林璇英
- 作品数：83 被引量：316H指数：10
- 供职机构：汕头大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 优质多晶硅薄膜的低温制备技术
- 多晶硅薄膜是集晶体材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料.本文综述低温(＜600℃)制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用,着重讨论用等离子体化学气相沉积硅基...
- 林璇英黄创君林揆训余楚迎姚若河
- 关键词：多晶硅金属诱导
- 文献传递
- 氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析被引量：34
- 2003年
- Fourier红外透射 (FTIR)谱技术是研究氢化非晶硅 (a Si∶H)薄膜中氢的含量 (CH)及硅—氢键合模式 (Si Hn)最有效的手段 .对用等离子体化学气相沉积 (PCVD)方法在不同的衬底温度 (Ts)下制备出的氢化非晶硅薄膜 ,通过红外透射光谱的基线拟合、高斯拟合分析 ,得到了薄膜中的氢含量 ,硅氢键合模式及其组分 ,并分析了这些参量随衬底温度变化的规律 .
- 罗志林璇英林舜辉余楚迎林揆训余云鹏谭伟锋
- 关键词：氢化非晶硅薄膜红外吸收谱氢含量
- 用SiCl4/H2沉积纳米晶硅薄膜过程中氢稀释量对SiCln(n=0～2)密度的影响
- 2008年
- 用质谱、朗缪尔探针诊断技术研究了氢稀释的SiCl4作为源气体,用等离子体增强化学气相方法进行纳米晶硅薄膜的生长。进一步研究了氢稀释比率对SiCl4等离子体中SiCln（n=0-2）基团浓度的影响。等离子体中,平均电子能量和电子密度分别随着氢稀释比率的增加而达到9.25eV和3.7×10^9cm^-3。结果发现,在0.4-0.67范围的氢稀释比率对于形成SiCln（n=0-2）基团很有利。在这个范围,平均电子能量和电子密度都有较大的值。生成较多的SiCln（n=0-2）基团将有利于提高薄膜沉积速率和薄膜质量。
- 娄艳辉王照奎林揆训林璇英
- 关键词：纳米硅薄膜
- 溅射共沉积GaAs-SiO_2复合薄膜的XPS研究被引量：2
- 1997年
- 采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了由ＧａＡｓ和ＳｉＯ２组成的复合靶共溅射沉积的ＧａＡｓ－ＳｉＯ２复合薄膜的Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明：Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ分别主要是以ＧａＡｓ和ＳｉＯ２的化学组态存在于复合薄膜之中，但当沉积时基片温度上升到一定值后（我们实验中为４００℃），有部分的Ｇａ和Ａｓ被氧化，其氧化量随着基片温度的进一步升高而上升。沉积的ＳｉＯ２中存在着少量的缺氧缺位。
- 石旺舟林揆训林璇英
- 关键词：砷化镓XPS
- 氩直流辉光放电等离子体中电子运动及能量的模拟被引量：5
- 2004年
- 采用自动调节时间步长的蒙特卡罗模拟,对平行板放电系统中的氩气直流辉光放电系统中的等离子体区内电子的运动过程进行了跟踪和抽样。统计结果表明:在我们的实验条件下,等离子体中的电子在电场作用下出现明显的轴向漂移;在40000次抽样中,出现能量为E的电子数目随能量E增大呈下降趋势,场强增大将引起能量分布展宽和电子平均能量增加;即使场强达到15V·cm-1,等离子体激发和电离仍是很少的;场强和气压都能明显改变电子的平均自由程。
- 余云鹏林舜辉林旭升池凌飞林璇英林揆训
- 关键词：辉光放电等离子体电子运动电子能量蒙特卡罗模拟
- 高速沉积的α—Si:H薄膜光致变化的光电导研究
- 1993年
- 本文研究了高速生长的氢化非晶硅合金(a—Si:H)的光致亚稳变化,即 Stabler-Wrondki(S.W)效应.做了退火态(A 态)和长时间光照后的光浸态(B 态)的光电导温度曲线的测量,并利用一个较合理的缺陷态分布模型对其进行了模拟,从而发现长时间光照的主要结果是引起带隙中悬挂键的增加,带尾态的变化不明显,另外对光电导与光强的关系中的γ因子进行了计算和讨论.
- 林东晓梁少坚王洪林璇英
- 关键词：PCVD
- Langmuir单探针诊断射频辉光放电等离子体及其数据处理被引量：50
- 2001年
- Langmuir探针是诊断等离子体参数的重要手段 .报道了在氩气射顿 (13 5 6MHz)辉光放电等离子体中使用调谐单探针进行诊断 ,对探针I V特性曲线的统计噪声进行了数字滤波的光滑化处理 ,而后求二次微商 .在相同的放电条件下 ,使用自行设计的微分电路 ,对探针特性二次微商进行在线测量 .这两种方法得到的二次微商结果能够较好地符合 .
- 池凌飞林揆训姚若河林璇英余楚迎余云鹏
- 关键词：LANGMUIR探针微分电路数据处理等离子体
- 沉积a-Si:H薄膜衬底温度对固相晶化影响的研究
- 用a-Si:H薄膜经固相晶化为多晶硅薄膜,其形成的晶粒尺寸和性能与a-Si:H薄膜的初始结构有密切的关系,而a-Si:H薄膜的初始结构依赖于沉积条件,其中衬底温度是一个重要的因素,本文重点研究沉积a-Si:H薄膜衬底温度...
- 姚若河林璇英吴萍余楚迎林扌(葵)训
- 关键词：多晶薄膜衬底温度
- 文献传递
- 纳米GaAs-SiO_2镶嵌复合薄膜的制备被引量：8
- 1998年
- 采用射频磁控共溅射法制备了纳米GaAs－SiO2镶嵌复合薄膜．通过X射线衍射、透射电镜和X射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积时基片温度间的关系．结果表明：薄膜由晶态的GaAs及非晶SiO2组成，GaAs在沉积过程中未明显氧化，且以纳米颗位形式均匀地弥散在SiO2中；
- 石旺舟林揆训林璇英
- 关键词：纳米半导体砷化镓二氧化硅
- 低温制备高质量多晶硅薄膜技术及其应用被引量：29
- 2001年
- 多晶硅薄膜是集晶体硅材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体 ,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料。本文综述低温 ( <6 0 0℃ )制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用 ,着重讨论用等离子体化学气相沉积 (PECVD)硅基薄膜固相晶化制备多晶硅技术及其在薄膜硅太阳能电池上的应用。
- 黄创君林璇英林揆训余楚迎姚若河
- 关键词：多晶硅薄膜硅太阳能电池
