关键词:大学物理学英文教材
共3页<123>
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